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本帖最后由 Quantum_ 于 2018-6-25 21:19 编辑
* |3 P; k3 C: f# S# [8 E* [3 w3 v# I# a8 W$ U$ t. V B9 y$ S
1. 第一次, 阅读SI 报告, 有如下几个问题.
0 I% X8 W& a) K! D1 ~ a. 如图所示, 其中的1T, or 2T 是什么意思. (*本人不是SI 专业)
7 i' d4 j6 q( A% j* m b. 图片2中, 所示的时间261ps 是指什么时间.$ j* a8 Y+ h; I4 u0 G$ }
c. 为何图片3中的worst case 不是261, 而是324 ps?
2 W8 m% h# c2 l6 b ]/ T$ n& u2. 通常, DDR SI 的目的是什么, 主要有哪些参数或者指标? (这里指后仿, 即PCB走线已经完成)0 U& [" ^, r* B, C; a
9 `" a5 ^: d. V6 e
3. 图片所示的Fail, 是哪个/哪些因素引起的? 该如何改进?
, w6 ~3 n0 e" P* d- C/ y1 g. b7 t% F% _ a. 是走线长度有问题吗? 长了, 还是短了?
, F: |' m D) o b. 可是, 我查看长度表格, 却是正常的范围.
/ p: H* @' A4 \ c. 另外, 如果是长度有问题, 为何U13, U14 (Fly-by在u12之后)的2个devices 却又没有问题., l# w& L3 @2 @
$ E1 a0 C8 L4 }) O( N以上,谢谢!
- W* V, o2 n9 a1 _/ @+ c. g) R7 M/ j! F. b& C
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发表于 2018-6-25 21:18
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