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发表于 2017-6-5 17:09 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图中,VBUS前段Q1,Q2电路起什么作用,直接输入不就行了吗,为什么加这部分电路起什么作用: }0 ~0 x( l& R  R! Z

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发表于 2017-6-10 10:08 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-10 10:09 编辑 ; N1 M5 d  N8 V$ \
yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43
5 I% Z: U4 D% K) g! b1 f感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗

! u( I1 L, p/ M6 e% }
  • SI2312DS VGS 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  VGS 只能承受 +/-8V 的電壓,你不分壓讓 17V 灌進來,莫死MOS)管就往生了!9 I. N4 F1 t2 [* h, s2 ^
5 R8 b$ ^3 _  a! f: |
" l1 \3 W+ q% h# K  o& P$ p

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SI2312 Vgs.jpg

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  发表于 2017-6-14 08:53
Q1的D、S的方向……  发表于 2017-6-13 17:12
用两个MOS管,是增加暖启动?不然一个PMOS管就能搞定了  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:47
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2017-6-6 11:13 | 只看该作者
这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1,防止电池电流的倒灌。

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0.65V的门限是从哪看出来的?输入小于2.4V 也不对,这个参数算出来应该是小于3.9V Q2截至掉  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:38
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗  详情 回复 发表于 2017-6-6 17:43

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发表于 2017-6-5 17:19 | 只看该作者
应该是保护和缓启动的作用。

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具体分析下啊  详情 回复 发表于 2017-6-5 21:49

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发表于 2017-6-5 21:49 | 只看该作者
maxnnw 发表于 2017-6-5 17:19
6 }* A2 O! b: V0 T应该是保护和缓启动的作用。

6 L. r, d+ z2 `5 Z, u具体分析下啊

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发表于 2017-6-6 10:01 | 只看该作者
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 楼主| 发表于 2017-6-6 17:43 | 只看该作者
ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
6 z9 A& h$ P- E% O! L0 Q2 g这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1 ...
7 ~" s1 e5 G; k
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗4 {3 E; u! D9 @& [3 B1 m; E+ j9 {

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[*]SI2312DS V 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。 [*]SI2312DS V 只能承受 1.8V 的電壓,你不分壓讓 17V 的電壓灌進來,莫死(MOS)管就往生了!  详情 回复 发表于 2017-6-10 10:08
怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用,只有适配器电压建立了2.4V之后,整个充电电路才开始工作。Ps:聚合物  详情 回复 发表于 2017-6-8 09:14

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发表于 2017-6-8 09:14 | 只看该作者
yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43, e  L, a7 c$ @# V& f2 T4 R
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗

0 W# u; }' \6 i' k怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用,只有适配器电压建立了2.4V之后,整个充电电路才开始工作。Ps:聚合物电池电压正常工作在3.0~4.25V之间,低电压保护在2.7~2.9V之间。& S$ x- v- R3 @" ]/ p5 R

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  发表于 2017-6-12 10:12
受教了。十分感谢!  详情 回复 发表于 2017-6-8 19:21

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 楼主| 发表于 2017-6-8 19:21 | 只看该作者
HengliangYau 发表于 2017-6-8 09:14% }. K6 N( I. f. @- H+ ^
怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池 ...

) |* a8 ~; N1 `8 v6 S5 w7 W1 O受教了。十分感谢!

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发表于 2017-6-11 10:38 | 只看该作者
本帖最后由 xhy_hard 于 2017-6-11 10:41 编辑 ( O0 y4 U0 I$ H  l4 M
ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13" @* P+ F; N0 p+ W) i1 Y8 S
这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1 ...

, x2 S1 }6 S5 f: G( T- G
3 [# _. G! c# q0 X

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发表于 2017-6-11 10:47 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-6-10 10:08
  • SI2312DS V[sub]GS[/sub] 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  V[sub ...
  • 1 G. l( z$ K3 {( F/ j/ r
    用两个MOS管,是增加暖启动?不然一个PMOS管就能搞定了
    , p$ h3 {" ?) k3 C

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    一个做不了防倒灌的作用  发表于 2017-6-12 10:16

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    发表于 2018-1-25 09:54 | 只看该作者
    防倒灌的
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