NRF51822 ADC检测，关机后耗电大，请做过的朋友建议

meng110928

+ |  L: T: Z& W" N% TNRF51822  ADC检测电池，原本用100K/200K分压。嵌入式觉得电压检测不准，直接改成10K/20K，那么带来了新问题，就是关机功耗大。
7 N+ z0 R" E# J3.7V/30K=123ua，51822内部也分流，导致实际关机功耗200ua+，大大超出计划，请问做过的朋友有何见解？


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超級狗

hwz2824262 发表于 2018-3-8 09:58
请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗？这样会不会烧坏MOS?

MOSFET 電晶體閘極電阻（Gate Resistance）的功用
, _- Y' p+ o2 d5 VMOSFET 電晶體會在閘極（Gate）管腳串接一顆電阻，這顆電阻被稱為閘極電阻（GateResistor），通常被標記為 Rg 或 rg。
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閘極電阻（GateResistor）的功用於防止 MOSFET 開關時產生振鈴（Ringing）現象，閘極（Gate）本身有寄生電容（Parasitic Capacitance），若閘極（Gate）的控制走線帶有過大的電感，LC 會產生振盪。

振鈴（Ringing）現象會讓 MOSFET 電晶體，處於要開不開、要關不關的異常狀態，電晶體會因此消耗不必要的功率而發燙，嚴重時可能導致電晶體過熱而燒毀。閘極電阻（GateResistor）有點類似數字電路中的阻尼電阻（DampingResistor），能衰減振鈴（Ringing）的強度，而這種設計常見於的電源供應器上的 Power MOSFET 或 IGBT 電晶體的控制電路。
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meng110928

超級狗 发表于 2018-3-7 11:31
系統如果沒耗很大的電流，電平波動幅度不大，沒有電容應該是還好，不過放是好習慣。

我昨天做试验，发现在100K/200K分压下，不放电容，ADC测量时电压塌陷0.3V，放了电容就稳定了，应该还是电容的问题。所以就好奇洋大人这个470M/470M分压不放电容，是不是算法上做了补偿优化？
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飞熊在天

采用大电阻分压，加设计跟随器解决，不能顾此失彼

理工YZ

学习了

WuJin_eOakJ

学习了

hwz2824262

超級狗 发表于 2018-3-9 21:29
狗幫模電學雜記 - MOSFET 電晶體閘極電阻的功用（繁體中文）
+ B; j3 H" r& j- K( ]7 [1 ?, w
請享用！

谢谢版主！

超級狗

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hwz2824262 发表于 2018-3-9 08:45
; ~; ^) V; F! I% E: T谢谢版主，还请版主分享资料，小白原来在台企公司工作9年，对繁体完全没问题。哈哈！

2 U% g& e0 c$ x% g; G# l8 k' p狗幫模電學雜記 - MOSFET 電晶體閘極電阻的功用（繁體中文）
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" j6 S8 I! Z* s/ o, _7 k請享用！
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hwz2824262

hwz2824262 发表于 2018-3-9 08:35
" e4 z' ]* m+ G. I/ Y9 {谢谢版主的指导，那为了保护电晶体吗，应该需要加电阻才是咯？，这个电阻的取值为100R就好？还是 ...

0 S4 [5 {7 L4 v- m- A, j$ t3 W谢谢版主，还请版主分享资料，小白原来在台企公司工作9年，对繁体完全没问题。哈哈！
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中臣

yidanshuxuexi 发表于 2018-3-6 17:15
小电容补偿IC读信号时候的电流补偿。

6 J, }8 P( i; I; G请问 小电容是如何做电流补偿的？？能不能详细解释一下，谢谢；   
5 V$ ~/ F  k+ K$ N4 r/ B% j0 S我感觉是不是因为电阻太大了，产生的白噪声有点大，才加了个小电容降噪？
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hwz2824262

超級狗 发表于 2018-3-8 20:35
MOSFET 電晶體閘極電阻（Gate Resistance）的功用
& d$ P( g2 F: F: SMOSFET 電晶體會在閘極（Gate）管腳串接一顆電阻，這 ...

/ ?: ~( A. g" m. ~" g/ W2 s谢谢版主的指导，那为了保护电晶体吗，应该需要加电阻才是咯？，这个电阻的取值为100R就好？还是有其他的推荐值，本人是小白，还请版主多指点
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超級狗

meng110928 发表于 2018-3-8 15:35
我昨天做试验，发现在100K/200K分压下，不放电容，ADC测量时电压塌陷0.3V，放了电容就稳定了，应该还是电 ...

& d/ v: `8 P4 O! a+ o: |不必太過認真，洋人給的是示意圖，不是原理圖。
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再則他也只說功能沒問題，有沒有做過詳細測試未知。
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meng110928

hwz2824262 发表于 2018-3-8 09:58
请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗？这样会不会烧坏MOS?

+ m% o' v' I3 x* C7 Q, [$ ?! r这是MOS，电压控制。

hwz2824262

超級狗 发表于 2018-3-6 21:03
系統關機後如果 VBAT 電源還存在，這樣的做法較妥當！

请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗？这样会不会烧坏MOS?
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