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DDR3仿真

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发表于 2015-1-5 10:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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大家好,关于DDR3仿真,有些不解之处,请大家指导!% |. u5 i: {" x& `
1.DDR3时序余量怎么计算?# b/ M( J3 @( y% j" U
2.下图中tIS(base)是个基值,标准上说:实际建立时间需要加上Δt,这个计算出来的总的tIS是DDR3芯片对建立时间的需求?还是实际电路的tIS?, s/ }4 J- m9 Z% Q
4 y+ \* \/ o- {% J+ s$ X2 F: k
$ ?7 n4 H/ j0 E

3 H4 _; _' x& [5 T5 n6 _3.tIS有两个参考,AC150和AC175,到底用哪个?
0 i7 J& q- w7 t# X( }' [0 P
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发表于 2015-1-6 08:42 | 只看该作者
本帖最后由 cousins 于 2015-1-6 09:24 编辑 / u' t  `; G, S: M2 J! x% z
$ Z* H4 R/ b, ]9 N$ X
1.tvb+tskew  tva-tskew   相位右偏为正,左偏为负  tvb为valid before 即理想DQ有效跳变前于strobe跳变的时间,tva为valid after,即理想DQ有效跳变后于strobe跳变的时间。skew为单根DQ允许的相偏$ Q  s/ u) _' y4 M
2.参考第一条可以知道,datasheet里为requirement。实际测的为tvb+tskew tva-tskew
% b% ?4 r4 Z" W/ `) Q3.AC175 AC150代表的是门限偏移,即AC threshold +/- 175mV或者150mV,与速率有对应关系,速率越高,AC threshold +/-越小。, y+ c: J9 \$ c" _

' v% {- O! v  d. g9 {考虑到clk jitter及DQ skew的影响,slew rate取较大值为比较严格的做法,因为slew rate越大,最低要求的建立保持时间越长。
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-1-27 18:18 | 只看该作者
DDR3的时序参数是基于标准负载测试的, N5 x4 w' T+ q& ]5 b, \
% B5 t5 r- m, d! X/ r
* P3 N' _7 @) {7 h5 ?9 ?
实际负载不可能标准 所以波形有差别,负载过重过轻 等都会造成影响
5 A5 a( w3 K! b  i, U# t飞行时间偏移,包括芯片内部的逻辑偏移,buffer偏移,和PCB上走线的偏移, O9 g( c& {- b1 ]" t
实际时序计算时要以接标准负载和实际负载计算飞行时间偏移: X% P$ e9 e+ [
DDR3的规范规定计算时序都要考虑derating. x! ^( o8 N' L9 r

4 _  x1 h4 ]2 d. E1 ]" _8 m

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 楼主| 发表于 2015-1-6 08:37 | 只看该作者
Coziness_yang 发表于 2015-1-5 22:16
* k4 Z! N  F5 p0 D7 w+ j计算Slew Rate主要是要看信号的质量,有的信号在上升沿上存在非单调,但有些信号是单调的,所以对于slew ra ...

, u" l/ e: H& R您好,谢谢您给我解答,那么在计算时序裕量时,需要减去建立时间,那么是不是说这时候的建立时间需要用slew rate和AC175的基值一起来确定?
+ y# a+ u: e6 x. F* E" l - D8 Y8 T( ~7 q4 T" h1 {
, W+ K+ Q+ n# m  Z& v: ]
" X) t' m$ p! |; S) `# e- ~1 r

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发表于 2015-1-5 15:34 | 只看该作者
看本质,看信号的上升沿,上升沿快用严格的规范。上升沿慢用稍微宽泛点的。

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 楼主| 发表于 2015-1-5 15:47 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-1-5 15:34
, t1 P3 i9 Y& J8 [% G  s) h看本质,看信号的上升沿,上升沿快用严格的规范。上升沿慢用稍微宽泛点的。
: w7 m  V. D& u+ V
谢谢版主,Slew rate的大小和tIS有直接关系吗?如果像下图这样,我认为不影响
2 D4 R9 K+ v) ~8 z( ^9 L7 J. J/ r图中红线和黑线,我认为tIS都一样
4 v% k+ \' [( w0 {% q/ E
4 }& Z9 C. ^  `% C8 N
$ A5 V- Q( q7 C0 z/ R

