CN3762充电时烧毁MOS管

c001

" ^) R9 k' }; ?0 |; h: ?6 q如图所示，充电电流250mA左右，在充电过程中，MOS管Q5容易出现被击穿的现象（DS出现短路），请教一下是什么原因导致的？

该现象不是必现，有的板子正常，有的板子在运行一两天后就很容易出现
/ u3 [" a: J/ ?. ~- `! v. E0 B) t1 r

c001

kings9527110 发表于 2017-8-7 11:58
" u, t3 V. {' H: p. H1  拆掉Q5 上电24V测量DRV幅值是否是16~17V
2  拆掉D16 然后在该处串电流表测电流

1. 拆掉后DRV确实是16~17V
- Q+ f  S( p& b0 }7 x* S; M" r2. 不拆掉D16，测RCS两端电压为120mV，说明电流为250mA左右

c001

fyangp 发表于 2017-8-31 10:50
VDS只有30V，而L26会产生负压，所以可能会损坏Q5，你选择一个VDS更大的测试一下

0 j' M. y% I9 r  n6 Z( F谢谢！
% k8 x. j# ^) h7 L5 ?% Z问题找到了，把电阻R170换成0R，并把充电电流降低到原来的一半，就可以了...，主要是以前mos管发热太大了
: Y  Q& |$ h! f

kings9527110

c001 发表于 2017-8-7 16:04
1. 拆掉后DRV确实是16~17V
8 l3 ]4 c; ^  E. w+ o2. 不拆掉D16，测RCS两端电压为120mV，说明电流为250mA左右

0 Z5 ]2 R) D/ W/ d7 C数据看起来都是正常的，你这个应该是个buck电路，我记得buck电路没有D16，或者D16可以放在C164之后使用。
& x  s/ H6 z/ C. z

fyangp

VDS只有30V，而L26会产生负压，所以可能会损坏Q5，你选择一个VDS更大的测试一下

c001

kings9527110 发表于 2017-8-7 17:58
6 U$ v& f. b- p( G5 R数据看起来都是正常的，你这个应该是个buck电路，我记得buck电路没有D16，或者D16可以放在C164之后使用。 ...

. e3 s& k1 t/ m3 {这个电路是按照datasheet画的

kings9527110

c001 发表于 2017-8-7 11:28
6 h" ~8 m/ m. C  O, _  m换成0欧也一样会烧

1  拆掉Q5 上电24V测量DRV幅值是否是16~17V
- Y) E, L5 _# d6 t2  拆掉D16 然后在该处串电流表测电流
; I3 z1 F2 E% Y
% f( P8 a3 R' T* k* D

c001

kings9527110 发表于 2017-8-7 11:11
你的MOS管G极串的1K电阻是干嘛用的？为什么要串这么大？你把它换成50欧或者短路试试

- w! D8 R% m0 \2 x换成0欧也一样会烧

kings9527110

* ]* x; b0 M4 G" D# E5 F; S, }
你的MOS管G极串的1K电阻是干嘛用的？为什么要串这么大？你把它换成50欧或者短路试试

c001

lfc1203 发表于 2017-8-2 21:54
' s" K7 g: |: I4 R% Y4 i/ {3 U你测量一下，Vds正常工作的电压，对应SOA区，在VDS多大电压时同多大电流的时间，如果那个时间短，就会烧 ...

! t$ T; \! U. F) ]* }) L* V充电时，Vd=22V，Vs为锯齿波，最大为8V

c001

充电时，由外接电源给负载供电，此时电池只充电，不供电

lfc1203

c001 发表于 2017-8-2 09:50
' C8 u/ d5 b" w换了FDC658AP，Rds=44mR，同样会烧

你测量一下，Vds正常工作的电压，对应SOA区，在VDS多大电压时同多大电流的时间，如果那个时间短，就会烧坏MOS
' T: |! h6 D3 g9 _

c001

alias 发表于 2017-8-2 15:30
1 R  V% I. ]3 IVGS的值超过限了

CN3762手册里说，G极电压会被钳为在VIN-7V左右，所以VGS不会超过20V
- y5 i7 z3 W+ @$ ~8 C

alias

VGS的值超过限了

c001

lfc1203 发表于 2017-8-1 20:58
7 h) m( D) S- w1 s你的MOS选型不好Rds太大  你看一下mos的SOA区  如下图

换了FDC658AP，Rds=44mR，同样会烧
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