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比较下2款稳压管做的过压保护电路

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发表于 2015-12-15 23:49 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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比较下优劣
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 楼主| 发表于 2015-12-15 23:51 | 只看该作者
第一个图为小厂家,第二个图为大厂家。产品为竞争机型,均使用5V1A电源

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发表于 2015-12-16 09:14 | 只看该作者
图一多的两颗分压电阻分别对PNP的Veb和MOS管的Vgs起到一个保护作用,不知道理解的对不对

点评

因为MOS被击穿一般都是在G级悬空的情况下,由于寄生电容,可能管子会被击穿,但现在的管子一般内部做了保护电阻的,而且外部G级有一个到地电阻,这里的R5我觉得是三极管导通的时候给G级一个快速响应的确定态,从R5比  详情 回复 发表于 2015-12-17 15:53
不对  详情 回复 发表于 2015-12-17 15:45

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发表于 2015-12-16 18:55 | 只看该作者
第一个图电阻值很小。流过稳压管的电流应该会很大。 第一个图的R5 是预留的? 实际不焊接的吧?

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发表于 2015-12-17 15:29 | 只看该作者
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发表于 2015-12-17 15:45 | 只看该作者
bbw2131489 发表于 2015-12-16 09:14
" T) I. o) ?) Z. N( u2 u图一多的两颗分压电阻分别对PNP的Veb和MOS管的Vgs起到一个保护作用,不知道理解的对不对

' j/ N8 ^$ c7 k: K9 \$ C6 Y不对  A9 r+ p2 P8 d2 F+ h  N

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发表于 2015-12-17 15:53 | 只看该作者
bbw2131489 发表于 2015-12-16 09:14- E" F4 l* v' t" c5 y
图一多的两颗分压电阻分别对PNP的Veb和MOS管的Vgs起到一个保护作用,不知道理解的对不对
! w, @' L( k$ F  v( u! _
因为MOS被击穿一般都是在G级悬空的情况下,由于寄生电容,可能管子会被击穿,但现在的管子一般内部做了保护电阻的,而且外部G级有一个到地电阻,这里的R5我觉得是三极管导通的时候给G级一个快速响应的确定态,从R5比R4多了20倍不止就可以看出来# X% m4 J1 P* d  T

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发表于 2015-12-17 15:55 | 只看该作者
第一个图三极管的分压电阻值可以值乘以10,现在的值太小会增加损耗
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