DDR3仿真

snsArvin · 发表于 2015-1-5 10:27

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大家好，关于DDR3仿真，有些不解之处，请大家指导！
1.DDR3时序余量怎么计算？
2.下图中tIS(base)是个基值，标准上说：实际建立时间需要加上Δt，这个计算出来的总的tIS是DDR3芯片对建立时间的需求？还是实际电路的tIS？

3.tIS有两个参考，AC150和AC175，到底用哪个？

cousins · 发表于 2015-1-6 08:42

本帖最后由 cousins 于 2015-1-6 09:24 编辑

1.tvb+tskew tva-tskew 相位右偏为正，左偏为负 tvb为valid before 即理想DQ有效跳变前于strobe跳变的时间，tva为valid after，即理想DQ有效跳变后于strobe跳变的时间。skew为单根DQ允许的相偏
2.参考第一条可以知道，datasheet里为requirement。实际测的为tvb+tskew tva-tskew
3.AC175 AC150代表的是门限偏移，即AC threshold +/- 175mV或者150mV，与速率有对应关系，速率越高，AC threshold +/-越小。

考虑到clk jitter及DQ skew的影响，slew rate取较大值为比较严格的做法，因为slew rate越大，最低要求的建立保持时间越长。

Colin_SI/PI · 发表于 2015-1-27 18:18

DDR3的时序参数是基于标准负载测试的

实际负载不可能标准所以波形有差别，负载过重过轻等都会造成影响
飞行时间偏移，包括芯片内部的逻辑偏移，buffer偏移，和PCB上走线的偏移
实际时序计算时要以接标准负载和实际负载计算飞行时间偏移
DDR3的规范规定计算时序都要考虑derating

snsArvin · 发表于 2015-1-6 08:37

Coziness_yang 发表于 2015-1-5 22:16
( E( \! N! m* j7 q8 I+ E5 J计算Slew Rate主要是要看信号的质量，有的信号在上升沿上存在非单调，但有些信号是单调的，所以对于slew ra ...

您好，谢谢您给我解答，那么在计算时序裕量时，需要减去建立时间，那么是不是说这时候的建立时间需要用slew rate和AC175的基值一起来确定？

shark4685 · 发表于 2015-1-5 15:34

看本质，看信号的上升沿，上升沿快用严格的规范。上升沿慢用稍微宽泛点的。

snsArvin · 发表于 2015-1-5 15:47

shark4685 发表于 2015-1-5 15:34' k4 Y* d% I2 j! [+ `8 I6 ]- |: O# q; t
看本质，看信号的上升沿，上升沿快用严格的规范。上升沿慢用稍微宽泛点的。

谢谢版主，Slew rate的大小和tIS有直接关系吗？如果像下图这样，我认为不影响
图中红线和黑线，我认为tIS都一样

shark4685 · 发表于 2015-1-5 16:44

slew rate越大，相当于信号上升沿约小，所以时序上余量相当于变大了，对应标准就严格。

snsArvin · 发表于 2015-1-5 17:27

shark4685 发表于 2015-1-5 16:443 |3 u( t8 U% u* @
slew rate越大，相当于信号上升沿约小，所以时序上余量相当于变大了，对应标准就严格。

在计算时序余量时，如何使用这个slew rate？

Coziness_yang · 发表于 2015-1-5 22:16

计算Slew Rate主要是要看信号的质量，有的信号在上升沿上存在非单调，但有些信号是单调的，所以对于slew rate我们需要采用不同的计算方法。而对于时序裕量，我们需要看slew rate，因为slew rate的不一样，时间裕量的计算肯定也不一样。

Head4psi · 发表于 2015-1-5 22:18

1. 总的tIS是DDR3芯片对建立时间的需求？
是的，在 DDR3 pin 上所量到的 Setup time，要大于这个值 (tIS total)，多出来的就是你的余量。

2. tIS有两个参考，AC150和AC175，到底用哪个？
都可以，但是选用 AC150 的余量会多一点，原因有历史因素，非三言两语可喻。

shark4685 · 发表于 2015-1-6 08:35

想听听历时原因

snsArvin · 发表于 2015-1-6 08:40

Head4psi 发表于 2015-1-5 22:18
3 ?7 `3 n h1 [* m, v: u1. 总的tIS是DDR3芯片对建立时间的需求？( w) M+ T% P2 ]' {& `3 H
是的，在 DDR3 pin 上所量到的 Setup time，要大于这个值 (tI ...

多谢您，那就是说要下面的数据算出DDR3对建立时间的实际需求，然后在实际的仿真波形上测量建立时间，和这个需求值比较，对吗？

snsArvin · 发表于 2015-1-6 09:06

cousins 发表于 2015-1-6 08:421 i3 w' O& `; E4 s
1.tvb+tskew tva-tskew 相位右偏为正，左偏为负 tvb为valid before 即理想DQ有效跳变前于strobe跳变的 ...

时序余量是否可以直接从波形读取？

cousins · 发表于 2015-1-6 09:17

snsArvin 发表于 2015-1-6 09:06
2 H' u# h2 Z$ W7 y5 T+ ^: e时序余量是否可以直接从波形读取？

不能，要抓取cursor后再做计算

snsArvin · 发表于 2015-1-6 09:29

cousins 发表于 2015-1-6 09:171 P( s) Q6 U8 [$ j& J4 h8 g
不能，要抓取cursor后再做计算

版主，您前面讲的余量计算：tvb+tskew ,tva-tskew，为什么没有减去建立时间？

cousins · 发表于 2015-1-6 11:14

因为tvb+tskew就是实际的建立时间，减去datasheet中的requirement就是裕量
tva-tskew是实际的保持时间，减去datasheet中的requirement就是裕量

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