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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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x
   在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。
7 B( P. F3 M6 O- @* m8 B' C   我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!
( h/ ?0 b0 |% t" s

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发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑 " }  w  g8 j2 l# }
* D  m5 L5 Q: h3 J' _# n* y3 N
ACLR肯定是受输出功率影响啊
9 a. W& r4 x' c1 M+ n9 K! r( Y! w0 m) C7 M- S
! F5 Y$ c. _- F9 A

5 |' Z' B" A- d" L/ H  X
# I& @/ W6 p2 g

0 [5 A/ k  i1 G3 O7 f
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应7 N; ]8 T9 G! W% P8 V( {
. B2 F7 \4 u0 v" y5 a. r
5 B- N& B1 d9 S0 v# G1 G; s
5 e( C, m; W$ v- V# e/ J
& B7 p' C  N* r7 p

8 Q. C: O# _! t2 Y' }
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
; s( s$ C% b2 P2 e  C
+ A9 S3 c- N+ |

+ P( i  }* l! ]/ ?$ z  A. k

2 z: S. R% k) k* L8 w
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨0 r; j0 O  W  |7 ~; p5 \! N; V

0 I# I, K4 s! |; z" E3 N) M
' L& z6 X# g, @

3 k- E/ V2 L/ i4 s% g7 ?4 \2 p
- C. b; {/ Y% U- c/ }, D
而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3
: y& C) X7 `* P* Y
/ s9 ]% e" W! p) A: }! B

0 c# Y8 L1 C2 L6 u# P$ |& {: i
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
* h* H9 A  k/ m5 G$ c1 f
0 @- ]+ [: M4 D, x
" M# o: Q. H( N
& A/ v9 u; b* n( g5 u, A) p8 u

2 O/ \! L) I9 Q: d0 c2 ?8 o$ z3 Z" l5 N2 |" i* L  H$ _0 q

& G3 F7 \  R; ?+ W6 Y1 k; x) O/ s3 `3 p& S! \+ y
" F5 w, e( ~3 ^6 ^
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图

" t/ q. V) g! f- Z" }. R9 ?

! N, g1 {- t. l# K- t! W* h" _8 [3 R. W* X+ S+ ~

( }+ {, G$ E/ ^
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流
' t8 Z/ X% A- |- _) W
3 B4 e1 r) Y. P% E! W/ o% G" `
. M& i. L9 ?* S+ k- R
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)0 T6 l6 g8 N5 M- M! U7 ?+ R

8 M/ o# [" n3 Y4 k

' {6 r1 W4 C8 G/ n
* F: d7 `' Z: v3 R
而WCDMA的方块图如下
9 Y9 B% r4 N0 Q9 ?

4 W5 `2 r0 T- `, f

" g% g0 U0 W  S/ V- j( j  L; _
PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
统称为PostLoss
如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :

( `; T7 N- Y( L7 u2 D* v  A- [
% m# a" D% u& `) s* Y( D# I7 J

6 Q8 a% w/ k  b
9 d  {: I4 A" i" k( b% H/ `. F
2 P* H2 v8 T  Y& O3 d% M4 ~" F( G
如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化' r& B+ \' \9 ]( ~
$ y7 Y+ ~* M9 J  C* Y
4 d( Z' H6 V5 F

+ P6 B! x1 a, l; D' D
- {/ h1 G4 ~+ a4 ]8 h$ M( m
  ]0 |% G& r" `5 U3 k! ?* }+ g/ k7 C7 m( A7 h
  e) \5 W# u6 J) V' P

# a' t+ [1 e+ `) K" ?2 ]
4.      
/ \* W* G5 z) \0 W) d
. h' H( O2 s5 @: h
由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
加上PA是最大的非线性贡献者
如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
都要求至少-40 dBc
& S  k( g! c' S* Z8 g" {0 f  Y* h+ u  H
, X4 k0 z' H7 w+ ?% n

6 x0 u- j$ F- S! s0 O; |; ?% {
" l* u' t. \: k  \) L: p* \
亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
(由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
再次证明ACLR与输出功率有关)

9 m- R' s9 o" l! k+ Y
$ m: g+ a# Y# M& U4 ]5 x0 x
5 v7 @1 j! Y/ Y' r$ _9 C8 D
5.      
LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
进而使ACLR劣化。
- P, G5 @# j# @, N2 g$ |1 D( [
# s) I& B' N7 D) V5 b
所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
可降低其IMD3
进一步改善ACLR。

