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关于QSFP收发信号的处理

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发表于 2014-12-7 11:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 kevin890505 于 2014-12-7 11:31 编辑
$ l- o. @# R! i2 G( p' t9 S
- x; E; g, ?( R1 v. T- I第一次弄QSFP+,完全没信心,请问各位大神,这种10G的差分(4对收,4对发)处理上有什么要注意的:% m9 Z% {/ l6 C1 O
1,收/发的4对之间应该不用等长吧?
- ?! l; V2 ]5 A4 c2,对于高速的差分,从1mmBGA中出来,BGA下方应该有>2CM的走线.下图neck mode或者每根线各走一个通道,对于信号那种更好?
3 {% y4 b& e4 q! ]3,10G的信号,如果没有长距离的水平,垂直走线,大约小于5cm,用考虑十度走线么?
, |2 P7 r. o! Q+ ?3 F如果各位大神有其他意见,建议,跪求!!
, M* }! ^6 \- V8 ^  p: I' U/ N  i3 J" e9 M" _6 t* T5 Q  w. X
还有关于电源处理,内核0.9V电流>30A,设计的是48A,这种大电流在处理时候有什么要注意的?
& B  W; \: [' O* r因为是长方形布局,电源在右侧偏下,芯片在左侧,中间偏上有2个DDR3颗粒(不一定会用),这一块地平面回流电流貌似非常大,将来会影响这2个DDR3么,准备跑2133M的。
( H3 u3 n, w1 r
- i% X  Q& L' q5 V: e% X我是很有分享精神的,不过大家懂得起,实在不方便上图。ORZ。
/ [  E  k8 T& J! w

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发表于 2014-12-9 23:34 | 只看该作者
我也来说一下,个人意见,仅供参考:  l9 b  [, q) {. R5 n$ F# U
1. 要严格等长;不管是差分线对还是TX,RX对,等长就是了,虽然我们知道后者是无所谓,万一软件调不出来,第一件事就是问你这个:等长了吗?你就可以胸有成竹地说,所有的都等了。
, [3 s; p7 G' U0 c, H6 A( w2. 不用说了,neck mode;
  o, G4 x' Y& {2 K+ F3. 同上,需要十度走线;* `* \- ?* v1 t+ f1 p. L: F4 g- |
4. 除了多铺铜,最好顶底层用2OZ以上的铜皮,电源是最为关键,对数字部分,我一般看重的是电源和回路。
/ [& ^3 s; B( _年底要发奖金,这个时候,一定要注意设计,如果因为一时痛快而被人抓了把柄,奖金分少了,就不好了。

点评

请教下,FR4采用10度走线是和材质有关,我们现在采用ROGERS,不知道还有没有这个问题还需要10度走线不? 大家都采用什么材质,有没有必要换ROGERS的板材, 还有个问题,PHY到光纤口的差分信号是不是50欧姆?有  详情 回复 发表于 2015-5-15 10:46

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 楼主| 发表于 2014-12-9 13:08 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2014-12-9 10:27
4 _( m- o2 w0 I) [1、收发之间无需等长,实际上走线拓扑一致,相差也不会太大;9 |: A. J2 a0 N# W) [0 n6 d' T0 Y
2、BGA内用Neck模式,一般是4/4的线宽线距, ...
5 q9 |; K5 [& l
多谢大神。关于内核电源处理,我目前使用4内层+1表层铜皮的方式。通流量绝对满足48A要求。+ [4 V) b- w( R7 Q
而且电源走向没有经过DDR,但是电源到芯片相当于一根较小的U形铜皮,   DDR大概位置6 j$ s' a7 _+ K
刚好在U的中间偏上侧,虽然电源不影响DDR,但是我经过仿真发现直流回路在地平面
6 b! }$ R2 S/ h, g( A3 z- Z上的电流密度,DDR下方明显要大许多,这个问题应该怎么处理?  单独掏空DDR和内核电
2 V! o7 x* B# N7 Z8 @8 R源地中间形成一个隔离槽的话会影响DDR走线下方的参考地,所以纠结啊!!!或者不用管?
- `& e5 |; S. z5 s# M& e! }

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发表于 2014-12-8 08:32 | 只看该作者
大力支持LZ  奉献自己的经验

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发表于 2014-12-8 09:17 | 只看该作者
楼主算的应该不对吧?0.9V/30A??还没见过内核功耗如此大的IC,一个IC的内核电压就这么大的话,估计什么散热都没用,而且那整机功耗应该很吓人了

