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求助电路图MOS的作用

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发表于 2015-3-17 12:11 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 tlyyy1314 于 2015-3-17 13:17 编辑
) H$ I! Q# q% D, X; G" M1 c' p2 a5 i6 ?
1、电路中的MOS的作用,是如何导通的。
$ J+ U& _& z2 T% e0 `, i2、电容C387的作用?
8 n( w5 S7 d+ q% x$ j, B
& v! z8 \) ]7 b: k% `  F8 V9 y7 f: Z- |' `2 o$ d
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发表于 2015-3-17 20:48 | 只看该作者
本帖最后由 yangcanhui07 于 2015-3-17 20:50 编辑 * V2 Z% f8 c: F& I8 {
$ ^1 e4 }* X1 n; J! f9 h
C387的用途,当然是为了软启动,减缓上升沿,不过,增加缓启动的原因一般有两种情况:% \" ?; e1 O/ K: k7 n; u- I
第一种情况是开关后面的负载在启动瞬间会从电源吸收一个大电流(浪涌电流?有些器件如LCD会明确标识出这个参数并附上测试条件,测试原理图和测试结果),由于开关电源的动态响应特性和电流补给是需要一个时间的,这个浪涌电流轻则在电源上产生一个小尖峰(举例如见下图),严重的,浪涌电流如果超过开关管的current Limit会使得开关电源暂时性保护(电压瞬间跌落较多).从这个电源动态特性图基本上可以看出,电流从0增加到3A,只在电源上产生了100mV左右的尖峰,并且在200us以内重新恢复正常.应该说这颗电源芯片的性能还是不错的.如果说在3.3V上产生100mV的尖峰不算多大个事,把这个电压换成1.1VCPU内核供电,可能谁也不敢忽视了.所以,在接通或断开大电流负载时,尽可能让负载电流平滑.个人的经验值是1ms,仅供参考.注意这个时间不宜过长,否则会引起负载时序紊乱或上电异常" m2 Q3 u% z  `. ~; W% ^- d5 s
c:\电源动态特性.JPG) P, w2 M* y% W" }/ h5 g
第二种需要缓启动的情况,负载电流并不大,但是开关管后面有个大电容!这个问题相比第一种情况产生的后果更严重.举个例子,假设一个3.3V主开关电源滤波电容是10UF,后面接一个MOS开关,开关后面接一个电容容量也是10UF,那么,当开关打开瞬间,如果你有示波器,你会发现,电压直线下降一半,然后再逐步上升重新回到3.3V.为什么会直接下降一半?因为开关打开的时候,就相当于把一个充了3.3V的10UF电容跟一个没有充电的10UF电容直接并在一起,结果就是两个电容都只有一半电压了....然后,悲剧发生了,系统复位了--不复位那才叫怪呢.# s0 O# r6 \* Q1 k
看起来楼主的图上这两种情况都存在,虽然只是充电电路,而不是内核或主电源,从设计角度来说,减小冲击是对的,因为电源入口产生的尖峰也同样会转移到各路输出端,只是幅度会有所减弱而已.
+ @2 A9 N- F3 H; a" m

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电源动态特性.JPG

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高手!  详情 回复 发表于 2015-3-18 21:21
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图文并茂!  发表于 2015-3-17 21:18

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发表于 2015-3-19 08:50 | 只看该作者
yangcanhui07分析的比较详细,

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发表于 2015-3-18 21:21 来自手机 | 只看该作者
yangcanhui07 发表于 2015-3-17 20:48
$ E' v3 L! C: R; a" {8 YC387的用途,当然是为了软启动,减缓上升沿,不过,增加缓启动的原因一般有两种情况:- X+ U% E! m6 D3 f
第一种情况是开关后面的 ...

8 w, J1 `' |6 P高手!

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 楼主| 发表于 2015-3-18 19:03 | 只看该作者
感谢各位的回答

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发表于 2015-3-17 22:00 | 只看该作者
正解,PMOS是开关,OTG_ID控制开关的导通,电容和电阻一起是为了缓冲

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发表于 2015-3-17 17:46 | 只看该作者
电容作用就是充放电功能,就在VBU0上电是,R42为C378充电,Pmos 就会在充电时导通,

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发表于 2015-3-17 16:52 | 只看该作者
MOS作用——开关4 M/ w! C, }2 l) m. ]+ Z
OTG-ID为高的时候,Q17导通,Q32的G极低于VBUS,Q32开通。
- ]6 j, g3 g* i: G$ fOTG-ID为高的时候,Q17关闭,Q32的G极等于VBUS,Q32关断。2 n. X0 I4 T3 z: w
为什么能开通,请查阅PMOS的特性。4 i1 `1 ]8 O4 n3 Z* I$ S
不要痴迷于阅读成功人士的传记,从中寻找经验,这些书大部分经过了精致的包装,没有人会随随便便成功。更不要痴迷哥,哥还没成功!

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发表于 2015-3-17 13:53 | 只看该作者
tlyyy1314 发表于 2015-3-17 13:117 G5 s# n( c# m  f5 y7 h3 x
C387

: W) n5 c# D, y% h% NC387就是增大GS的电容,跟GS电容并联目的就是软启动,减缓上升沿,降低器件的应力。8 q1 {1 _6 e/ r/ e( Y' ]* j

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发表于 2015-3-17 13:47 | 只看该作者
C387用来延迟Q32的导通与关断,拿个软件仿真一下就知道了

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 楼主| 发表于 2015-3-17 13:11 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-3-17 12:55
  M+ W3 E; c. |+ S$ [不就一开关电路么,7 B, G  _7 X3 {9 S
另外C462在哪里?
5 d  D# G# n4 p( u$ S9 P6 f# R
C3875 M/ d0 `  ^, Z) h8 z

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C387就是增大GS的电容,跟GS电容并联目的就是软启动,减缓上升沿,降低器件的应力。  详情 回复 发表于 2015-3-17 13:53

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 楼主| 发表于 2015-3-17 13:11 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-17 12:592 T4 Y% x" B* A6 Z
PMOS管:OTG-ID置低时,三极管导通;对于mos,此时Vgs小于0V或者说阈值,MOS打开。电容?位号没看到

  S: U0 i- E7 U  V电容标错了  是那个C387* O3 E& q7 R+ h5 d' l

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发表于 2015-3-17 12:59 | 只看该作者
PMOS管:OTG-ID置低时,三极管导通;对于mos,此时Vgs小于0V或者说阈值,MOS打开。电容?位号没看到
4 J! R# {1 v; G. S+ N% ^& O$ r

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电容标错了 是那个C387  详情 回复 发表于 2015-3-17 13:11

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发表于 2015-3-17 12:55 | 只看该作者
不就一开关电路么,
, Y( V! p; T! r; J" V, t! ~5 Z另外C462在哪里?

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C387  详情 回复 发表于 2015-3-17 13:11
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