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新手3SC6410 DDR等长绕线!请大家指教!

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发表于 2010-7-14 16:36 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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新手3SC6410 DDR等长绕线!请大家指教!
! k% w0 O* K7 S1 L, ^1:CLK线差分线长51mm。
2 r6 ]8 T7 ?9 l8 @2:地址控制信号等长50mm。
8 n" M& Z4 S, @3 r9 m9 R. P7 M3:数据线等长41mm。
1 W+ O. F  K8 L! b' G  @/ J. _. [6 a) m( c' q
问题:
  y( a& l5 p( ]% q9 m1:这种叠层方式会不会有问题?4 m; D# \1 p) X1 ?* ~
2:走线的线宽线距是否有问题?
1 [% `1 A& \% ?: p! P3:线阻抗未充分考虑,只考虑等长是否可以?
# ~5 X: s  o( z6 X, w1 q! ?1 ]4:有无其他可以改进的!
# K: P/ C5 @0 t/ @9 x" o9 ]7 w非常感谢大家!6 q% t7 k3 K: O5 M( i
% w; w! o, f0 a
temp.rar (330.33 KB, 下载次数: 382) 9 i- D1 {: ?5 X  a! A" @! l
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发表于 2010-7-15 07:55 | 只看该作者
关注中,等高手解答。发现一个问题是你BGA内打的孔内径为0.1mm,工厂工艺应该达不到。

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 楼主| 发表于 2010-7-15 09:16 | 只看该作者
1-4-1的盲埋孔,0.1mm的为镭射孔!
# Y+ j* Q# K. O( H
" z& H" I$ o1 |: C0.2的孔走不出来!

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发表于 2010-7-15 09:28 | 只看该作者
层设置有问题

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 楼主| 发表于 2010-7-15 09:53 | 只看该作者
楼上的有何问题?谢谢!

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发表于 2010-7-15 21:20 | 只看该作者
top-gnd-si-si-vcc-bottom& q9 D1 L& X; I7 D
你的设置top-si-gnd-vcc-si-bottom# l* k$ R, f1 ^. L% T2 k
顶层和底层没参考平面

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 楼主| 发表于 2010-7-15 21:35 | 只看该作者
由于使用盲埋孔,1-4-1的工艺比较容易做到,所以使用 SSGVSS的叠层!
- @3 y+ d% G) u- ]" r顶层也参考G层!走线尽量第一层和第二层不重叠!

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 楼主| 发表于 2010-7-15 21:37 | 只看该作者
由于使用盲埋孔,1-4-1的工艺比较容易做到,所以使用 SSGVSS的叠层!
3 m. o6 D& m: ^% E4 d+ j7 \顶层也参考G层!走线尽量第一层和第二层不重叠!

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发表于 2010-7-16 15:06 | 只看该作者
个人觉得,阻抗最好用对称的层,二,你两边内存的过孔数不一样

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发表于 2010-7-16 15:47 | 只看该作者
LZ的叠层方式需要改进,不然阻抗不好控制。因为要使用盲埋孔而使用这种叠层方式,有点避重就轻。如果6层线实在走不出来,可以考虑增加层数。这样成本应该不见得比用盲埋孔高吧。另外对BGA而言,最好每一个PIN都扇出一个过孔,这样性能应该会好些。

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发表于 2011-3-12 18:07 | 只看该作者
你的地址线要保证比你的始终线长1000MIL, {2 o5 M+ C! t: Q

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发表于 2011-3-13 09:23 | 只看该作者
请问版主此板子可以正常跑起来吗?; p- |! W- g) o1 M. D+ d: @

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发表于 2011-3-13 17:10 | 只看该作者
DDR的阻抗只是因为驱动能力较弱造成的,负载阻抗太大可能会驱动不了,按单端50ohm做就ok了,没有特别严格的要求,像DDR3里面这个基本都不用考虑了,因为驱动能力已经到了120ohm。
250 字节以内
不支持自定义 Discuz! 代码

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 楼主| 发表于 2011-3-13 18:20 | 只看该作者
报告一下,可以正常跑!

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发表于 2011-3-31 10:58 | 只看该作者
图片上看线宽线距小于4mil了
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