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本帖最后由 Quantum_ 于 2018-6-25 21:19 编辑 # |) L s/ {7 b( g" R, x
2 g) }6 S" y' [1. 第一次, 阅读SI 报告, 有如下几个问题.
8 M. c9 u3 \ D4 z a. 如图所示, 其中的1T, or 2T 是什么意思. (*本人不是SI 专业)" o9 o& _! R) P7 ~9 ~
b. 图片2中, 所示的时间261ps 是指什么时间.6 `2 ~8 A( @( F/ t
c. 为何图片3中的worst case 不是261, 而是324 ps?
& [" V1 d* e$ L2. 通常, DDR SI 的目的是什么, 主要有哪些参数或者指标? (这里指后仿, 即PCB走线已经完成)/ m) }& s0 d Q) U# X8 _) S1 s
* G, l0 G. R* F1 l" U3. 图片所示的Fail, 是哪个/哪些因素引起的? 该如何改进?9 z! K! v' l; \/ i
a. 是走线长度有问题吗? 长了, 还是短了?" E% s0 K, C/ S' B7 }; N
b. 可是, 我查看长度表格, 却是正常的范围.
- N9 K( m8 H+ z/ c2 @ c. 另外, 如果是长度有问题, 为何U13, U14 (Fly-by在u12之后)的2个devices 却又没有问题.# k9 X$ _* t% k) ]- W# K
, d0 r- @' |" R3 I. ]5 b
以上,谢谢!
* c D' Q" |) w5 ^5 [" O5 ~/ K' \. C1 H4 f) m+ h9 c
! f! i7 u$ m5 g: l, Z* M
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发表于 2018-6-25 21:18
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