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DDR2/3设计疑问

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发表于 2015-10-13 11:48 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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x
最近在学习DDR2/3的设计,遇到了些疑问,还希望热心的网友帮忙回答:
, [! z3 I9 H+ B- Q- M4 p5 ]" o1、fly_by拓扑结构中,地址时钟命令等走线需要上拉端接电阻改善信号完整性
6 q0 c  h/ a7 p( R2 x* C/ M     疑问是:地址命令等端接电阻上拉到VTT=0.75V,然后时钟CLK通过电阻电容耦合到VCC_1V5?
) P9 l5 t# F  D1 C) Z                   为什么这两种端接上拉电压会不一样?/ G" i" I; q9 I. S! I

/ t7 x/ h; ^, }1 j: l2、假设在实际应用中我只有一个DDR2/3,那么意味着是不是可以可以直接点到点的拓扑就好,不需要端接上拉电阻了?
; K& O- T/ H4 \6 Z, ]% x& T, W. Y6 p6 \6 ~# _6 g1 p
以上。
6 @/ B, x8 g/ {7 }( ?! F( f0 }2 k) r& H0 ?- u* e  P
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发表于 2015-10-18 23:29 | 只看该作者
wangshilei 发表于 2015-10-13 16:548 r9 J6 M/ A6 D; J7 a2 o
我做的有端接电阻的全是在DDR2 上,  在DDR3上一般无排组。  启用ODT功能
% [! h  \% c/ x: |
也就是地址/控制/命令信号会加末端匹配。数据的使用ODT
. \% S( D3 o, @( P! _4 P; |

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 楼主| 发表于 2015-10-14 13:59 | 只看该作者
wangshilei 发表于 2015-10-13 16:548 r, r, A7 B6 u  X7 i8 F. T1 i
我做的有端接电阻的全是在DDR2 上,  在DDR3上一般无排组。  启用ODT功能

+ p! g4 r4 o  A& ~谢谢 wangshilei。% V! U$ n% Z1 u% N/ m' H+ b
问一下你的DDR2的是采用星型拓扑吗?通常一般是有几个DDR2。" u! ?' j5 u# f& H; e
/ T. V. u2 R* Q% A' p& ^) H8 |

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发表于 2015-10-13 16:54 | 只看该作者
我做的有端接电阻的全是在DDR2 上,  在DDR3上一般无排组。  启用ODT功能

点评

也就是地址/控制/命令信号会加末端匹配。数据的使用ODT  详情 回复 发表于 2015-10-18 23:29
谢谢 wangshilei。 问一下你的DDR2的是采用星型拓扑吗?通常一般是有几个DDR2。  详情 回复 发表于 2015-10-14 13:59

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 楼主| 发表于 2015-10-13 15:19 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-10-13 13:16
4 p3 M% B2 l  H5 X/ f: P可以。但是要看看是否满足你的信号完整性,比如电气特性、时序。

3 L/ q9 @9 N/ @3 |谢谢。( U6 e% T, C3 S& R
我觉得还是要学会仿真才行,只有得到量化的数据了就不会担心这个担心那个了。* _6 H5 p" B! c* f2 q9 d6 A9 y

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 楼主| 发表于 2015-10-13 15:18 | 只看该作者
阿斯兰 发表于 2015-10-13 13:42
+ K+ e% [5 V6 ], n这种情况得看你的DDR手册和给的参考设计,不同厂家的DDR会有不同要求,总体原理是一样的
) s) i" a$ k8 M/ v8 b上拉电压不一样, ...

8 R4 i, _$ x* V- Z# J0 k谢谢 阿斯兰。好的,我去看看有没有类似的I/O端口等效电路,看看是否能够找到合理的解释。谢谢!% b7 s* {8 s2 g) Z5 i, ~

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 楼主| 发表于 2015-10-13 15:16 | 只看该作者
flywinder 发表于 2015-10-13 14:36
- O" ~) R4 b8 L0 s按照参考设计来做不会有问题

, |$ s* _1 c' n* _0 X' B7 |$ D谢谢flywinder。
1 W* `+ Z( [; d目前手头上面没有参考设计,如果有,也不会想这么些问题了。
% h3 k3 b; q; {! M2 y

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发表于 2015-10-13 14:36 | 只看该作者
按照参考设计来做不会有问题

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谢谢flywinder。 目前手头上面没有参考设计,如果有,也不会想这么些问题了。  详情 回复 发表于 2015-10-13 15:16
听党指挥,能打胜仗,作风优良

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发表于 2015-10-13 13:42 | 只看该作者
本帖最后由 阿斯兰 于 2015-10-13 13:43 编辑 9 Y: H+ S: P3 \' a

8 I3 f6 F- `, D" `0 g3 }这种情况得看你的DDR手册和给的参考设计,不同厂家的DDR会有不同要求,总体原理是一样的! t) O& @" x3 C: N5 Z# C7 Y8 |
上拉电压不一样,看下端口的定义,会有解释的
; G) w) h- _! l1 t单个器件也是需要上拉的: f2 B1 u5 D' ^& p5 f
& @( b/ @) _' w2 x+ a+ x" k

点评

谢谢 阿斯兰。好的,我去看看有没有类似的I/O端口等效电路,看看是否能够找到合理的解释。谢谢!  详情 回复 发表于 2015-10-13 15:18

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发表于 2015-10-13 13:16 | 只看该作者
可以。但是要看看是否满足你的信号完整性,比如电气特性、时序。

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谢谢。 我觉得还是要学会仿真才行,只有得到量化的数据了就不会担心这个担心那个了。  详情 回复 发表于 2015-10-13 15:19

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 楼主| 发表于 2015-10-13 13:04 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-10-13 12:44, _0 T* u; Q2 K7 I; N5 P
是否需要端接要看你的具体设计,如果是点对点的,很多时候是不需要端接的。对于上拉到0.75V,这个问题主要 ...
3 n. y. S2 l2 S& l
谢谢菩提老树。也就是可以理解为假设具体设计为ARM+DDR2(单颗),那么对于地址命令等在设计时采用点对点拓扑就好,可以这样吗?如果不可以需要从芯片手册中确认哪些信息才可以这样做呢?: D7 H5 y' b  y1 j( Z7 U& ~) l

. B  \# v- y( I3 N4 C* ^

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发表于 2015-10-13 12:44 | 只看该作者
是否需要端接要看你的具体设计,如果是点对点的,很多时候是不需要端接的。对于上拉到0.75V,这个问题主要是由于你的总线和芯片设计的原因。

点评

谢谢菩提老树。也就是可以理解为假设具体设计为ARM+DDR2(单颗),那么对于地址命令等在设计时采用点对点拓扑就好,可以这样吗?如果不可以需要从芯片手册中确认哪些信息才可以这样做呢?  详情 回复 发表于 2015-10-13 13:04
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