|
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑 7 O" q' @# u w# X) L! N8 k! h
0 H; n6 [8 V1 i* l从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。5 f4 [. @ ^' I+ f4 b
图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。+ S# T' m; W' O( g( G1 r
此处:
1 r( s2 Q8 T; [; \) y3 r6 uTCO:由寄存器本身参数特性决定;6 ^% O* N- u: u7 h0 q6 G9 ]6 N
TCOM:主要由芯片layout时走线决定;/ k1 y0 l* g! g0 C4 M
TSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。
" e8 y9 P' o* q. v3 Q而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。
, i* n2 V+ P" D% I. v* C# r' n" L w1 s& X对于地址网络,需要满足:
6 d( C7 ?5 |& S4 Wmax delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;5 s5 e7 Y* Y" ?3 p% P3 ]3 s
2 ^% _, i; v$ T# x7 |/ _: u
对于数据网络,需要满足:
u# W# c: K8 S5 P9 Jmax delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。
) P4 R! S3 l" r; f/ ~2 a" T( n5 v& a3 W8 j" D+ L9 ?
上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。. p$ r( I5 A9 i" S( w
2 [; Y% u6 V8 y2 Y% f% u: i) o4 `而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。 |
-
1.JPG
(25.85 KB, 下载次数: 0)
|