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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑
( C6 f9 l! E5 d0 h0 y; g; ~, Z( `, I
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应

( m2 |/ L) V$ U
' g/ `& ^, V8 g7 Q8 T# }& r5 |

  [% I- [! ]  ]4 }! u
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
+ Z( M% m1 z' _" N: v) f& l

7 j0 s9 F* F$ |# l4 A
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨

1 \; ^" ]% K! l
6 c4 ~/ f, ?$ W; J
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

* M% z5 d, m% s# j
, H  x$ a7 x) h5 N

- w' ^2 {; e) Z8 Z) ^7 \& |& d
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
# j5 Z( N) C& O! T! D
" C" [5 b1 a- b$ S8 H" |9 f2 H
1 W) G/ t8 }% ~- Q7 G
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
1 g! |7 |) _, u, e6 E' R! ?, k# T

  {0 ^. F8 t" d" X/ N! l
5 S; C6 l( o6 q+ L$ Q3 V, o- S

/ Y$ @* o/ ?# {. f3 Y7 A6 @
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流* ]2 ?: k8 E/ a& H5 E4 d" `) a: m
4 X+ |* u& g5 I: _9 Y- ?! w; b

8 G2 p( g0 J+ z: ~7 Z8 o1 V
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)

) g, L+ `' U4 R% M0 w2 ~  i
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
0 T" J) |7 @; k
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

( |) U1 ~: G/ n, _% Y7 r

+ c; }# U! Y. x, @' p5 s7 C/ E

4 o3 A! @- z: P4 S1 z7 I% J
这是为什么呢? + g5 a; s( y$ H# ?% J9 G
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,! l+ F# {. [; P1 w* n* h% J7 N
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
# {: G$ p& P: i- `: c3 b" Z* d; E
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
0 x+ c7 h8 ?# M3 @! ?, J
6 b" Z. R3 R9 _( D+ M: P. M5 \
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :
- d% ]1 B$ s; Q- ~5 O, Y

$ ~4 N) c8 k" }: r) P) [

7 T4 N- R' Q! K) y. Q2 k- r4 W
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

" i: D$ U% ^; s: o* u2 L( W
5 b9 w+ B" l( E* W- q" @
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
! z% [$ }. b/ A
! c- m; S7 C$ p+ M5 l- @6 B

, V+ V  v' B: m+ G
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

8 F- d7 K: I: q/ v

; M8 a( {2 u9 _3 ]/ x8 ^, J" o
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :

) _6 c% R( _' O8 P
# {# T1 K; c/ k8 a* u: c: e
' [2 {. c) v  p- A6 {" Z
而当电压极低时,其Cgd会变大。

6 K. ]4 |2 ^2 M) ^
                        
6 r; s& e1 ^6 {$ R% B9 O& O
/ s7 {% ^/ y; z9 c
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差4 ~( n% \- Z2 V6 e5 M

4 K; H( H" `5 M2 Q' d+ O' ~: O% `# c3 M/ d2 w
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
4 V% Y! H: E) R' l' U! a6 }

1 |% i$ `$ V, G, n5 Y

8 c0 S4 H: ~" B( f/ S# ]
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
- Y4 Z* _8 f0 F1 ^5 Y5 x; F
3 i* X! j4 ?6 Q; n- \5 h/ \
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下3 r1 Y0 k0 {# f

" |, }/ r  j5 O3 }+ a  c4 f* l/ x) t4 N0 {# O, h
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :

# n7 b5 g8 _/ }+ C/ F8 O; Z

) x( W3 t2 @; d
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
/ o. }& C6 i# Z& @* t! N

# _! F9 h  `. X4 j

; h: n0 a% x4 G: i
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :
5 P, n7 m4 B' y# k

; ~9 z( F3 N5 S1 m4 D# o" m
我们作以下6个实验
2 M  t8 s& A0 B7 j% ?5 [3 r) l
# d5 ?8 I* B* l- n6 k7 ?% Y+ P* X

2 h, ~' M7 |  n7 [8 v
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大

) S% k  h' d6 {
. l* N: v! d+ K. E: r/ v& j, V

5 H4 B" \1 N4 h' ^3 a* E# K
) J  G$ L6 e3 e1 c# _- i
9 h9 U" p6 m0 E6 x6 b8 F" k1 _0 k: Y  y, Q; e: L
, B4 Z% ?+ {8 \

& N- U" f0 t) Z6 e# `* N6 \& o
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用

% k- E0 v4 A- k' u3 X9 m
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化
7 c/ Q+ I+ v$ |7 G5 A: B4 [) r; E7 t5 H) y( J( z
& q7 ?: p& S' `9 d6 \
6 D  G, |9 I) V  P6 c3 K5 T

' |0 L; R) t5 ^# V/ P
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise
7 n1 U) T0 q) K5 v) Q9 |, r0 N

# r9 Y3 ^# Z& h1 D6 ^3 _' C+ s* T) Y& J% [. p+ h% b( I  {: `& ~2 A

# l* {  N: W: `; U7 ]. k% o& B) K
其他详细原理   可参照  * Q. W: k1 c* _8 s. }
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ... ; }3 n$ u* M8 l
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  
9 _6 l  N: r' q! m0 r4 zEDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
& n: E% u& A  P' j& O( P% E射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析2 Y( e! }# g6 F6 Y0 g$ [
1 l4 U( z- r2 b5 G- \
  在此就不赘述
. @' `- h2 H2 a+ x  K. L
) K% ]6 n% s0 d. z% j2 g

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好资料,谢谢楼主分享

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发表于 2017-3-23 17:09 | 只看该作者
好资料谢谢

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