PMOS几个参数有点不理解

zhanweiming2014

  在选型PMOS过程中
% O3 \$ j4 s- w8 J7 ]. _1，第一份手册，
    switching parameters  一栏
% M% e& B8 T& c& v  b2 Q    ★   在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述： VGS=-10V,VDS=-15V,RL=0.82Ω，Rgen=3Ω. 这里的 Rgen是如何理解?
    ★    body diode reverse recovery time用来描述内置肖特基反应时间(IF=-18A,dI/dt=100A/us测试条件)
2，第二份手册   
    switching parameters  一栏
% g" ?; l: V4 g5 ^% p) H   ★  在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述： Vdd=-15V,ID=-15A, VGS=-10V，Rgen=6Ω.
   ★  DRain source diode forward current      -65A。 这个65A不知道如何得出这个值？
" V$ S% ^* N- o' x( h7 J
0 d% E" P# }+ q6 I" |5 B
+ b, c3 m. h$ N; k: j- S那么就有几个问题出来了
: @" N$ Z- L- R  I+ Z4 F1） 内置肖特基特性，那个参数更能反映优劣性能？个人觉得, dI/dt=100A/us
8 S0 {# s0 H- j/ T$ r! O5 f2） VDD和VDS两个电压是有差别的， 出现在手册里面，对VDS理解较容易， VDD呢？和ID关系呢？

6 [1 Y4 o6 g8 _( g& w
因为最近有几款大功率驱动需要做，所认真读了下手册，竟然很多内容不能加以理解。请高人加以指点，在此谢过！！！！

zhanweiming2014

/ N* U8 ]) x% O; D8 V/ l
这里对MOS一些参数汇总一下，算是对自己总结下
1，UGS--手册里面提到的一般是阈值，-20V~+20V，但是温度的改变，又会导致这个值得变动，且往小处变，变化系数-5mV/℃，在实际中，MOS温度达到80℃是经常的事情
2，正向传导系数yfs，这个参数我在选用中，真的考虑很少，甚至没有想到过。是这样子描述的：单位VGS变化所引起漏极电流的变  化，看到这个，再看看第一点，很快就明白了，MOS莫名其妙电流变大
3，漏极/原极导通电阻，导通电阻越大，这开启状态时损耗越大，也就是PWM信号占空比了，其实这里有两个关键字，“导通”，“开启”，用示波器观察过DS波形的人，都知道联系到这两个关键，怎么样去确定到底导通了多久，还得去仔细观察，况且这个值还会随着温度升高而增加，至于这个功耗就简单了PT=I2R(DS)
4 W- h6 P  c6 X2 o$ G/ n1 e' l2 D4，内部容量，也就是栅极，漏极，原极之间存储能量
; D5 s* G" G8 U9 W5 q  U
) v4 a% `1 W2 K% y8 ?& @ 这个参数，我也一直没有真正去考量过，只是大约估算着，输入的频率
5，内部二极管反向恢复时间
& V! r$ l; t! T  J3 [8 Y2 |
说真的，这个参数，在我心里好像是一个魔术，知道这么回事，却不知道如何去贴近实际理解6，连续漏极电流
$ k$ @8 I* b' d9 Y  ^1 C定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数
( i1 q' E6 N4 F0 H) N8 `, d4 ~PD=ID(2)R(DSON)

以上参数都是，网上摘录下来的。只是加入些个人理解

( I% i" i. f6 D; @- Y

zhanweiming2014

( l5 Y4 W; K6 v- v0 g
6，Ciss ：输入电容
将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电至一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
2 ~2 k1 I% @- x! S8 s/ L7，Coss ：输出电容
将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用，Coss非常重要，因为它可能引起电路的谐振
8，Crss ：反向传输电容
) r9 g& Z2 c  Y; e在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd，反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
! l& \% L0 t' @以上三个参数，与实际应用计算却不知道了，有待....

zhanweiming2014

我总结一下，这几个月我使用PMOS经历
1，RDS不仅仅决定了功耗，还有输入电容
" m3 X* q& I, Y8 q/ E* }# t    一开始选择MOS时候，我差不多都是以RDS为标准，当然是在电压和电流满足前提下，可是后来选用了一款RDS很低的MOS ,测量发现，功耗并没有减少，然后仔细一看，发现Ciss要比之前的大很多
3 z- K% U+ o# T# H& T3 r6 q2，通常情况下，电流特性相对于电压特性，更重要些，当然是针对DC低压供电情况
3，负载的匹配，太重要了，可是一直是靠着实验方式去验证，比较费劲，效果也不错
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0 E/ ]" Z" U+ q, \7 g0 c) v( W7 |  现在也有些问题，一直模糊着
* L8 ]9 h5 O2 o) J- Y' E6 H 1，MOS功耗是由RDS和开关频率共同决定的，至少对我的感性负载是这样子，且有些杂散的波形，这之间关系如何去调配，当然是理论前提
* x; v9 w2 P6 N0 D3 v3 V2，负载匹配，我一直都是按照谐振频点去靠近，当然最后是实验，我不知道实际工程，是否有更加可靠的计算方式

fallen

超人会1飞 发表于 2015-12-10 15:01
恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻，但是据我所知，G的输入电阻应该在兆欧级别

