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上电冲击电流的抑制

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发表于 2015-6-15 11:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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    电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
    为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
    问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
    请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?
% ~$ w" q! n8 ^9 ^" Z7 G& A
    谢谢!
& U2 v( L/ Q  {
0 f1 S1 v# X, w( D# h% U

上电冲击电流.png (106.09 KB, 下载次数: 1)

上电冲击电流.png
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 楼主| 发表于 2015-7-1 11:15 | 只看该作者
CStaller 发表于 2015-6-26 18:36
$ g! l1 O6 S% Z) W  A我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。
9 ]+ x& `1 F6 k- n4 K! s具体参数可以仿真一下,或者试一下
1 T1 J9 o5 D  F
使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。
# l+ ~4 K7 H' f4 s( @, i$ N# j9 q2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。  k% w: t& e2 D; l* U
所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。
9 s! E4 h0 w+ S* B& ?
' W" V  v. W. [/ F+ V# `- V6 H& P  }+ H* J- S2 u

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 楼主| 发表于 2015-6-23 09:56 | 只看该作者
斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:37' L* x6 H" g6 _" ^% ?
使用软启动应该可以的吧,管子2 3脚并联启动电阻。

$ ^+ M+ Z9 v2 @- F$ n  o& h  i电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。0 R, J3 O! n/ ^0 F
电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。: I" A1 T( M( B, u  F; S  f" E
这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。3 _. O- Y8 }1 |9 E; A  f6 n9 J7 B2 ~5 c1 Z
后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。
( W( Z5 F/ M3 N. `. K* Y" Y4 _, H0 u* F

; @- Y9 l$ _- I4 p/ t- H$ o/ g

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估计你加电感太小了  详情 回复 发表于 2015-6-24 14:06

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 楼主| 发表于 2015-6-15 17:20 | 只看该作者
cmg227 发表于 2015-6-15 16:31, T& D: H0 |4 f
为什么是N管呢,你确定能完全打开?
1 _3 V: C9 n  d3 |) `$ i/ Z4 w8 W5 t) n
G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。& j$ Q( t! h4 ~) k
之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。
% c" I. F/ y9 {7 e

$ k$ o7 ]! g8 [" Q8 L% P& F' V

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哦 又学了一点呢 谢谢  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:22

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发表于 2015-8-17 14:33 | 只看该作者
PTC  电阻来解决

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发表于 2015-8-15 20:09 | 只看该作者
上次用稳压电源测的,一个220uF的电容上电冲击电流最大多到了40/50A,不过我用的是48V转15V电路,前面接了个50欧的2512电阻。  也有48V的并联电容不多他上电冲击抑制。

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发表于 2015-7-21 22:29 | 只看该作者
串电感呗
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发表于 2015-7-20 17:20 | 只看该作者
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发表于 2015-7-13 11:22 | 只看该作者
在NMOS前面串电感试试
听党指挥,能打胜仗,作风优良

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发表于 2015-7-13 11:12 | 只看该作者
在管子两端并联一个电阻,较合适的电阻规格500ohm/5w;这样可以避免你说的问题;或者可以加个限流支路,限制无功充电电流。

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发表于 2015-6-30 15:38 | 只看该作者
串聯電感是最好的選擇,但是要試驗感值大小。 buck電路就是利用電感限流;

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发表于 2015-6-26 18:36 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-26 11:238 W) Y0 x* U' Y; u) w
那应该怎么选择电感呢?一般需要选择多大的电感?
: J' v  Z. I. v: S6 F# ~, q受单板空间的限制,电感的体积不能太大。
8 {. Y1 j" M- w3 t7 A, N
我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。, \: c/ H3 \9 l+ d
具体参数可以仿真一下,或者试一下
$ W) o* U* s3 T

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使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。 2  详情 回复 发表于 2015-7-1 11:15

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 楼主| 发表于 2015-6-26 11:23 | 只看该作者
CStaller 发表于 2015-6-24 14:06( x) `' S1 {8 O7 A1 B
估计你加电感太小了,要仔细看电感参数,不要饱和了
- {/ d8 H7 G$ Y/ [: g9 E3 U6 Z
那应该怎么选择电感呢?一般需要选择多大的电感?1 ?' M/ r$ S8 _$ }# _6 t! f
受单板空间的限制,电感的体积不能太大。% ^! S/ ~3 W, ^9 F3 P# ^8 b5 l

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我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。 具体参数可以仿真一下,或者试一下  详情 回复 发表于 2015-6-26 18:36

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 楼主| 发表于 2015-6-26 11:22 | 只看该作者
斯坦隆平 发表于 2015-6-26 08:41
7 w3 P& }/ ^* e9 M% L! u$ r对应用有影响吗,这应该是正常情况
/ k& Q7 X. \! y9 I' s6 E) i% |6 X
有影响,电路要求有电流检测和过流保护功能,上电时的冲击电流,会导致电路误保护和过流告警。
1 Z) a3 ]# T' f4 v6 x5 y
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发表于 2015-6-26 08:41 | 只看该作者
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光辉 发表于 2015-6-23 09:561 A. r& g  q6 c, @2 j  b$ C
电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。+ ^! J9 Y* Y) A4 a9 c
电路的后级通过连接器直 ...
$ B0 Q' L  g) t- c6 M- f
估计你加电感太小了,要仔细看电感参数,不要饱和了
- {! [: @* _4 T7 u( H

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那应该怎么选择电感呢?一般需要选择多大的电感? 受单板空间的限制,电感的体积不能太大。  详情 回复 发表于 2015-6-26 11:23
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