点评

应该是瞬态电流吧,这么大的电流  发表于 2014-12-8 09:53
这个很正常了,我看到还有60A的,据说还有100A级别的不过没看到过。只不过在自己设计中,第一次遇到这种级别的。而且这个30A是DATASHEET要求的。  发表于 2014-12-8 09:19

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 楼主| 发表于 2014-12-8 19:36 | 只看该作者
cvntao 发表于 2014-12-8 09:17- J  ]9 \0 a! a8 @" O) _6 g
楼主算的应该不对吧?0.9V/30A??还没见过内核功耗如此大的IC,一个IC的内核电压就这么大的话,估计什么散 ...
7 v( |+ n( A$ }  O* o( D
呃 我觉得这个虽然挺大的  但是芯片是分功能行业差异的    随便找个I7处理器  基本要求都是100A,150A级别的,比较一下,所以30A的稳态电流其实并不大。
  d/ Q8 @' A5 [9 M/ L8 t) {% x* ~更别说一些专用通信芯片,核心网,接入网专用的IC,内核五六十A都是小CASE的。或者高端的FPGA,内核几十A也是正常水平。
3 M+ i" E8 T1 y; w: Y, |, ~- X) _& a' m* w

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 楼主| 发表于 2014-12-8 20:40 | 只看该作者
呼叫超级狗,跪求狗粮  

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楼主在哪里上班 方便私下留个联系方式么? 谢谢~!  发表于 2014-12-9 16:40

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发表于 2014-12-8 22:08 | 只看该作者
1. 关于高速信号,我认为一根走一个通道比较好,两个走在一起,一个阻抗不连续比较严重,第二个线太细损耗严重;

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发表于 2014-12-8 22:10 | 只看该作者
关于低压大电流,主要考虑两点,1,不要有瓶颈,2,板级频率范围内目标阻抗能满足设计要求

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发表于 2014-12-9 10:27 | 只看该作者
1、收发之间无需等长,实际上走线拓扑一致,相差也不会太大;
" U' Z6 D$ G7 k, b; B, F2、BGA内用Neck模式,一般是4/4的线宽线距,可以通过控制叠层,使其阻抗接近100欧;
2 l( H7 l: P& ~3 }4 l3、如果可能,尽量走十度吧。
+ E" r8 ?; q5 ]5 N: M7 f' Q( X
& \  O. }. {: V& f设计一个紧靠在0.9V的电源层一起的地层,两个层的铜厚加大,建议2oz,该电源平面不要到DDR区域去。
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发表于 2014-12-9 15:28 | 只看该作者
我想,直流应该对DDR的影响不大
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发表于 2014-12-9 22:24 | 只看该作者
1.不需要等长& s& V0 W* U" \) x! g4 I
2.neck mode) e7 L0 J7 r# o. x  P" j9 s( u
3。不需十度走线
2 O2 @% B1 s: G. b4。可以在信号层多铺几个铜皮0 _7 v5 @. c$ \. m! `; I- v
个人处理方法,仅供参考

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 楼主| 发表于 2014-12-9 22:31 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2014-12-9 15:28
4 q1 y, f: \: |- t' ]  f我想,直流应该对DDR的影响不大
# t) F, x0 U3 G: ~/ N
多谢大神帮忙。
, V" [+ F! L, {, a6 v

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 楼主| 发表于 2014-12-9 22:32 | 只看该作者
jhh610528 发表于 2014-12-9 22:24; P- ?7 I7 u4 ^$ B, m( [5 a* s" e
1.不需要等长
+ r9 f5 `% F) ~& g5 I2.neck mode
) T3 `3 ]* D; l. s/ V" A+ Q3。不需十度走线

. {, C0 Z9 K' ?3 w+ N$ B% i3Q , L# I2 Q( G" ]; r6 O

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发表于 2014-12-12 16:45 | 只看该作者
本帖最后由 panpan 于 2014-12-12 16:47 编辑
5 |7 d: ?3 H( D  d( a1 w2 @6 z( B! L% l- M$ q
1,收发之间不需等长- z* I! ^" P% h, B" h+ {+ S* m
2,必须用neck mode3,什么是“十度走线”?
. |1 y2 L; t2 m8 E$ w, {  d1 f: l! _! |
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