i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊

x1215

挨打沒死六 XD

zxk

路过，学习一下 mark

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

超級狗

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

3 k2 m+ @  r1 k, Z 走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。

如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。
" |6 K  ^, K% \# H
1 t9 X3 I: l2 h  C1 }7 w

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
' R3 M! V3 [- u
3 T/ _  p6 N; {+ ehttps://community.nxp.com/thread/365106
! J( F( ~  _" I  Q* u
2 {4 e" k4 v0 e. T

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  9 P8 `" O+ t) B, j- p% f8 D10 : LPDDR2
  & e. {/ {2 Y+ Z/ N4 Q11 : DDR3
  : x+ o! n$ f0 H9 k. H: }

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
0 {5 ~% w; [6 T7 z1 B% r3 a8 n试过，也不行

我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
. {6 E' B5 n* {; U2 I! N4 ~  |我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
# P$ ]7 A/ ]" N% }  r9 l
4 r& h% x4 D! Y6 m7 B& ]9 i- f2 r

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz
! E, i& F* r2 o2 L4 j
( N! p( m! X! ~% X6 ~7 h6 m! \ddr_mr1=0x00000000
7 w+ E9 t1 E6 f* @" X' OStart write leveling calibration...
2 ^. _5 L+ _: X" O+ ?* d8 Y  i8 Lrunning Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
5 c4 L% Y) A4 S4 [8 PWrite DQS delay result:
& U* V6 h& }1 g' ~   Write DQS0 delay: 7/256 CK
3 J( [) D5 m; c; D" \' u   Write DQS1 delay: 3/256 CK

! _* X9 Q) d. r7 H/ vStarting DQS gating calibration
9 b- q# I" ?7 f+ f! N. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
4 u% F: X0 y& v# R( F, E. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
# R" m5 V$ j+ Y5 U, v5 n. h5 d. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
7 Z1 e+ n& _& y- G3 \. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
' O8 \' c% S! g% e+ m; u- m5 Y. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
; ?6 Z  m" R8 I+ Q, ~& f" d. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
% Q. C9 Z0 {5 o0 Z1 P. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
5 A6 v- y1 A( f# j' }$ @; X2 u, _. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
( S8 H9 J* V# M  f% @$ ^. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
' n% w9 A5 g6 J5 f3 \4 z/ pdram test fails for all values.
, {* x  [# w( `' O8 I8 m" g
  W7 f0 b/ Q3 I" RError: failed during ddr calibration

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
3 q! g, }5 e0 Y; N  R% U. s/ z; T生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的
9 H* B9 d9 l, f2 H

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

试过，也不行

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz
) s! W- [% g  q. o: f; f
$ ]) L0 d2 q% l  Jddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
running Write level HW calibration
* c# W4 d6 W$ j) V: S, ^$ YWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
! I* T$ b1 a; _  `5 W* x6 S: t    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
' L5 Z/ M7 l, l4 Q/ `   Write DQS0 delay: 7/256 CK
   Write DQS1 delay: 3/256 CK

Starting DQS gating calibration
0 W, I8 O$ s3 k" X( a8 H. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
) v2 o0 X. y# y' k% U) X. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
* I3 ?  Z% v+ X0 X4 h. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
8 _7 l, v+ J7 ?- H6 ^3 l- |4 g. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
2 p  k7 T+ h+ K* i  x( Q* Z. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
/ C9 ?6 o+ D9 b% A. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
1 w/ m7 K& v" G9 q. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
- X2 t' K5 T' l* ~$ N9 O. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
- e2 u' l$ f  I, o  q- e- |4 S5 ]. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
  D" A* r& ]$ c+ n( [2 i$ o; iERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.

Error: failed during ddr calibration
0 u: v. w  u* M! S" m  ]0 u

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的