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发表于 2017-6-5 17:09 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图中,VBUS前段Q1,Q2电路起什么作用,直接输入不就行了吗,为什么加这部分电路起什么作用/ l7 f' N; `' d" `

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发表于 2017-6-10 10:08 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-10 10:09 编辑
4 n$ `5 \' k+ O, _
yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43  H& ~5 p  ]6 K8 I; j
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗
: Q$ y/ ]7 R. M8 T
  • SI2312DS VGS 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  VGS 只能承受 +/-8V 的電壓,你不分壓讓 17V 灌進來,莫死MOS)管就往生了!
    7 z/ o! |- k* ^0 ^
  n, @; ^0 X( ^- p$ X2 [
9 b5 m: q9 Y6 C# Z! H( ]

SI2312DS Drain Current.jpg (21.35 KB, 下载次数: 1)

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  发表于 2017-6-14 08:53
Q1的D、S的方向……  发表于 2017-6-13 17:12
用两个MOS管,是增加暖启动?不然一个PMOS管就能搞定了  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:47
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2017-6-6 11:13 | 只看该作者
这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1,防止电池电流的倒灌。

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0.65V的门限是从哪看出来的?输入小于2.4V 也不对,这个参数算出来应该是小于3.9V Q2截至掉  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:38
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗  详情 回复 发表于 2017-6-6 17:43

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发表于 2017-6-5 17:19 | 只看该作者
应该是保护和缓启动的作用。

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具体分析下啊  详情 回复 发表于 2017-6-5 21:49

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发表于 2017-6-5 21:49 | 只看该作者
maxnnw 发表于 2017-6-5 17:19
& |% O, `( P% m应该是保护和缓启动的作用。
  V6 Z. n' Z. O6 X7 Z5 Z
具体分析下啊

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发表于 2017-6-6 10:01 | 只看该作者
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 楼主| 发表于 2017-6-6 17:43 | 只看该作者
ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
4 C/ X. k1 Q8 a1 c. a) e0 o+ W这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1 ...

. R4 {% i) J5 i: f+ W1 l感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗8 p( Q; _1 B6 O4 Q1 ?) y% W

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[*]SI2312DS V 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。 [*]SI2312DS V 只能承受 1.8V 的電壓,你不分壓讓 17V 的電壓灌進來,莫死(MOS)管就往生了!  详情 回复 发表于 2017-6-10 10:08
怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用,只有适配器电压建立了2.4V之后,整个充电电路才开始工作。Ps:聚合物  详情 回复 发表于 2017-6-8 09:14

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发表于 2017-6-8 09:14 | 只看该作者
yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43
% _. r+ k1 e) V感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗
" L4 \4 L3 \+ r$ m
怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用,只有适配器电压建立了2.4V之后,整个充电电路才开始工作。Ps:聚合物电池电压正常工作在3.0~4.25V之间,低电压保护在2.7~2.9V之间。' N# e5 e4 b, R

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  发表于 2017-6-12 10:12
受教了。十分感谢!  详情 回复 发表于 2017-6-8 19:21

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 楼主| 发表于 2017-6-8 19:21 | 只看该作者
HengliangYau 发表于 2017-6-8 09:14
5 u9 O# o/ a  {, B怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池 ...

- a1 k) D- c# E$ E7 u. \  r受教了。十分感谢!

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发表于 2017-6-11 10:38 | 只看该作者
本帖最后由 xhy_hard 于 2017-6-11 10:41 编辑
9 ~5 c- [& n3 ?
ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13; ^* R, F+ Z' ?; E/ J8 Z
这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1 ...
+ [; o2 m0 S0 G6 R/ l( P

5 D" I7 B1 s; J! P4 U$ ~0 Q( W

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发表于 2017-6-11 10:47 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-6-10 10:08
  • SI2312DS V[sub]GS[/sub] 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  V[sub ...
  • 7 u# T- V: u3 W( x5 j. f
    用两个MOS管,是增加暖启动?不然一个PMOS管就能搞定了
    2 L9 s0 E# b& e2 Q1 v

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    一个做不了防倒灌的作用  发表于 2017-6-12 10:16

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    发表于 2018-1-25 09:54 | 只看该作者
    防倒灌的
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