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[仿真讨论] 有关DQ_HALF_ODT50和DQ_FULL_ODT50的区别?

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发表于 2012-12-24 09:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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现在做DDR2的仿真,遇到一个问题,IBSI模型中有很多标准,例如,数据管脚就有DQ_HALF_ODT50_667、DQ_FULL_ODT50_667等等,我想请教一下,“HALF”、“FULL”有什么区别?在什么场合使用呢,谢谢!
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 楼主| 发表于 2013-1-4 14:18 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-12-31 17:52 5 d# }- D+ m" Z5 \# a
这里的FULL和HALF就是指的buffer输出时不同的驱动电流强度,和ODT没什么关系,至于如何选择FULL还是HALF得看 ...

' G6 L& `4 Y2 J$ h$ u" X% `谢谢,明白了!

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发表于 2013-1-4 10:50 | 只看该作者
yinning 发表于 2012-12-31 15:17
0 D4 N; V/ A  j3 Z8 `5 Z" k+ K9 H请分析一下!
9 Z, w* J" j1 U& m9 X7 l
如果是hyperlynx的话有个model selector选择你要的模型就可以仿真了。

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发表于 2012-12-31 17:52 | 只看该作者
这里的FULL和HALF就是指的buffer输出时不同的驱动电流强度,和ODT没什么关系,至于如何选择FULL还是HALF得看你DDR驱动对应寄存器的设置。
; s& y! x$ _* _: M
9 H% p) N! x8 a: O3 u7 Y$ v! R0 F7 s) a' a

% I$ M# Z( a8 b: Y: P9 k
& t5 P2 o- C" I  r# z5 j % G4 ?  A# C2 [, t* m
, X. Y7 o- F, R' X  m
* M5 Z4 r/ |. b* S& N" G/ e
. c( a: e& M9 A( Z+ @
5 j7 E0 O" E* R( Q1 O

9 @7 a- [& @( M: i/ h( J3 e; k- ^9 W% v/ E! D

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 楼主| 发表于 2012-12-31 15:17 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-12-27 11:48 0 }, I  ?5 G' M: b! T" x1 u! T
那家的,把模型传上来,分析一下。

. H' P& {, C9 w( p请分析一下!

u68a.rar

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 楼主| 发表于 2012-12-31 15:13 | 只看该作者
qaf98 发表于 2012-12-27 09:19
% H) m: {$ _, V: ?) g- {不好意思,看错了!你说的对的。
4 M6 }' Z4 Z8 @# F2 q/ V  r
0 o! U% g8 l8 v9 C一般的DDR2 DRVIE model DQ_HALF  & DQ_FULL,   DDR2 RECRIVE是 DQ ...

3 H# f/ }% E6 g: X$ ^是美光的,MT47H64M16HR-3,顺便问一下,仿真地址和控制的时候,用的是哪一种模型。

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 楼主| 发表于 2012-12-31 15:02 | 只看该作者
kaenii_nanjing 发表于 2012-12-27 23:17
0 f0 j2 x- Z( Uhello
  v! q4 @; I% d7 eODT是作为数据信号的端接匹配,通常情况下会按照端接阻抗的大小进行区分,不会进行HALF.FULL的区分。 ...

) }5 W% j6 }! C- {7 ~  {就像你说的DQ*是DDR2的数据总线是IO,当DDR2作为负载时,ODT功能有效;当DDR2为驱动源时,有HALF和FULL两种模式,不知道这两种模式怎么区分的,我查了下,好像是驱动力的强弱之分,不知道是不是?

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发表于 2012-12-27 23:17 | 只看该作者
hello) b% u$ {' [* ^6 \3 @
ODT是作为数据信号的端接匹配,通常情况下会按照端接阻抗的大小进行区分,不会进行HALF.FULL的区分。% ^$ j' U" Y* E& {+ ^0 j9 p3 ]3 e
HAFL.FULL的区分一般情况下是作为发送端进行区分的,就像3楼兄弟说的那样~. o7 E2 R5 F/ A; e) S- h5 ~+ F. S! C# q
: n( U. v1 z0 i/ ~% P* b
如果这个model是I/O就能说通了,即作为接收端口时是用ODT模式,作为发送端口时使用FALF.FULL模式进行区分。可以利用两个model做个简单的替换实验就能知道是不是这样了。

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发表于 2012-12-27 11:48 | 只看该作者
那家的,把模型传上来,分析一下。

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发表于 2012-12-27 09:19 | 只看该作者
yinning 发表于 2012-12-24 17:03
+ y) u6 `* X: y- d' U6 eDQ_FULL_ODT和DQ_HALF_ODT是DDR2的IO模型,怎么谈到负载的问题了呢?DDR2是控制器的负载啊,在写操作是时 ...
" d) l+ V. M5 m; [1 p
5 s  }* G& {: Q) O* p+ g! @
不好意思,看错了!你说的对的。
5 `% Y7 S5 F# a( }* n5 a. o8 |# Q$ }7 k* I( Z9 R2 p3 ]
一般的DDR2 DRVIE model DQ_HALF  & DQ_FULL,   DDR2 RECRIVE是 DQ_ODT75  or DQ_ODT150, or DQ_ODT50.- \+ N& a4 h7 O* |. y& L5 r. ^
你说的那个有点奇怪。! \2 T* w! t7 M% u" b6 p/ l
要不告诉我们DDR2型号,我们去下载看看。- q# z2 o, y2 s% V% M; Q( Z
一般IBIS文件里会对模型做简单说明的,你找找。

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 楼主| 发表于 2012-12-24 17:03 来自手机 | 只看该作者
qaf98 发表于 2012-12-24 13:06  驱动电流的大小区别,  如果你的负载多的话,可以使用FULL,  少的话使用HALF

" }: ~! `7 i$ U7 Y% HDQ_FULL_ODT和DQ_HALF_ODT是DDR2的IO模型,怎么谈到负载的问题了呢?DDR2是控制器的负载啊,在写操作是时,控制器发送数据,DDR2接收数据,这时DDR2的数据总线的IO模型用带ODT的;在读数据时,DDR2发送数据,IO模型不要带ODT的。这样的话,您说的就不对了吧。

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发表于 2012-12-24 13:06 | 只看该作者
驱动电流的大小区别,  m  o$ o" N  b5 {. S+ S2 k/ L
如果你的负载多的话,可以使用FULL,7 {/ u9 O- a. |4 _
少的话使用HALF

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发表于 2012-12-24 11:33 | 只看该作者
“HALF”、“FULL”有什么区别?7 @  B+ j( m7 s) O  U
半驱动及全驱动输出,HALF 输出阻抗较大,FULL输出阻抗较小,搭配你的PCB 阻抗设计,以终端信号振幅足够大,信号反射最小为原则。

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发表于 2012-12-24 11:31 | 只看该作者
请把IBIS文件上传上来看看,大家分析。667MHz下的两种模式
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