3 J$ W( [; j3 H( }: e. N9 _7 t那是测试的时候外加在G上面的串联电阻。
& w% p$ C# i, x9 D; I0 u5 B: |你所说的是G的输入电阻。
两者概念不一样。

超人会1飞

fallen 发表于 2015-12-2 17:21
Rgen是串联在GATE的那个电阻。
65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
+ X- J/ i& p2 r! mVDD通常代表器件的对GND的 ...

恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻，但是据我所知，G的输入电阻应该在兆欧级别
$ v! ^: Q8 }3 c, p; d: Y2 _- x. g

zhanweiming2014

zhanweiming2014 发表于 2015-12-5 09:29
6，Ciss ：输入电容
将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容C ...

场效应管的源极、漏极和栅极之间都存在寄生电容，分别用CDS、CGS和CGD，这三个电容影响场效应管的开关频率。
6 a- i" j9 B& A! N) k3 M9 \. r这三个电容与输入电容Ciss、输出电容器Coss以及反馈电容Crss有如下的关系。
' E- n5 C3 `4 p0 ~( u/ tCiss=CGS+CGD
; \/ c- I: P) |Coss=CDS+CGD
Crss=CGD
+ c1 J2 Q" G& o2 s; t

xxzhu163

赞一个！我感觉很多运用中，根本没有理解也没有认真去看这些参数的。只有真正的高手，才会去关注这些参数，他们设计出来的电路也更加稳定。

zhanweiming2014

  A9 `6 P4 u* V* }2 L1 M热阻，我在实际工作中，很少仔细计算过这个，一般是由散热器，仿真分析散热
8 e3 R9 Z4 z( N, n4 t9 i

/ f+ e1 b! G7 u0 E) kRDS(on)是指在特定的漏电流（通常为ID电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。这是来自互联网解释，不知对错了

zhanweiming2014

$ g% s. h( R2 y; z* h2 H
一开始使用MOS时候，第一时间想到的是，额定电压，额定电流，RDS，三个参数，其它参数都是“走马观花”式的，随着应用越来越多，功率越来越大，渐渐关注了其它参数，
5 z$ a# _6 k3 y& z4 T第一时间反映过来的是，功耗。粗若估计，发现电源应用效率偏低，也就考虑到了MOS上面。
; ~1 R. V' c# G

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-4 10:25
释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导 ...

( ]" m( t+ W: i; }5 K5 l5 h- q    哦，这里我把体二极管看成是，内置二极管。的确实感性负载

超級狗

關於 UIS（Unclamped Inductive Switching）測試，請考 JEDEC JESD24-5 規範內容。
, C$ x  x; J3 k( M. v* X
$ o; ^4 U$ r# O
, c8 [' x8 ?, o" b7 v3 F% n

超級狗

# Y; w6 e1 x, s7 z$ v
R_gen 的作用是 MOS 管在做開關測試時，需要產生上升（Rising）或下降（Falling）時間。

0 K- j" ?. Q2 O$ n( l5 `3 u" S: O- B由於不同型號的 MOS 管，被設計出來時的寄生電容（Parasitic Capacitance）都不一樣，所以 R_gen 搭配脈波產生器（Pulse Generator）的值各有不同。芯片資料只是告訴你，做此項測試時所搭配的電阻值大小。
/ X# C- G! X7 [% m( P; A
4 p7 |: e6 E8 G% F: p/ P; X6 T* g- B1 D
9 A$ Y. E/ q& T5 p& v, t% m

fallen

zhanweiming2014 发表于 2015-12-4 09:19
% I8 M; T0 p: i# L5 Q9 J4 b  U还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来，是有两个意思
4 F7 C- l9 F  Y9 V
1，这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭 ...

! _. t2 Z# E0 M释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导致的。
' m4 {4 X0 l  o% c5 I; B如果看开关频率的关系，应该是要看反相回复时间。

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-2 18:28
SORRY,那个65A的话我收回，我看错了，我以为是D-S的电流，原来是体二极管的正向电流。
8 C. X  j7 r# z: d8 }/ P) k里面体二极管的正 ...

8 q) C6 G" u0 S' y3 F( I    还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来，是有两个意思

8 u+ S6 O) A" K  S. f1，这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭时能量，为什么使用平均电流？

2，由于开关频率关系，按理说，我需要的是di/dt这个斜率才对