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本帖最后由 Quantum_ 于 2018-6-25 21:19 编辑
2 |; H0 x6 D- N& G7 K, }' T/ ?4 V$ I
1. 第一次, 阅读SI 报告, 有如下几个问题.
* C6 i$ p8 k7 E( o5 ]& [& P( g/ w- M a. 如图所示, 其中的1T, or 2T 是什么意思. (*本人不是SI 专业). ?' L/ [6 Q8 B
b. 图片2中, 所示的时间261ps 是指什么时间.0 Y" Z. ]/ Z( n# m
c. 为何图片3中的worst case 不是261, 而是324 ps?
" m1 r1 J0 I D4 S2 j& c6 O% H2. 通常, DDR SI 的目的是什么, 主要有哪些参数或者指标? (这里指后仿, 即PCB走线已经完成)
( O/ e" H. e- O, _9 y
0 F( J z3 R' Q: L# \, X+ b3. 图片所示的Fail, 是哪个/哪些因素引起的? 该如何改进?0 E5 }1 p B, i) ~: i- }
a. 是走线长度有问题吗? 长了, 还是短了?
5 T/ N* e6 A, D: M b. 可是, 我查看长度表格, 却是正常的范围.7 i% N- H& H: y0 F1 Y0 ?2 z
c. 另外, 如果是长度有问题, 为何U13, U14 (Fly-by在u12之后)的2个devices 却又没有问题.- t$ x- y& d8 T7 ?! K0 y
- Y' U1 c; r. A3 }
以上,谢谢!4 J6 L) } \" p7 o9 |& i* u; h
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发表于 2018-6-25 21:18
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