找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

巢课
电巢直播8月计划
查看: 1284|回复: 3
打印 上一主题 下一主题

[仿真讨论] 系统级时序仿真

[复制链接]

7

主题

106

帖子

3390

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
3390
跳转到指定楼层
1#
发表于 2014-1-9 20:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-9 20:39 编辑 2 w) _6 r( d1 r( ~5 A
; T+ y$ V% v- W
说仿真,其实也不真实算。对于时序的仿真暂时来看没有哪个工具做得很好,往往一些参数就把我们搞晕,更不用说时序参数的代入了,这次有机会对系统级的各方面影响大概了解了下。与大家一块学习讨论。
$ [4 ?) v5 Y! {& Q" E
7 C3 y! i& ]. P. y* X1.芯片级的影响因素:
# G: I4 d4 Q- h! C! b, Itco:主要是时钟没有,而其他信号又不一定一致。这个值与芯片逻辑门电路结构有关,STA仿真后可得出具体值。
: y/ k9 j7 f) W' T# wtacc:又称为delay element,dll的step长度;对信号最长最短时延有影响。! W8 b3 t5 k4 V7 Y
clk(skew):时钟树结构有影响,一般芯片端会做等长。
4 p9 K* _* ?# N1 ?. b. L" P
( _; {- }  [3 J( ]+ D2.I/O的影响因素:
' H0 ~( B& v: W$ \9 Bdelay:I/O delay,就是各位大大们之前讲的buffer delay,大家先对应下。不同的buffer由于内部结构不一致也会不太一样,也会由于外部条件不一致会不太一样,这个变量芯片手册称为tcom,芯片端一般叫OCV。
1 g. k# v% {2 ?
4 _* P' c+ {% z& Z" m$ r* l+ ?( A3.package影响因素:. G6 b/ O2 G" J* ~7 a
RLCG,当然用S参数来表征会更精确,因为crosstalk对skew的影响。
" B4 d8 R! a; w( E
) l, X# W8 s) m( J0 o: n: ^) \- q4.PCB板走线:. r' A  `1 Z, @3 N
大家最熟悉的,一般会按照spec要求进行等长处理。7 h& C0 Z6 }! t

& T/ F4 x; T) F! ~. B$ p# v5.软件调节:/ w9 z$ |+ G  s  H5 {* S+ i% j5 {! D
dq-dqs:tdelay延时,以满足建立时间裕量;0 S0 K5 o( f$ i0 `
dq readQS偏移1/4tCK;...
. o2 _4 h! `. e8 ^
) |+ \' r8 ~) `: N2 w5 s希望可以让大家对影响时序的各阶段有个了解,能对PCB设计等长策略有更好的理解,可以做到大致估算各时序裕量情况。+ g# O9 g, h9 w1 U$ T7 |: K4 R

7 ?( S3 }6 C3 ]' u; k7 m此次讨论希望大家热烈参加,仅讨论静态时序,不讨论操作时序。今天就写到这。
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友 微信微信
收藏收藏1 支持!支持! 反对!反对!

7

主题

106

帖子

3390

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
3390
2#
 楼主| 发表于 2014-1-10 14:30 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-10 14:40 编辑
; n4 x0 k! V/ ~: Q1 S9 J$ Q9 j
在芯片级提出如下问题,可以让我们对时序调整的原理进行理解,并知道实际上我们板级考虑不了的内容:
6 T; v1 F/ h9 ^DQ与DQS写操作比较时:setup时dqs一般偏移半个时钟周期,(由于加上setup,计算时为一个时钟周期)而holdup时由于减去tds因此为半个时钟周期;" J4 `/ W# ~& T
* C0 h$ q  W6 Q; g$ m  S( E
DQ与DQS读操作比较时:没有时钟偏移,因此DQS偏移90度,作时序对齐。(初始为0.25时钟周期偏移)1 f1 g7 }! }+ d: C; y

! A1 v& u% b2 i2 w4 [8 ~DQS与CLK信号写数据时:比较时对tDQSS参数值进行多偏移一个时钟周期,裕量的确会变大,但实际多出的时钟周期的裕量是否会存在,但用0.25tCK进行表格公式时,时序关系不满足要求;tDSS,tDSH参数比较时,有一个DQS_HIGH时序关系(大约半周期),其原因是什么?3 e3 Z% P. l9 P0 k2 h
" w; X; ^6 D! a
DV值与delay element为何有5倍的关系,为何有2*tphase+4 * tPhaseClk_err的关系?数字dll或模拟dll的delay line值是否变化?6 V; W2 M. X  D+ }

" o3 l9 I/ h( n+ d4 z/ @" E- N芯片级pulse width的各信号如何获取?
% b2 c! }4 b9 F8 h! E5 z2 `
+ J( p9 r( y& h% \% KECHO gating' f; k4 m2 d% o( A4 U

' |+ ]4 Q2 F2 T5 m+ m) i; ]0 B/ Q3 \' E: K( x
+ [/ _3 x4 S- z% e* ?; v
这张图片最左边为控制器->PHY(IP)->I/O(仿真时的buffer特性)->package&board(图中没有画出)->负载DDR颗粒。
, P& k$ X& u' S$ z
  D5 _# N+ V0 h5 O从图中大家可以清楚看出影响时序的各个环节,下面先芯片端的影响因素和大家道来。

databahn_ddrphy.gif (54.46 KB, 下载次数: 0)

databahn_ddrphy.gif

19

主题

143

帖子

2871

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
2871
3#
发表于 2014-1-11 08:46 | 只看该作者
好贴,啊,继续啊楼主,学习啊

7

主题

106

帖子

3390

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
3390
4#
 楼主| 发表于 2014-1-13 22:22 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑 7 O" q' @# u  w# X) L! N8 k! h

0 H; n6 [8 V1 i* l从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。5 f4 [. @  ^' I+ f4 b
图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。+ S# T' m; W' O( g( G1 r
此处:
1 r( s2 Q8 T; [; \) y3 r6 uTCO:由寄存器本身参数特性决定;6 ^% O* N- u: u7 h0 q6 G9 ]6 N
TCOM:主要由芯片layout时走线决定;/ k1 y0 l* g! g0 C4 M
TSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。
" e8 y9 P' o* q. v3 Q而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。
, i* n2 V+ P" D% I. v* C# r' n" L  w1 s& X对于地址网络,需要满足:
6 d( C7 ?5 |& S4 Wmax delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;5 s5 e7 Y* Y" ?3 p% P3 ]3 s
2 ^% _, i; v$ T# x7 |/ _: u
对于数据网络,需要满足:
  u# W# c: K8 S5 P9 Jmax delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。
) P4 R! S3 l" r; f/ ~2 a" T( n5 v& a3 W8 j" D+ L9 ?
上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。. p$ r( I5 A9 i" S( w

2 [; Y% u6 V8 y2 Y% f% u: i) o4 `而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。

1.JPG (25.85 KB, 下载次数: 0)

1.JPG
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

巢课

技术风云榜

关于我们|手机版|EDA365 ( 粤ICP备18020198号 )

GMT+8, 2025-2-19 05:40 , Processed in 0.076566 second(s), 35 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表