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EDA365电子工程师网»技术社区 › 电子技术社区 › 电子硬件设计论坛 › i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题
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i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

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gwei_0210

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发表于 2017-8-18 15:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊
/ v* d3 `% R- H+ a- y8 `% Q* D: B

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超級狗
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總有錯誤訊息吧？>_<|||  发表于 2017-8-18 15:48
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Aubrey

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发表于 2017-8-18 16:01 | 只看该作者
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

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gwei_0210
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-19 13:11 | 只看该作者
天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

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 楼主| 发表于 2017-8-19 13:12 | 只看该作者

5 ~% B; _! r: K& \! n7 d/ hDDR Freq: 396 MHz ) {  a& k' z  P) H7 m
& m" f( v" T8 Y  D: e! }
ddr_mr1=0x000000001 W; B1 D/ y2 }1 z$ ~7 T/ Q
Start write leveling calibration...9 B7 p% D; P* c/ K' R, S
running Write level HW calibration; _8 Z9 \6 w  K2 b9 `. O- D2 u; [
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
* \. {( w: O$ t% f+ A  O% u% N    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
" K$ s, T+ @9 [" j2 r    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
3 ?6 U% u# e) V! kWrite DQS delay result:
4 x/ G# r' `; L4 b   Write DQS0 delay: 7/256 CK2 ^: U* ^8 l3 |# g2 _1 g
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
9 K7 {( @# v1 p7 x" O) B8 v* |! |* Y: ]; h5 F+ E3 Q
Starting DQS gating calibration- A' J' _. r3 n! ~
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
  z/ `3 {1 |! a7 b" c7 Z) D' K5 A4 v% o. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x000000116 ^5 U" e; d1 }1 L
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
" ~) ^0 s7 M! t+ ~% H  o# o. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011$ w$ {6 {; j- R4 o, {$ W3 L1 X9 x
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x000000117 z& R! u3 `$ r2 q8 ?4 Y3 S* Z
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
9 Q' k% x9 S* r, P$ o. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
" b7 O$ q2 o' {, X/ B. p* Q. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
2 @) p/ P. T( I' a2 z7 x# L. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
* Z7 s. X) h8 ^) M! A6 z' ], J. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x000000119 {% w+ K9 b, {: S- f
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x000000111 l8 {! k( z  c. o" `0 V
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
) L% \0 ]9 f1 ?! r. C% j. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
  W8 b& v7 v% V! _6 T* h. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
: `0 V1 ?, P. |" h# q# G0 ?! _ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!/ `' v1 {' M- E5 J  q: E2 p: u
dram test fails for all values. ( a. b. b0 a) P% m# R3 D7 @
; s& C( y3 a" y5 C. Y2 I. l
Error: failed during ddr calibration( v; x- B  ~& y
4 ?0 Y" J+ F& Q

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Aubrey

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发表于 2017-8-21 09:58 | 只看该作者
4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

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kele1983

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发表于 2017-8-21 10:41 | 只看该作者
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

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gwei_0210
试过，也不行  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
  |$ r* W3 a; x# f可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。
, v# i, d7 f8 Q) |* c
试过，也不行
+ R9 R0 N8 M! O0 y9 M

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kele1983
我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。 还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:37

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01  r5 L9 N" K: C4 B
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？
5 S9 @6 d( k; v, ?2 }( q. {
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的7 F; v& r3 E1 d6 w- N; [

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超級狗
走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟這改變，阻抗有可能會受到影響。 如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。  详情 回复 发表于 2017-8-21 14:28