% k4 x! \* H7 f$ A' j5 z1 e' B5 U0 K, x& V# ?6 |6 M
若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。

. l2 \; P: z# z+ i: z8 Z

: K- G$ ~8 |% a8 q1 j/ _
6 ]" ~6 N! I, {+ W$ `$ b
而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好
5 ?5 u/ G3 Q6 O7 y0 X# C! d

7 L! ^6 x8 p2 a# W4 n) E" k

' g! }. |  t( r$ L7 K
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
0 r5 c3 C! E0 L
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

% Y0 N, R/ V! c: C
1 |8 z- @* W  M& b
" |" J2 ^1 ~4 A% ]% ]" Q$ L5 T
这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,
. s9 R0 E! R* a% ^4 I7 r8 s; o
PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。+ N( A4 Z8 ~7 T. j. j* ]
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

5 |$ Q7 O" l5 I( T
, ^  R- m5 n( g
( ?0 b2 L) O2 d* p- H' R' o0 Q* [( \4 P- ^

; r  }# b; w$ P; s' j
( F/ V" x/ f+ G3 z

( p8 ]" f& z( \1 A4 n7 F
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

# @$ C* Y  }" d; `

% z( m+ w9 A+ `9 r( `! D7 }* F
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
4 v+ S7 g& [: l
, Q7 D* A( o4 O" _0 v& B8 E
若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低

4 ]8 z0 Q- s) e4 R/ O

: f1 o9 Y' Y7 f) U1 W* [
/ P8 F7 }! V" |' M0 y
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差
' ]2 T5 y2 h8 |) ^" o+ w; L1 P

2 W5 U& ~! p& }; h3 i5 j0 s1 O

' p$ Z$ ?0 j1 I" n% s  {5 k4 U& G
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
即Cgd, 如下图 :
" U* P% a: r+ f1 X6 R& w# T

  z. F9 m1 I: k9 z/ N( ]" T

$ v; ~) \1 g" j- L4 Z4 \0 I1 i% L! r3 [& h) q( T" k% d

0 y. L  r1 n( H8 y5 F5 |* C) e4 H8 M3 y, d
而当电压极低时,其Cgd会变大。
: q: u! @6 u. W3 \2 M7 w
                        

( n8 @4 ?4 I9 v& h, V# \' `! }: h  e  C
上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,
, c4 w3 ]0 g. h- W因此部分输入讯号,% H# V0 z$ R8 k  o2 b, L) [+ d
会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真
7 P$ l% q' ~6 V2 I. @4 `简单讲  低压会让PA线性度变差
1 Q0 Q( P& S1 _8 `* E因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小" j& H, A4 m/ r% H$ Q
那么ACLR就会差
% s, ], ^$ [, A, u9 E- b3 U3 q当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要5 U, c4 e! b6 W. ]
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
: A8 J. Z# Z2 M: \  N, e* ~那PA输出端的ACLR   只会更差
7 |4 K: Q4 W( b  W2 f% q8 Q7 ?
7 }& \' @% {( ]( \
9 i' H- g4 C, M2 U: d' T, r- o# ^$ T- ?+ `% T! X3 t
  y6 ~) y+ h# J( z5 }5 b$ p
- @5 f2 X( _+ x3 b4 b
) R) f/ m6 r: h/ p6 N
9 _- V9 l5 Z+ I1 G1 y# d

# i* U: e' j8 o4 ?3 O" `
, I1 O& E' v# n' X* I1 g2 ~1 W" v' c( B1 {2 r- E' d
  p1 L6 `1 n: y, y: W9 p9 H
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
. c( K) b0 d( U  y/ E9 J

5 X2 |- E+ i8 |5 u7 Q, c
而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
4 d& T8 `% X# g* m& j% Y+ R
& q1 p4 y9 ^  s) N

) y; g! {, c4 i2 e

+ P6 N, J7 ~7 ~: H9 P: S
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下& r, P* s6 S( N+ f* D/ ^: g2 K
# G* I% V7 F+ \

9 k( ^- e9 p- X* ~+ ~: S3 _, P
8 f3 w; [3 }( e, C0 Z' c/ G
8 {1 ?9 H, C( W. ?- Y3 m# a
6 ^; x4 d, K/ P

