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[仿真讨论] HFSS PORT 终极解决方案(二)

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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:23 编辑
4 M! w7 N  m1 y* t: {) h0 A3 f5 y& Q, ^: W6 E# {
1 C3 r: Q7 m1 X; m
本文大纲
. O: I! _% ~% Y* |+ ]6 @
本文章分三部分:  G1 J6 ?$ }" ?, l& G5 j( o
(一)wave port与lumped port的理解: e9 a6 z5 f2 Z& X. x: J7 W: n
(二)两种port的仿真操作用法
. w9 ]5 y4 A; H' Q& t(三)S参数归一化的问题
. s" V3 C8 ?" W) x$ D# y5 ^说明:这里说的port主要是针对Ansys的HFSS电磁场全波仿真器( v$ `5 t' w6 F7 ^  W. j% |

( |% H, h2 F# D简单介绍下HFSS:; R! g1 B1 ~# H% X- r
ANSYS HFSS,是ANSYS公司推出的三维电磁仿真软件;是世界上第一个商业化的三维结构电磁场仿真软件,业界公认的三维电磁场设计和分析的电子设计工业标准。HFSS提供了一简洁直观的用户设计界面、精确自适应的场解器、拥有空前电性能分析能力的功能强大后处理器,能计算任意形状三维无源结构的S参数和全波电磁场。HFSS软件拥有强大的天线设计功能,它可以计算天线参量,如增益、方向性、远场方向图剖面、远场3D图和3dB带宽;绘制极化特性,包括球形场分量、圆极化场分量、Ludwig第三定义场分量和轴比。使用HFSS,可以计算:
5 t  N5 Y# C5 d- W1 V  v6 H5 Y: g1 w① 基本电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题
5 T+ q3 T! E5 Q0 P* S0 w② 端口特征阻抗和传输常数' ^  G6 u3 p# H' Q
③ S参数和相应端口阻抗的归一化S参数7 b) D3 }1 ^( Y
④ 结构的本征模或谐振解。9 U1 G/ U$ m4 S
而且,由ANSYS HFSS和ANSYS Designer构成的ANSYS高频解决方案,是目前唯一以物理原型为基础的高频设计解决方案,提供了从系统到电路直至部件级的快速而精确的设计手段,覆盖了高频设计的所有环节。现在最新的版本应该到了ANSYS HFSS 16., S- c3 Q# U% q  d8 x7 O
ANSYS workbench
, @9 B9 J5 H  L* R
" Q! o5 E* r  }  B8 w8 f2两种port的仿真操作用法6 g4 p; {! B1 j/ U  T
1.微带线下wave port' H! ?/ Z% R  m0 e" \
如图5所示,首先在背景的表面上画一个sheet,也就是长方形,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,减小仿真偏差,另外要保证port能够同时接触到参考平面和导体。
  d& M- `. j! g2 w
+ M* c, t+ O$ _. o* W: ~; I图5
* i  H& c3 \( Z) M然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图6所示。  k2 u$ t3 a0 q; E" r! u) }
" k" _9 N! _0 j/ W4 s
图6
6 X8 I& r. v+ I" u1 j2.微带线下lumped port5 P. |4 w1 u+ Y4 l
如图7所示,同样需要画一个sheet,不过这个sheet没有高度宽度要求,但是它需要一边接触导体,一边接触参考平面,注意下sheet不要接触到空气盒(airbox),不然仿真时可能会报错7 o! M( s* J7 j" a3 A
) A8 n! ]* N  i  W. Z7 U
图7& R, A3 O( e  Q% S5 b" P
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图8所示% G- v4 C* D0 E5 R9 q8 L

  G4 C$ ]" P! y1 Y" N图89 z) d, K& K2 t0 Y8 B6 Z0 \
3.带状线下wave port+ S6 [3 u: b1 M
如图9所示,首先在背景的表面上画一个sheet,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,另外要保证port能够同时接触到两个参考平面和导体。
. Y' n5 B9 |3 S/ @
0 ~+ T! q( v9 j4 `$ C1 @7 U# F4 T图9
" M3 k. {4 q) P+ v9 G' o然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好两个参考平面就OK了,见图10所示。# ^( w; i5 K* L0 M

8 y7 O* E  m5 @1 ]1 X4 w5 s图10
2 T5 M) ~6 J( B6 C4.带状线下lumped port
; s& c" C3 f7 M- |: b/ X$ W带状线下lumped port比较特殊点,因为有两个参考平面。最好下port之前将导体内缩一点以便下port,也就是说导体的边界比参考平面稍微短一点,然后在参考平面间画一个sheet,上下边必须要同时接触到两个参考平面 ,如图11所示,然后选中该sheet点右键选择“assign boundary”里的“Perfect E”设为理想电边界。
4 p0 B0 a  K( x- z4 |
5 ?; Q" D: v. \4 u+ w8 Y图115 ]3 L5 ~' l( f3 F, o
接着类似于微带线下lumped port的做法,再画一个sheet,平行于参考平面,且垂直并接触导体和刚才设置的理想电边界,如图12所示。( J/ u1 R1 Y/ {1 K, ]
- c7 i( J& N% S+ q
图122 N: {2 `. T. H5 q9 Y+ M
选中刚才所画的sheet,点右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面(刚才设置的理想电边界)就OK了,如图13
5 h: w4 B, g, s! {5 N # v+ O5 p* D" k( A
图131 F) i8 h. M5 m+ L: e7 e
未完待续.....
$ ^" u7 e1 A) u' G
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