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RF和DDR线阻抗控制问题

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发表于 2012-12-27 13:57 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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我现有4层板的PCB,2.4G和5.8G是在顶层,同时DDR也有在顶层走线和底层走线。DDR线宽是5MIL.0 r2 ~: f2 B: n7 @& I2 U, s
而2.4G和5.8G都是12MIL。而DDR和RF处的线都需要50OHM阻抗控制。像这种情况一般该怎样处理# o% M# L2 S8 t$ v1 B6 n9 [
板厂才能做到呢。
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发表于 2013-1-17 17:15 | 只看该作者
1.DDR的线参考GND02层不变。1 u3 U9 @' Y/ p. _$ U
2.RF线参考pwr03层,GND02层以三倍线宽挖空处理。
( Y+ r2 A, f7 k: o" N# @3.RF线最好圆弧走线,同时包地处理,在RF线的两边铜皮边缘处放一些GND过孔。4 C: f3 D/ e  S0 H' P
4.DDR的线不要跨分割,会影响信号质量的。

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  发表于 2013-6-26 15:20

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发表于 2015-7-28 15:40 | 只看该作者
RF 隔层参考,发射功率和EVM控制余度会大一些吧

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发表于 2013-7-8 13:06 | 只看该作者
很简单,DDR走线注重等长,不注重阻抗,RF注重阻抗。

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发表于 2013-6-26 11:48 | 只看该作者

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发表于 2013-6-18 17:37 | 只看该作者
海盗船长 发表于 2013-1-17 17:15 % V7 s: Q4 v' W7 k4 _2 ]" O* M( D& }
1.DDR的线参考GND02层不变。
) Q/ g, Z; d. {7 d# [3 Y( l# k( F2.RF线参考pwr03层,GND02层以三倍线宽挖空处理。) i  B4 `: v& w  u9 c$ \
3.RF线最好圆弧走线,同时 ...

: k  G9 H0 D% u! G这个很专业
2 i( ~# Y! m9 \; `5 X" c

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发表于 2013-2-27 09:45 | 只看该作者
海盗船长 发表于 2013-1-17 17:15 1 a( J& ~! ^- `: D8 s0 G- O% [5 Q
1.DDR的线参考GND02层不变。& |; ~, ~0 K' ?3 w
2.RF线参考pwr03层,GND02层以三倍线宽挖空处理。
+ j/ Q7 }, s$ @2 |3.RF线最好圆弧走线,同时 ...
! Z" g+ u8 H0 |$ D
赞同
知识在于积累,
经验在于实践.

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发表于 2013-2-22 14:35 | 只看该作者
RF线参考底层,底层的也参考底层;) X+ {+ u+ @) o) f( P
DDR线参考GND或PWR层8 p3 O- ~; _/ N$ m
用SI9000算过可行

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发表于 2013-1-31 11:23 | 只看该作者
高手多啊!学习了

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发表于 2012-12-29 08:15 | 只看该作者
第1层用第三层做参考平面作为阻抗控制 不一定是GND层 那要看你一开始的叠层拓扑结构是什么 如果你那一层是GND那就是GND 如果是SI 那还得水平与垂直交叉的 这个又不一定的

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 楼主| 发表于 2012-12-28 18:00 | 只看该作者
是2.4G和5.8G以电源层为参考吗,将地层挖空吗。9 Y: }' S5 n& d8 Y4 l( W
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 楼主| 发表于 2012-12-28 17:39 | 只看该作者
具体是怎么做呢,隔层参考是什么意思。
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发表于 2012-12-28 16:03 | 只看该作者
eeicciee 发表于 2012-12-28 15:58
- k6 t& i5 M7 I4 r) t不会吧??版主。我们公司都是射频线隔层参考的,尽量和焊盘大小差不多

5 O5 b) T; Y- J0 [0 e9 d3 F: f没有统一结论,满足要求都可以。

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发表于 2012-12-28 15:58 | 只看该作者
Xuxingfu 发表于 2012-12-28 15:11
; V  |; o- o, d( Y) \应该是DDR隔层参考,那样线就不会太细,粗点加工相对误差小,容易受控。
5 @4 H/ U! J6 Q7 X; g; j% ?
不会吧??版主。我们公司都是射频线隔层参考的,尽量和焊盘大小差不多

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发表于 2012-12-28 15:11 | 只看该作者
应该是DDR隔层参考,那样线就不会太细,粗点加工相对误差小,容易受控。
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