i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊
. z" [' F9 \2 l

x1215

挨打沒死六 XD

zxk

路过，学习一下 mark

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

超級狗

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
" P7 L9 W' O# b0 e$ M  `8 P" p填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

9 ]! g$ _0 y5 I( e1 A5 v" K8 B# n 走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。

; \$ N4 h3 P8 E% g7 [6 u& w2 X, C( a如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
, B8 u* M5 ]- y* B- n3 q- c
https://community.nxp.com/thread/365106

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  . g! v6 n6 s) m' g# k# V5 E10 : LPDDR2
  3 h* J( K8 i) j, v# N9 j: W2 ?11 : DDR3
  8 R% ~- z: `% V8 L: q) A

" `7 L0 M& P* [& a% X

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
试过，也不行

; s! z5 `1 V  \) J2 Q( y- @; a; c我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
; g3 l8 d2 M& K: u! [还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
" w6 ^+ b' @% z, Q! Z我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
8 S( ^2 g, U4 [/ H) E

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz

3 X5 }6 {5 W# q% f1 v9 Zddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
, L5 L; O  y0 ~2 d8 irunning Write level HW calibration
, o7 Q* z$ d5 T: _" r4 cWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
7 y0 w# d) G! e+ Y# Q0 b3 p) v    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
) x/ L6 r" F: _6 W, f) A# B: D   Write DQS0 delay: 7/256 CK
   Write DQS1 delay: 3/256 CK

7 {: \* _! i* Y* E& nStarting DQS gating calibration
( K, P' D/ n& j! Y! n) N6 L! X/ {. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
2 ^" k5 ^2 j, b2 u( |4 H' l, [. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
  a3 s" M: p4 ?& x. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
% k7 ]% `5 q' y1 t( ^2 J- |. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
8 ?& @+ b9 t( v& E5 \6 m. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
4 u. C3 H1 |- R& v0 p7 |$ p2 b) q- Q! udram test fails for all values.

Error: failed during ddr calibration
+ O" g3 o, E+ W: y% ~6 |

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
) o2 u+ B- i( P# s4 j# Y$ i生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的
8 I' ]1 j, v. s; l: y% w& d

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
. w# i( b/ |+ [! N. m1 U可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

1 a1 j- m, b2 L1 c试过，也不行
6 G7 w. i; W" v# ^

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

gwei_0210

8 g6 a6 @0 T" W/ x6 gDDR Freq: 396 MHz

' y- N7 \' f  U/ i  yddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
running Write level HW calibration
0 Y% ^, T1 B) p( B8 }Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
% y& u; u1 U6 uWrite DQS delay result:
   Write DQS0 delay: 7/256 CK
, ?  A2 B5 x1 e- r   Write DQS1 delay: 3/256 CK

Starting DQS gating calibration
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
$ m4 Y8 }. }) ?. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
7 N% U( X6 U$ i9 b. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
% q0 a: Q. l7 a6 R2 Y) a. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
7 B  B. P8 T. r5 A0 ZERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.
& r, V, \- U% r$ Q; {6 K6 P8 C
Error: failed during ddr calibration

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的