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主芯片推荐的过孔为：内径最小8mil 外径16mil 走线最小为5mil1 CLKP与CLKN为一组差分线，差分线传输线阻抗为100欧姆(并且要立体包地处理)+ [0 j6 W4 o* Q/ j+ t
采用T型的拓扑结构，在支点处接50欧姆的上拉电阻
8 G8 @3 z3 U; i! V保证分支线最短，至少小于主干线的1/2长度7 ^+ c- V: `( j- K2 b
CLKP与CLKN要严格等长，偏差范围为50mil, 长度不可以超过4000mil
8 E3 _+ M& J# r2 |8 w4 B2 DQS(Data Strobe Signal 数据选通信号)，DQSP与DQSN为差分等长线，. |. t2 N/ \ a/ U( U1 Y
严格等长控制在50mil之内，以CLK为参考，允许的走线偏差范围在500mil.
$ ?' f1 M+ B/ L5 MDQS差分阻抗要控制在100欧姆0 E9 Q8 ?4 `8 R5 W
3 DQ(0:7)走线以DQS0为标准，允许的走线偏差范围在50mil.3 h# C, p) Q1 R* p
DQ(8:15)走线以DQS1为标准，允许的走线偏差范围在50mil.+ P+ h5 n. O. N( c, G. o7 I2 _
DQ16:23)走线以DQS2为标准，允许的走线偏差范围在50mil.( T5 L/ `8 x! w7 m) H3 f2 n0 G
DQ(24:31)走线以DQS3为标准，允许的走线偏差范围在50mil.- C, ]9 Y7 n0 P
4 DM0走线以DQS0为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
9 T- W4 e* @7 d DM1走线以DQS1为标准，允许的走线偏差范围在50mil.' L+ W# O T# @2 |9 _
DM2走线以DQS2为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
/ [ u/ ?, q3 `) \1 t5 ADDR(0：14)以CLK为标准，允许的走线偏差范围在100mil.' @$ o& P" |2 n! P
6 控制信号线BA(0:2).DM,CKE,CSN,WEN,CASN,RASN,ODT以CLK为标准，允许的走线偏 / u T8 G2 O* j# @7 D
差范围在100mil.( d$ Q% ?) t$ S! ?
阻抗控制50欧姆，单端串联接33R- p+ ~9 N9 v* E. C2 s3 t( ]7 Z
请问各位大神，是DDR3的阻抗线是否要求制版厂控制阻抗，还有DDR3仿真用的是什么软件？8 P$ x' Q" P7 o8 O
+ P/ @! e& A4 K1 x$ B' o2 h9 o |
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发表于 2016-5-24 14:19
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