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yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22 $ q5 j8 Q! F4 o. y j+ g0 R
你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上 ... & r% @8 p; q( T% H% s ?, y
% r' M, u: a0 ] p线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch
! j# e% G0 h x! |算出来特征阻抗67.93ohm
# ~+ W0 Z/ Y% X3 W
* Q' h( n/ M. K) Y8 l* y% j端口归一化 阶跃响应 TDR# v' E L9 p6 q+ M( Z" k( [
可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远: l' |0 F4 v( p: }" V! B
2 ]' R- Z% f$ K& w
取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下
7 G! Z( e6 t3 V8 `
# {, M- s& {2 |) j. _0 R端口归一化后的 冲击响应TDR9 ]/ p5 V9 ^. I$ P
阻抗变化在1.16ns处,且阻抗仅在100ohm附近变化! T; d8 }$ ` w5 i. @
2 R) N$ g+ U& C8 |9 t, {8 B1 t
端口未做归一化,阻抗在0.14ns出发生变化,这时阻抗为负数,在-100ohm附近变化。
. a; E5 a( u4 ]0 b6 o- O0 g6 j3 x2 _2 R, O. M* t* I+ [' r; z! A
5 `; u5 s5 z. ~% M- z U* _% f
归一化后的s11( L& I$ H6 Q! i. b/ G
# U* j% s- x8 E2 z- \1 U9 Y, d
未做归一化的s11& u( ~! ]/ Z" q- c
/ G" I3 ?: O! Z1 O* Y首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大,到底应该以谁为准?3 z/ {; Y6 A: R8 U! f# z
端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果?
- Z% Q' w; f- A0 h, R为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数?- \7 @* D7 D8 u" M ]7 H
此工程中的差分线是阻抗连续的,为什么TDR图中,阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的
9 n3 {( x3 C( B5 E5 o3 n跳变时间不同?
. q0 b3 k% C) Z. h# r6 V0 k4 r: ^; U' x& J
以下为具体设置和工程文件& A, {7 u3 Y4 o5 ?, K* j! c
& _! P: g# [+ B9 w" X3 ?
& d4 i Z7 F) z& \4 b& l
+ V3 [% ~( y5 Q' b$ o8 j
( I3 |( Z5 C9 R
$ ]2 z6 y' j3 ^1 j/ Q. F( k, L
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: X$ V% h4 a/ Y" d( R6 a
; {8 A6 e0 ^: t5 `/ A+ }: f M
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+ }& U) q3 v* W4 d2 y
9 R' u" x% u- M( I! q
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# _: E% I5 m# V
: t! E% Q B( Q
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# X9 ~: P8 w7 m- I
2 t# C# c! c7 H# C' l$ { |
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