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NPN的c接地E接电源用

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发表于 2017-6-19 15:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
% T. l1 B# k$ H9 m% g8 F
前辈留下来的原理图  q0 `5 H1 P0 o' }/ g  W+ Q
三极管c接地E接电源
9 @* E1 |# u- P实测可以用1 }7 h3 m0 z2 a5 x5 A
7 ~. {4 e% H" g" l8 a

6 }2 G' q7 O8 l
/ o& g! z( L! d

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又是一個爛攤子,圖改一改吧!^oo^  发表于 2017-6-20 07:50
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听党指挥,能打胜仗,作风优良

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发表于 2017-6-20 09:06 | 只看该作者
一看楼主确认的就是继电器控制电路,再看看狗版主的回复,豁然开朗

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這麼神奇!@_@  发表于 2017-6-22 10:05

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发表于 2017-6-20 15:35 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-21 08:19 编辑 * C% \" k% e- j5 y6 p' z
flywinder 发表于 2017-6-20 09:260 P4 z/ M( u, K5 z3 j
特意百度翻译了一把

, `! _! \5 }6 w我有繁中翻譯,是你自己不問的。; c3 ?7 ]+ Z- ], B/ Z9 U: k  ~+ @
% q# W! \8 a0 u9 b
5 J* A7 X+ w" d% J8 m0 Q  [
, ^! ^6 P0 K1 R  L. B- ?5 u
雙載子電晶體(BJT)如果射極(Emitter)和集極(Collector)反過來用會怎樣?- H; D$ ^: J6 |) s( f7 g

0 V# b8 t" c  V7 x* R' I雙載子電晶體BJT:Bipolar Junction Transistor)的射極Emitter)含有比集極Collector)擁有更多的載子Carrier),如果射極Emitter)和集極Collector)反過來用,被稱為 Reverse Active,會有下列的影響:
4 E% t. |4 R& a& B
5 }: T+ @* D0 t2 q1 A3 U. j- D8 i
  • β 增益會變小,需要花更多的電流來驅動。
  • 射極Emitter)到基極Base)的耐壓會比集極Emitter)到基極Base)的耐壓低。
  • Reverse β 增益,會比原來的 Forward β 增益更大一些。(原來的 Forward β 變成 Reverse β 了!)
    3 n; A2 @) a: u
2 S  c  N! `1 j  E* E
附註:7 c: H, q' ]& b3 k8 {
Reverse β 增益,就是雙載子電晶體BJT:Bipolar Junction Transistor)射極Emitter)和集極Collector)反過來用的β增益值,一般 Datasheet 不會標示這個數據。, D- E- T; Z! m4 v% Y( M7 L* y- U

+ a8 Y, [" D! q6 n9 O

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幸好见不着,不然说不定会被打,这么拉仇恨真的好么!!!我刚辛辛苦苦看完,发现有中文版的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。  发表于 2017-7-22 09:59
………………………………  详情 回复 发表于 2017-6-20 16:35
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2017-6-19 17:38 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-19 17:44 编辑
9 N- k( i* Y" S" A' u! ?: x
0 a, X- Y: `! G+ m1 kWhat will happen if I bias the collector and emitter of an NPN Transistor inversely?
& X8 s4 o& G& Y5 J' {8 xIf you use the transistor in reverse, the emitter becomes the collector and the collector becomes the emitter, and its quite simple to see what happens:
& e$ s) g% ?5 r( ?3 a8 S+ o
( X% ]- Z0 U$ @- u) j& |6 E! n
  • As the collector doping is less than the emitter doping, the hole current in the collector (now the emitter) increases, leading to lower beta.
  • The voltage withstand capability goes down, as now the BE junction is reverse biased, and the emitter is not constructed for high withstand voltage.
  • The effect of the thin basis remains. For that reason, if the forward beta is high, then the reverse beta will also be higher.
    8 J$ ^1 p- s' R' S# }  H4 H' F

$ Z% a* {4 [/ s2 M" |! V貼個洋文兒嚇唬人一下!, g7 M. d4 x3 i7 g. K

1 \2 s# H' U+ ~0 E0 z' c8 @
+ I9 J1 Q8 k1 T: d

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so. what happened? 大神已经作了证明  发表于 2017-6-27 09:18
大神用证据教育小白了  发表于 2017-6-27 09:15
特意百度翻译了一把  详情 回复 发表于 2017-6-20 09:26
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发表于 2017-6-19 16:02 | 只看该作者
NPN 和 PNP 反過來是什麼???
" J7 Y( g* b" o% ~% l; j" P# N4 Y8 F: `: `. ~; L1 P2 o
$ [7 c8 P7 e: Q! q

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三极管是可以反着用的,只是电流放大系数会变小,这个和两极的掺杂浓度差异有关(发射极的浓度高于集电极?),对吧,版主?  详情 回复 发表于 2017-6-19 16:30
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发表于 2017-6-19 16:30 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-6-19 16:02
, ~+ P8 w2 w" ]6 q( tNPN 和 PNP 反過來是什麼???
6 h* e4 a$ z) w2 ]
三极管是可以反着用的,只是电流放大系数会变小,这个和两极的掺杂浓度差异有关(发射极的浓度高于集电极?),对吧,版主?9 O/ D* J8 H& P! m