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发表于 2015-1-5 16:44 | 只看该作者
slew rate越大,相当于信号上升沿约小,所以时序上余量相当于变大了,对应标准就严格。
3 a8 @4 S, Z2 p8 y( @
3 ~* Q5 Z6 T. Z: x: b0 d+ m0 p; w' I  @

点评

版主,还得麻烦您下,这个问题我还是没太想明白。 slew rate越大,相当于信号上升沿越小,这好理解 但是,时序上升余量变大,这怎么理解?余量大了不是更好么,怎么会要更严格的标准? 谢谢!!!  详情 回复 发表于 2015-2-5 09:31

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 楼主| 发表于 2015-1-5 17:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-1-5 16:44
9 y7 `4 r! y6 fslew rate越大,相当于信号上升沿约小,所以时序上余量相当于变大了,对应标准就严格。
' T' ^( l7 G6 E1 |; T3 U2 k6 ?
在计算时序余量时,如何使用这个slew rate?& y0 u8 o8 `/ ~6 b3 l

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发表于 2015-1-5 22:16 | 只看该作者
计算Slew Rate主要是要看信号的质量,有的信号在上升沿上存在非单调,但有些信号是单调的,所以对于slew rate我们需要采用不同的计算方法。而对于时序裕量,我们需要看slew rate,因为slew rate的不一样,时间裕量的计算肯定也不一样。

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发表于 2015-1-5 22:18 | 只看该作者
1. 总的tIS是DDR3芯片对建立时间的需求?
9 q9 N& Y/ s6 j& l" v% S; V8 A4 O   是的,在 DDR3 pin 上所量到的 Setup time,要大于这个值 (tIS total),多出来的就是你的余量。# s! \: y6 [, M7 \' `( N6 V+ k

# ?( x) E8 ^6 X7 a7 W, L# L0 M2. tIS有两个参考,AC150和AC175,到底用哪个?/ b$ G3 a# k! `! R* j+ b8 }
    都可以,但是选用 AC150 的余量会多一点,原因有历史因素,非三言两语可喻。
" F5 R/ k8 Y1 b: }! f8 C* [

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发表于 2015-1-6 08:35 | 只看该作者
想听听历时原因

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 楼主| 发表于 2015-1-6 08:40 | 只看该作者
Head4psi 发表于 2015-1-5 22:18
) k# h& R! {+ y1. 总的tIS是DDR3芯片对建立时间的需求?% d0 _1 A) X+ b+ c% J; d8 G- Q
   是的,在 DDR3 pin 上所量到的 Setup time,要大于这个值 (tI ...

6 V+ R$ \3 t( V* {' y" [+ a多谢您,那就是说要下面的数据算出DDR3对建立时间的实际需求,然后在实际的仿真波形上测量建立时间,和这个需求值比较,对吗?
$ w$ d2 e5 A/ N1 _
5 Q0 G0 f7 ]( G 3 Z. K8 \& E2 j. A2 W
0 Z* f$ U# _& N+ b* e+ ^

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 楼主| 发表于 2015-1-6 09:06 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-1-6 08:42
! r8 x! m8 v) {. n1.tvb+tskew  tva-tskew   相位右偏为正,左偏为负  tvb为valid before 即理想DQ有效跳变前于strobe跳变的 ...
2 K& N4 j6 f( a5 E) [
时序余量是否可以直接从波形读取?
3 n8 v5 b/ y) l; x; T& Q/ S  y

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发表于 2015-1-6 09:17 | 只看该作者
snsArvin 发表于 2015-1-6 09:06
' S- _& z3 G. H9 s时序余量是否可以直接从波形读取?

& n6 M, H" B  F% f# V: l不能,要抓取cursor后再做计算
+ m- x$ o' i; U( W
+ P# z6 I6 ]- q0 ~1 K- c0 ?
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 楼主| 发表于 2015-1-6 09:29 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-1-6 09:17
) ]* Z/ A: A6 L2 x+ S8 k不能,要抓取cursor后再做计算

! ?, {8 H+ L5 k9 u) Z! T版主,您前面讲的余量计算:tvb+tskew ,tva-tskew,为什么没有减去建立时间? 1 J7 N, i8 u& Y- h) b

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发表于 2015-1-6 11:14 | 只看该作者
因为tvb+tskew就是实际的建立时间,减去datasheet中的requirement就是裕量9 ]8 f$ I! P+ x1 p6 g, ^
tva-tskew是实际的保持时间,减去datasheet中的requirement就是裕量0 M8 ~4 m7 z* e1 E% E6 x" ^* V
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