Q 求助MOS管充电原理

tianpu0501

求助MOS管充电原理
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jacklee_47pn

Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電

當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。
: O8 f/ E+ Y2 @# D+ z當DC_IN消失的時候，Q4導通，Q2+Q3 關閉。

liangkai520

Q1呢

tianpu0501

jacklee_47pn 发表于 2015-6-2 15:34
& G, m  Y; V5 @3 u增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會 ...

9 `4 N5 i) D# }" b非常感谢！说得很详细。
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jacklee_47pn

tianpu0501 发表于 2015-6-2 13:59
: j# h  K& l  o, L: }: ?8 O" g, J4 FQ2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G

增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會產生寄生二極管，造成使用上有單方向漏電(或說是保護MOS管)。

. l# {& i2 n7 x" ]+ Y; D/ b

當交換D和S的時候，在設定MOS管偏為壓導通的狀況下，Rds(ON)壓降會遠小於寄生二極管VF。在MOS管偏壓為截止的狀況下，會有漏電的存在(VF壓差) 。

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tianpu0501

jacklee_47pn 发表于 2015-5-29 18:36
Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電

當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。

Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G<S才能导通两个S级连在一起，电流怎么流的？