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什么是Command Rate?1 f) ]: q! L) p$ `5 _: a
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我们都知道,内存在读写操作中,存在着各种延迟(Delay)和潜伏期(Latency),比如常见到的tCL-tRCD-tRP-tRAS这些,但是我们常讨论的这些时序参数,都是发生在对L-Bank(逻辑Bank)的操作中,也就是发生在上面的第2-4步之中。
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实际上,还有一个延迟,是发生在第1步和第2步之间的,即在选择一个P-Bank芯片集之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令,称之为“首命令延迟”,也就是我们今天要讨论的Command Rate。
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Command Rate有时被称之为CMD,从前面的描述可以看出,CMD是发生在对内存芯片读写操作之前的,它和内存本身的关系不大,更取决于主板芯片组的设计。和其它时序的单位一样,CMD的单位为时钟周期。显然也是越短越好。但当随着现在内存向高频率高密度高容量发展,内存控制芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。! _2 w0 w8 O. U
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在K8出现之前,Command Rate选项一般都不会在BIOS中出现,只能通过一些修改版BIOS对它进行设置。但随着K8内存控制器在功能和兼容性上的完善,Command Rate终于变成了主板BIOS中的标配。在随后的一些非英特尔主板芯片中都加入了Command Rate选项,虽然在名称上稍有差异。
+ l6 u6 [& t3 G; K6 l2 o所有项目测试成绩的趋势如出一辙,即在相同条件下,无论是理论带宽测试,还是实际软件应用,Command Rate为1T时的性能要好于2T时的性能,但是这个优势是很微弱的,大概在1%-2%左右,这样的差别,也只有用测试数据才能看得出来。" w* @4 D1 K% S/ u. C0 k
! r! Y" F2 ]( X; e◆ CMD 1T/2T稳定性测试
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& s, s0 a2 ?, o6 J, E 前面说过,随着内存向高频率高密度高容量发展,内存控制芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。我们通过寻找内存的极限频率来测试CMD 1T/2T对稳定性的影响。
2 ]' d) p. j% M6 V测试总结5 D# p) N9 `: s
8 n+ M: y/ W4 t3 A9 }+ w 我们再回顾一下,Command Rate是指在物理Bank片选之后,到逻辑Bank激活之间的间隔,通常称为“首命令延迟”。Command Rate这个选项在越来越多的主板BIOS中出现,尤其是英特尔阵营的主板用户也逐渐能选择Command Rate是1T还是2T了。+ z5 ?" z' X; J- O2 S4 p
& v: I+ O+ I3 d2 r' Y7 k0 K1 v4 {& u Command Rate只能选择是1T或2T,1T下的性能稍好于2T,领先幅度在1%-2%间,这对于狂热的性能追求者来说,是一个不错的可控参数。
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最让我们应该关注的是,Command Rate 1T/2T对内存稳定性的影响,和性能上两者差距极小不同的是,稳定性的影响很明显,Command Rate为1T时,内存的稳定性大幅降低,直接表现为内存超频能力大降(2T时能超到1101MHz,1T时只能超到1005MHz)。显然和它带来的1%-2%的性能提升相比,内存频率的降低对性能损失更大。" h. E( x% b5 p5 p" k6 t* I
$ _5 ~& |% j% p! J( o( U Command Rate为1T时能给系统性能带来“百尺竿头,更进一步”的效果,但是如果它影响到了系统的稳定,还是将Command Rate设置为2T吧。 |
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