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yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22 5 P6 ^/ E9 D2 K4 S# Q. H
你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上 ...
9 i3 D8 G/ b# X& W+ y
9 O9 a# ?, x+ O7 v
线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch ( x$ K& }- O/ L, t' V
算出来特征阻抗67.93ohm3 w/ O" z1 n3 |+ \
8 K3 b* f! M" i: ~3 i# F端口归一化 阶跃响应 TDR
2 I: E, [) B. }0 ]- Z6 N" }% {2 Q" C可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远6 X* `! t! L; D3 v9 Z% g6 C
* b; f1 a: ^. y/ F/ x# D. x( c5 P取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下
+ F! y2 m: L, h6 v9 c
0 x1 z: q# X. z# L3 _- o端口归一化后的 冲击响应TDR
+ H1 w0 f( O( c2 F* Q7 _# G( P阻抗变化在1.16ns处,且阻抗仅在100ohm附近变化+ `* |) L& a+ l: S8 I5 f" @
/ N& N1 r9 s1 R0 D/ C0 Q端口未做归一化,阻抗在0.14ns出发生变化,这时阻抗为负数,在-100ohm附近变化。
2 O R3 e/ |# n' c4 J0 I3 d# e9 H: o
1 }# l; @2 b2 [0 C7 ~
归一化后的s11
. y; o- M; S" k
2 [+ s( `( d9 ?: A1 h( {0 u1 E( u未做归一化的s11" P# D7 s2 X. {5 X+ t
8 A% ]/ ~/ e7 e$ r$ R( m0 x1 B
首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大,到底应该以谁为准?/ f3 x6 `' j2 t1 v/ d$ `
端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果?
" U* C& R3 A# I* x; Z为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数?
) O% s5 b4 W2 O- X4 m# m9 S此工程中的差分线是阻抗连续的,为什么TDR图中,阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的
1 ?. j' z5 `7 g' F! q5 F跳变时间不同?, A1 A7 K/ \! d* X1 A, B: M% ?
% b+ A6 T! J8 ?' K) a以下为具体设置和工程文件
0 ]2 i% W: k0 i7 ?5 `4 {5 [ `
/ U& v) e* ]; C* z: a! M
# d1 I- h \% s
" }" Y3 U5 s+ K7 c. [8 v# v# q- E; n4 c
* }) G: l4 m: h# p
" S0 t$ H" w% _% E* a6 Z; @7 G
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* h$ }+ e* c4 Y6 d1 r+ P
* N' @! h0 ^5 Z2 k, \" _, o8 s
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z7 V4 p1 U7 u, Y9 c5 O* V
& Q2 c9 s7 L$ H3 V
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+ H, ` g1 k I
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/ q1 y; U- }+ \- G8 ^6 b |
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