对于包地问题,个人理解如下:' Z5 Y* z1 Y8 `7 I2 M2 I6 x0 f5 o+ J; n6 o+ s7 E9 c8 x5 ^/ H
1。包地影响阻抗:华为在2002年出的〈PCB手册〉中做过明确对比,当H值较大时,较近包地会导致阻抗变化较大,甚至达20-25OHM;/ |; ]$ H6 C3 b8 r$ K# ^4 r/ j' {8 e0 r
2。包地积极意义:包地积极意义在于两方面,串扰抑制和EMI控制,串扰方面也要看信号情况,包地不适合高数据率走线,但对于1G以下(估计值)会有积极意义,但与3W比容性耦合与感性方面的优化提升不是太大;而EMI会是主要方面;% }* G$ l& u/ U" O7 V, g# T* ^
% I( f+ _! \8 g2 }% K3。包地消极意义:对于高数据率走线不建议包地,有可能会产生地谐振反而造成信号质量变差。当然如果涉及到回流路径的变化造成不必要耦合也是一个问题。1 F3 j0
好多公司的rule都是在网上找的,根本没有事实依据,他自己都不清楚。
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