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[仿真讨论] 关于DDR3的串接匹配电阻的设计问题

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发表于 2014-9-14 09:14 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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在我们目前很多DDR3的DQ信号线上都设计了串接匹配电阻,这个串接电阻为了使驱动器与传输线匹配,因为驱动器的输出阻抗为25Ω左右,而PCB走线为45Ω左右,所以在线上加一个23Ω左右的电阻匹配(一般设计在内存条上),但是在有些设计中,由于版面布局的限制,我们不设计该串接电阻。有谁测试过有串接电阻和没有串接电阻的差异?
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发表于 2014-11-27 17:51 | 只看该作者
嗯!有ODT,可以不接串阻。

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发表于 2014-10-14 09:23 | 只看该作者
学习了

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 楼主| 发表于 2014-10-8 16:04 | 只看该作者
zhaoyang0351 发表于 2014-10-8 15:17+ Q8 E' Z( }$ w
有ODT就不需要串联端接了。ODT模式下会有几种阻抗匹配可选,配置一下寄存器就可以了
4 m- y0 Y. f% W2 C' C: \4 I4 v% L8 D
谢谢你的回复。
# O; J9 R- W4 i

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发表于 2014-10-8 15:17 | 只看该作者
有ODT就不需要串联端接了。ODT模式下会有几种阻抗匹配可选,配置一下寄存器就可以了

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发表于 2014-9-17 19:43 | 只看该作者
不需要串电阻

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 楼主| 发表于 2014-9-15 19:41 | 只看该作者
但是在DIMM条上是有串接电阻的,ODT是可调的。

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发表于 2014-9-15 16:56 | 只看该作者
DDR3数据信号都有ODT,所以没必要再接匹配电阻。

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发表于 2014-9-15 09:10 | 只看该作者
有ODT就可以了,关键还是接收端的信号质量。6 [7 h1 ~& {  R$ O* d; G( w
在无odt的情况下有这种匹配会抑制掉源端的振铃,但是会增大功耗。4 v% B4 Q! s! D; u
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