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求高手来讨论关于信号包地

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发表于 2013-6-4 11:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在之前的公司画板基本上没有听说什么信号需要包地,但是重要信号都要满足一定的间距,防止干扰。换了一家公司以后很多信号都要求包地(模拟信号和高速信号),搞的很麻烦。, W3 l; }  c) a' g+ u  }1 h
大家谈论下,究竟信号包地效果怎么样。保持一定的间距还需要包地吗?
' Y. W. \9 o) @; q$ a1 |% k, y: D个人觉得地包的不好也会有问题,应该也不是什么情况都是包地好吧,至少地包不好阻抗都会变化,而且好像国外公司是不是没有包地这个说法?
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这个家伙很懒,从来不写个人签名。

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发表于 2013-6-4 14:07 | 只看该作者
个人认为包地效果不大,又没有仿真,影响高速线阻抗,况且高速线走在内层,地平面已经起到保护作用了,把高速线间距设置合理,远离低速线,等板子出来做EMC测试,有问题再改。

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发表于 2013-6-4 15:54 | 只看该作者
听说过包地处理,不过都是针对EMI/EMF要求做的一些处理,听说包地之后可以降低信号辐射和增强抗干扰的能力,类似于屏蔽罩吧。。。等高手指点~~

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 楼主| 发表于 2013-6-4 16:08 | 只看该作者
继续哈
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发表于 2013-6-4 21:28 | 只看该作者
对于包地问题,个人理解如下:
  b& \, t# |! i+ k. i" ]( c, i1。包地影响阻抗:华为在2002年出的〈PCB手册〉中做过明确对比,当H值较大时,较近包地会导致阻抗变化较大,甚至达20-25OHM;$ d3 W* H  R1 b+ G' C4 b/ L- A
2。包地积极意义:包地积极意义在于两方面,串扰抑制和EMI控制,串扰方面也要看信号情况,包地不适合高数据率走线,但对于1G以下(估计值)会有积极意义,但与3W比容性耦合与感性方面的优化提升不是太大;而EMI会是主要方面;- l* ?3 p, Z! h# [! V. j
3。包地消极意义:对于高数据率走线不建议包地,有可能会产生地谐振反而造成信号质量变差。当然如果涉及到回流路径的变化造成不必要耦合也是一个问题。
- W* v$ {0 L2 y; b1 M3 i

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发表于 2013-6-6 07:48 来自手机 | 只看该作者
好多公司的rule都是在网上找的,根本没有事实依据,他自己都不清楚。来自: Android客户端

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 楼主| 发表于 2013-6-6 10:59 | 只看该作者
对于包地问题,个人理解如下:' Z5 Y* z1 Y8 `7 I2 M2 I6 x0 f5 o
( r6 h! o: Q! W2 p) {' v1。包地影响阻抗:华为在2002年出的〈PCB手册〉中做过明确对比,当H值较大时,较近包地会导致阻抗变化较大,甚至达20-25OHM;/ |; ]$ H6 C3 b8 r$ K# ^
2 {, V' T# c% o, ^+ Q+ Q8 i9 N2。包地积极意义:包地积极意义在于两方面,串扰抑制和EMI控制,串扰方面也要看信号情况,包地不适合高数据率走线,但对于1G以下(估计值)会有积极意义,但与3W比容性耦合与感性方面的优化提升不是太大;而EMI会是主要方面;% o" q+ w: e$ n6 T" K) ~) O
% I( f+ _! \8 g2 }% K3。包地消极意义:对于高数据率走线不建议包地,有可能会产生地谐振反而造成信号质量变差。当然如果涉及到回流路径的变化造成不必要耦合也是一个问题。1 F3 j0
. z5 ?, z  s  {( |3 T) h9 A' T. x
- r# K/ E1 y- [) K: Z) |
说的很详细啊!
" J) @) T9 }! T
/ q0 l; w- r4 D
好多公司的rule都是在网上找的,根本没有事实依据,他自己都不清楚。
1 \2 X" k9 v' F1 z8 D
/ \- v! K/ I( i1 w
这个我也赞同
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发表于 2013-6-6 22:38 | 只看该作者
包地其实还有一个重要的应用。就是减小漏电流的影响。对于高精度的模拟电路还是比较好的。

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发表于 2013-6-7 09:20 | 只看该作者
包地是防串扰,如果地孔间距打得合理的话,是不会出现地谐振的

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发表于 2013-6-7 12:20 | 只看该作者
地线不可太宽,太近避免共模干扰、、
百金买骏马,千金买美人,万金买高爵,何处买青春?
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