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你讓我想起一個爛笑話︰ 有一個叫林玉琳的人,每次跟人家打賭都嗆︰「如果我說謊,名字讓你們倒過來唸!」  详情 回复 发表于 2017-6-19 17:54

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发表于 2017-6-19 16:35 | 只看该作者
没毛病,电压不高就好

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kobeismygod 发表于 2017-6-19 16:30% s: z: ~& ]7 y/ _
三极管是可以反着用的,只是电流放大系数会变小,这个和两极的掺杂浓度差异有关(发射极的浓度高于集电极 ...

, i; U' @5 G. G你讓我想起一個爛笑話︰
8 f- P: ^" a* E8 x# M5 L& @- O; m. U; M8 h+ N- z
有一個叫林玉琳的人,每次跟人家打賭都嗆︰「如果我說謊,名字讓你們倒過來唸!」
) R, L  P, p% D; e. m0 l- J, o2 P- k) M0 h' r

+ r; t) J. Y* m. n9 w
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发表于 2017-6-19 18:18 | 只看该作者
本帖最后由 xynsy123 于 2017-6-19 18:23 编辑 0 l% A# O3 G) j5 R- n

$ c) `2 a$ D/ P' t( T* ]  J2 v8 `7 D楼主这贴说的太含糊了,不知道是不是我理解能力差。; I% a+ _1 D$ I1 p: y0 x- S. c
实测可以用,是可以实现什么功能?
( ?& s, [3 |4 |( l. J/ bKK2控制电压是多少?
2 m- {' Y% W- P' R1 q/ {; }VDD50我就当成5V对吧?; H$ o! I' Z0 w# I5 Y/ e
K2是接哪里?& R+ z; \; j: X
PA1A又是什么东西,我猜是器件PA1的,PART-A,但是还是不知道是啥?
. @" k' d: @; A/ ~# x7 e我觉得要再说清楚一点才好分析吧。------------------------------+ F1 A! a! l* v. B! T
以目前的图来看,PA1A当成是一个负载,当KK2,两种状态的时候,Q2的2脚是悬空或者0V,不过0V的时候,电流的方向不对。' Q/ {3 F, F7 n' t

# K$ g0 R9 l9 c( m, \" {5 f

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就是一个继电器控制电路  详情 回复 发表于 2017-6-19 20:03

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发表于 2017-6-19 20:03 | 只看该作者
xynsy123 发表于 2017-6-19 18:181 E  ?, j. O% y% D$ S4 Z# d6 N6 @
楼主这贴说的太含糊了,不知道是不是我理解能力差。0 P$ F/ l4 V6 M" ^0 j$ F' [3 g
实测可以用,是可以实现什么功能?
0 Y/ ?8 L# U! T( I! fKK2控制电压是多 ...

9 s5 G1 J( ~- Z, E- p& R9 |就是一个继电器控制电路; |  W! q% Q* g% e$ ~

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发表于 2017-6-19 23:37 | 只看该作者
是一个继电器驱动电路,认为还是达林顿形式更好些!

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 楼主| 发表于 2017-6-20 09:26 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-6-19 17:38. g) |) \3 l' ?6 N$ s, P: \3 G6 p! g
What will happen if I bias the collector and emitter of an NPN Transistor inversely?% y. A, d4 D; b4 L. B
If you use the ...

. F) ?: p) S* i) X特意百度翻译了一把% X9 _. _5 U$ Z9 R8 h0 k

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我有繁中翻譯,是你自己不問的。 雙載子電晶體(BJT)如果射極(Emitter)和集極(Collector)反過來用會怎樣? 雙載子電晶體(BJT:Bipolar Junction Transistor)的射極(Emitter)含有比集極(Collec  详情 回复 发表于 2017-6-20 15:35
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 楼主| 发表于 2017-6-20 16:35 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-6-20 15:35, ?6 N/ p- X1 S
我有繁中翻譯,是你自己不問的。
2 Z" t& d, s- @, \7 y6 [/ K% a
………………………………
# K% m6 Q* k* @1 q# r  D" u9 _6 a

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哎呀,看错啦,想点个赞的  详情 回复 发表于 2017-6-22 09:31
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不就是一個菜英文做的翻譯,沒拿到需要這麼生氣嗎?^00^  发表于 2017-6-20 21:14
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 楼主| 发表于 2017-6-22 09:31 | 只看该作者
flywinder 发表于 2017-6-20 16:35
5 I) h, G) a: n* S/ s. {  z: W; f# W% \………………………………

) q  Y+ t, @* X, i哎呀,看错啦,想点个赞的, y# F5 I: H7 k/ d* o
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发表于 2017-6-22 15:56 | 只看该作者
用PNP吧,这里做反相器用。KK2为高时,输出为低,导通灯是吧。不过灯那边也应该加限流电阻啥的
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