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:11 | 只看该作者
DDR Freq: 396 MHz
' ~7 g, B4 D1 J, I# s$ A! b$ v( m( O: L, m; S: M
ddr_mr1=0x00000000! M# p1 U0 z. v
Start write leveling calibration...* L2 p# E% C4 f6 ?6 k
running Write level HW calibration0 [- w+ T, a+ _5 h$ I: Y7 Y6 e
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
* ?' G* E) R1 S  k: i% i) C0 ?" O    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007. B$ k7 {3 Z4 _# L. P) f# w7 S' u
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
5 @; G6 ]- \, p6 G9 V  l* YWrite DQS delay result:8 ]3 \) W0 j: ~8 M4 N" b/ |0 A
   Write DQS0 delay: 7/256 CK
: f8 a  x" X" N7 O   Write DQS1 delay: 3/256 CK( V. @% T( C5 g+ s% }$ Y! i' T
2 ~3 W. r0 D  M& A* S
Starting DQS gating calibration
- h1 |. j2 ~- @* h9 ^. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
& b3 c* l9 S' s. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x000000110 P; b9 `1 x5 P
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x000000118 F: W5 V2 h, P1 ~( i) p- o$ ~
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011" t8 K/ e6 `3 g* Y* Y* c- @
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011; A% w4 _+ P( ?  S' m
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
4 C2 L+ n5 w9 r& V7 y. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011* Q7 z1 ^' U5 `& {2 v- _# c) A
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011' R3 a0 {! X6 L9 v. U$ j& X% X
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x000000115 B' P: o" p: B9 G* y
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
7 m$ z' C: K: W! `$ R; {7 g: X. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
% c6 Q" c8 k6 P6 [& o. F. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
: U% j1 c  s. n* o. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
( F- y: A+ X: p6 n6 F& w. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
7 b. Z4 u) x9 B; ?) ~! _5 XERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
0 W' p# O( [. ]4 f- R! Adram test fails for all values.
. w+ D: y3 O, l7 A3 b  I2 I  _7 Y  Q; i9 a3 g
Error: failed during ddr calibration, O$ N6 b( ^" O* w

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kele1983

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发表于 2017-8-21 13:37 | 只看该作者
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
0 z8 l: T/ m# `* v9 s试过，也不行

" r' ~$ K( S# z& w# D我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
( T0 i( s& S) c9 a还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
5 c" [* ~/ O+ P9 A我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。# C: O  i# T, u7 b+ m
9 e2 E1 F, ~% B; G4 R0 W+ x5 Z

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发表于 2017-8-21 14:18 | 只看该作者
挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。6 L3 n0 L" t) p- ^* V5 w4 ?
7 x5 w5 d" T' s+ z1 J1 h! A
https://community.nxp.com/thread/365106
; r: T4 J+ A( v) ?  O+ v- S9 \9 K" q) T" O1 A# z, e) ]
; \" N5 V/ Y- `2 X9 a9 _! W2 r
  • Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"+ ^5 N6 k' ~% i
    https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
  • Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
  • Try different DDR_SEL options  (11 or 10).- F; e2 C6 p4 ^* w6 i% u
    10 : LPDDR2
    ! Z! G9 D5 h" P3 |  E11 : DDR3
    " D7 w+ |( r% m- y  N. M/ W

  e% p/ h; O  U1 F+ E( S8 d# p6 H8 K. V# Y% E" o; T
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗！

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超級狗

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发表于 2017-8-21 14:28 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-8-21 15:39 编辑 / v0 T: z1 _# q3 R+ M6 E
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
$ q2 p. F7 b; N# k& ~2 ]填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...
% v; l# t$ e- y/ b8 A
走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。
$ _# M; B2 t# b. x/ z3 Y& N0 u+ J+ Y9 I# o8 z, ?
如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。
4 p1 {+ u6 f, w/ }
2 `6 t5 E' _5 {- F* B
" w$ ^: n; v. H: m) F: {% _0 S
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗！

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duzz

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发表于 2017-8-21 16:40 | 只看该作者
狗版主，这么翻译飞卡要气死

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肥死卡好！>_<|||  发表于 2017-8-22 08:16

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 16:54 | 只看该作者
已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

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zxk

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发表于 2017-8-22 07:16 | 只看该作者
路过，学习一下 mark

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