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power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?

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发表于 2014-4-11 16:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请问哪位大神帮忙解释下power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?
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发表于 2014-5-10 16:01 | 只看该作者
SPEED2000 Applications  @' o& |- ~+ n

/ s$ Y$ s) O8 [$ C5 Y9 BPerforming time domain analysis to confirm designs meet specified targets" j8 v0 \/ ~  Y4 }3 Z
SPEED2000可用来做时域分析,看波形在时域上的状况,如reflection等,快速又轻松的分析时域上的问题。# C! w7 T, I# d/ V% ?" ^
Understanding complex voltage noise propagation including return path discontinuities
% b0 v* s1 s/ g7 _7 a# S8 R3 iSPEED2000可仿真到返回路径的不连续性,返回路径的好与坏将影响高速讯号的质量。
+ j  m7 ]- J$ Q( u' d, IAssessing various decoupling capacitor implementations+ b% ]: m+ o. C2 J/ \) ~/ B* j
不同的去耦电容对于讯号有影响,而SPEED2000可针对不同的电容做模拟,找到最适合的电容。
! ?( S# p4 }& V  oSimulating simultaneous switching noise (SSN) and identifying improvement options
; U- `% t& k& U8 I7 r快速切换开关即会产生噪声,此噪声会影响到讯号质量,而在SPEED2000中,可模拟快速切换开关的问题。' m. g) z5 d$ ^! M+ Q! Y
Identifying package and board resonance and radiation harmonics
& w5 B# T! v0 L1 A% BSPEED2000可拟模共振与辐射问题,这些问题对于设计质量而言,是不可忽略的。. D, w  N( ^/ N/ h- ?
==========================================================5 C! l$ I0 S, S% Q( ^
PowerSI Applications  g7 i- B" d) r  R  O1 y# e

7 w, V- S7 M/ K" fEstablishing power delivery system (PDS) guidelines for IC package and boards
7 |. a$ X! X5 L, x1 ~提供IC、package与PCB板的电源输送系统的分析仿真,解决且优化电源质量,电源质量是最根本问题,将电源质量加强,将可使整个PCB达到稳定的状态。% L" e8 ~- w! n
Evaluating electromagnetic coupling between geometries to enable better component, via, and decap placement
" F3 U7 o' {5 \8 Y, cPCB板上会有很多的via与电容,但这此组件皆会有相互影响的问题产生,经由PowerSI即可轻松分析这些相互影响的问题,进而达到讯号质量稳定。
- p2 I" |7 ?, y1 N$ v% A3 A) WExtracting frequency-dependent S, Z, and Y parameters for PKG and board modeling for subsequent time domain SSN simulation
2 p) i2 p+ I! s8 @PowerSI可将PCB板上提取S, Y及Z参数,经由此参数可得知PCB板上的特性,进而找到问题的根源,解决问题。
' s) t7 A9 a$ @+ j, g7 lAnticipating energy leaks with near-field ration display  J7 A) W3 }( A2 S9 V
经由PowerSI可分析近场源的问题,进而修改layout走线降低近场问题。。
) z3 F8 U2 X# n- HAssessing decoupling capacitor strategies and verifying placement effects
6 I9 f5 @6 N. K9 k; ^9 j6 A使用PowerSI可分析去耦电容的摆放位置,去耦电容的位置对于电源质量非常重要,使用PowerSI即可分析模拟选择最好的摆放位置。
; t7 }9 }) r4 W) i  Z1 A" WBroadband modeling including accurate DC performance characterization  O, z  ?6 _% `& v
使用PowerSI可建立宽带模块,此模块可达至DC状态且非常精准,对于分析电源质量非常重要。
( a$ t. w7 k, K+ y. p
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