/ y# {+ C: l. W7 |: Q- i# |: o1 r. b7 O8 j2 L" j4 {* b$ G7 D

6 L' N+ n& l! y. E; H& c( `
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :

$ ^& J, a" Z7 n! h4 v$ H0 i6 B% V
! Z; @5 R$ W5 j/ [/ T# w0 w$ \7 C8 W) ~; f
9 A0 f9 I: }7 p! j, t; z6 c3 {1 P
由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
: b4 \3 ~% J! c

- ?, ^4 d4 h" r4 `" F9 X( a
; Y1 C$ R; c3 T' S% Q: @" V+ Q
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHz的ACLR
但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR
0 O5 O2 z# i1 [5 ?

2 q6 d4 T6 K! Q2 O% R6 z2 t& Y
$ ~) n4 A6 @% f/ J% R* l
因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
如下图 :
+ w4 f' \5 K0 [0 S  T/ a2 o

2 G% j3 M+ R7 [" ]
2 J: ]# ]( H/ {' x- x
我们作以下6个实验
/ @& o/ b! y; m/ \& R

3 }. o+ p  W0 V4 x; S0 c5 R
0 e* i. r1 E% f+ a

7 I8 g; R( a+ `8 ^7 E) G  G1 x( [; m3 _& B7 H6 ~' Q

+ a5 L3 \1 G, `( h8 U, Y
, L$ I) K$ P) n+ R

3 a7 }* ~; [4 P; K* H2 R4 p
就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
其1MHz的InsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大
% ^( J+ y. y/ Q4 N" \4 Y

# C+ s) p4 w; ?0 n7 U, g$ e+ ^) A6 P& O8 ^; L; e

- R8 d7 M. y* O$ y: p, Y- Q0 d2 h2 @, ]/ V( |

5 Q7 J; T  }7 |- R6 ^9 V
- G. D5 {. `6 n' [! D; q  g
( d% j4 ?- o8 O- ?) i$ L3 G, h& d/ |) E5 n$ U) g
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用3 @2 q; i- z: B5 R% m

: ~$ t8 i5 N. u! m8 X

9 @( [. u) U0 I3 m
$ g2 ~; L( W  F* \2 N$ w' z, k- H

# p( Y8 V2 ~1 Q1 U* M  V* [: f9 ^
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化

/ H+ u# }! H) \. |5 \2 T8 ^) c' v8 n/ v/ ~  }$ q0 z, E
: D" }, Q+ w2 X& e( L% S7 h  P& [
4 F# u3 R; [- _; G" J$ \. t

' S" S: g! f) e- w/ ]# l2 p6 r
1 f- P2 N, f9 L) g
0 l, k0 `8 t4 D* O, u
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向

9 \: N4 R% T( G2 _. {& u% `
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise
9 [! u! \+ a, H7 H( P6 d9 _2 V

/ j7 `6 n% Y+ ]2 g' ^, D% o, G
% Y8 b5 ~7 ~3 H9 X5 m2 t: P6 D. I1 Y
其他详细原理   可参照  
/ q% T" r" w) Z  o7 _5 D& [ EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...   e+ z" u0 l7 Y3 U
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  
% ]$ @' O5 K; b& J) ^3 Z0 ZEDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  L* D% K0 }2 U: U8 [
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析: h6 U. ^& L* z
$ g  z8 m$ X- O$ k3 h# ?
  在此就不赘述

; y3 j5 ^  f" L- h; S; ~/ V- d
+ [" X3 a6 ]- O/ |1 O3 S$ m
4 L: u5 ~6 z$ y& z% D1 J: N

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
支持!: 5
虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14

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发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑   I- F0 b! G* F+ z0 a2 t( N) ?
[url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]

2 Z+ x+ g; s" M! E" {6 k0 ^( g1 o; u, Z: f: H, E2 r) I, Q- ?( n
* ~7 z1 S% R/ Y: l% {

/ m& q8 Y4 R$ n( X0 t" g8 R2 r, W* X3 R

9 A  B5 k+ C- \# m1 W, n! F0 p

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 楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
criterion 发表于 2015-3-8 16:32
/ k' Q1 B' p; e) v8 I& B" v2 E( iACLR肯定是受输出功率影响啊
. h3 ?/ f% R6 Z, O, {7 Q0 Y- Y
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!0 B8 m9 F' L0 ^3 F* s: w3 e

点评

另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08
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