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上电冲击电流的抑制

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发表于 2015-6-15 11:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
    为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
    问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
    请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?

# u7 {, Z$ ]5 a- I
    谢谢!
9 U9 I) N3 |& T3 J2 s% ]
1 b- H4 j* q" ~: ^; [% ^

上电冲击电流.png (106.09 KB, 下载次数: 1)

上电冲击电流.png
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 楼主| 发表于 2015-7-1 11:15 | 只看该作者
CStaller 发表于 2015-6-26 18:36
% @; B# T) X: w1 S  ^# }) @: a9 _6 X我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。6 B' ]6 s* G$ m# r" W+ u( k
具体参数可以仿真一下,或者试一下
: s7 |' c3 N6 X- [# \0 N7 |& O
使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。
/ h$ b: k) A& L6 t& j* @( M2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。0 S0 O& g& G4 Y+ d( w& V2 i& V
所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。
1 @% o) C8 W* F5 {& x% }# W7 c3 U2 F
$ W7 H+ ]" C8 o5 I4 [

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 楼主| 发表于 2015-6-23 09:56 | 只看该作者
斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:37/ S# _" X! _3 P2 B# Z9 ]
使用软启动应该可以的吧,管子2 3脚并联启动电阻。

% e- I, O- V3 h5 F' @电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。0 C/ k# N8 m) s+ R5 w! V
电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。4 ~9 I9 M1 Y: W7 e* [
这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。: V& n6 b2 o( w  |9 J5 |
后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。/ ]; z, }: c4 |+ Z5 G7 c: N! h
% K/ S  V5 ^1 v0 k

- ?/ j) B* N5 t

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估计你加电感太小了  详情 回复 发表于 2015-6-24 14:06

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 楼主| 发表于 2015-6-15 17:20 | 只看该作者
cmg227 发表于 2015-6-15 16:31
; f" t- E  e: d1 K, {2 ]为什么是N管呢,你确定能完全打开?

; [4 T; t# g$ f- y( Q! RG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。& ?& H3 n. P  t# h- J. F0 E3 n9 h
之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。

3 r8 ~3 @7 S4 |: G$ ]
2 G5 k! r, k* q. c3 v# c, {

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哦 又学了一点呢 谢谢  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:22

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发表于 2015-6-15 11:34 | 只看该作者
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冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过  详情 回复 发表于 2015-6-19 20:59
在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。  详情 回复 发表于 2015-6-15 14:46

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 楼主| 发表于 2015-6-15 14:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34
  Y9 |  x/ e0 i3 Q串联电感

  E1 i% i6 E, E在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。+ w+ j( D. ]3 G0 i) V8 q2 o! s

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串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。 你再找高手问问吧。  详情 回复 发表于 2015-6-16 09:55

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发表于 2015-6-15 16:31 | 只看该作者
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

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G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。[/backcolor] 之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:20

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发表于 2015-6-15 17:22 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 17:20
- ~( r; R+ k* u8 ?+ B5 X) aG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。8 k( C5 p* P- _* B2 B
之所以选择NOMS,而不 ...
0 Q8 g0 w" `; m$ @4 `8 {& {' ]
哦 又学了一点呢 谢谢% ?/ w5 m8 I( G. J8 _

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发表于 2015-6-16 09:55 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 14:46
7 ]+ p+ w  I3 l( L4 g在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。

' Q6 i& \* a' m' A4 m串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。; x5 A: S) g& T7 ~, }& j/ z( b, q
你再找高手问问吧。# M' t, g0 g1 C4 {* P6 {' S' t" c

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发表于 2015-6-16 17:48 | 只看该作者
你带容性负载当然有冲击电流啦,电容电压不能突变,电流能突变# k6 f5 S3 o0 }. ]

/ {6 c1 Z& f6 I. W5 r) s不怕功耗浪费可以考虑串个大功率小电阻
! n! A. ?2 N8 `! ?, S

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发表于 2015-6-16 20:49 | 只看该作者
延迟打开试试

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发表于 2015-6-18 13:53 | 只看该作者
你这个电路感觉像一个BOOST电路了,你看看bost电路的电感电容的配置

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发表于 2015-6-18 17:02 | 只看该作者
#8  is good answer., V* b- B0 H4 c; }  V
Surge current is due to the capacitor load be charged at MOS turn on edge.& i" E4 J7 _* }. V( d5 U
A resistor limits the surge current peak but consume power at ON stage.

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发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34
6 D6 g" i' z  x# R7 Y串联电感
0 N; @9 Z" R1 A) e
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过7 }5 R1 P  P0 h! F7 K

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恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:52

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发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

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不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:53

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myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59
9 d1 |$ c2 S! t冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
, n7 E# u2 C8 _
恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。
# [4 W% W) c& q$ V' Q( \9 F5 s1 ?2 G, }/ _9 A( s
' J$ s: q) o& x+ A$ s- M
. E2 e2 V9 E' Y9 v) ]- f2 V

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myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59
9 Z$ u: N3 K/ c楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

: h  C- }1 e" [7 ^+ z# t9 T5 \- V不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。
' C* j. C1 \; y

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容性负载,这个冲击能消除?  详情 回复 发表于 2015-6-20 18:06
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