关于DDR匹配电阻问题请教！

cary_wang

想问一下各位大大，DDR在添加匹配电阻的时候，匹配方式为末端匹配，是不是只需要对AD/CS/CLK做做匹配就OK了，然后DQ/DQS/DQM不用添加匹配电阻。

part99

如果是DDR1，什么线都要匹配电阻；
9 X. {/ q, i$ D+ E# L3 V' j如果是DDR2/3，可以在软件上设置ODT（on die termination）；
) [& F/ L* m$ v& N' v9 R& v命令地址时钟线，如果内存是2片以下，可以不加，如果是4片以上，则需要加匹配电阻上拉到VTT。时钟线一般串两个电阻靠近源端。数据线，如果加10-22欧姆的串联匹配电阻，会有效降低EMI辐射，但会引起布线的麻烦。如果内存可以离CPU很近，可以不加。
, d. D5 ~. [; S

wq_463

数据线，地址线，时钟线终端加匹配电阻

阿斯兰

可以根据LAYOUT手册上的建议来进行匹配，这样做质量是有保证的

cary_wang

part99 发表于 2014-12-31 00:38
; l/ `; k; Z/ W6 r  T" ?! c6 j: s6 E如果是DDR1，什么线都要匹配电阻；
8 i9 _- D7 q' z4 l) S" m( |4 y如果是DDR2/3，可以在软件上设置ODT（on die termination）；
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0 S. P' K2 K/ a% }$ @: t谢谢，已采纳此建议，十分感谢
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