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主芯片推荐的过孔为：内径最小8mil 外径16mil 走线最小为5mil1 CLKP与CLKN为一组差分线，差分线传输线阻抗为100欧姆(并且要立体包地处理)
6 v N4 D U/ |采用T型的拓扑结构，在支点处接50欧姆的上拉电阻
( K r( H/ t, q" c( R保证分支线最短，至少小于主干线的1/2长度1 I- C, }9 o9 S4 m. g( s
CLKP与CLKN要严格等长，偏差范围为50mil, 长度不可以超过4000mil
3 j3 j7 @# j0 n& {' Y" p# s' A2 DQS(Data Strobe Signal 数据选通信号)，DQSP与DQSN为差分等长线，
, K2 m4 F7 s4 W$ w1 T& R严格等长控制在50mil之内，以CLK为参考，允许的走线偏差范围在500mil.+ `, i. V+ u" I3 H$ S+ j
DQS差分阻抗要控制在100欧姆* O \' C y$ X! T, \% Z3 l
3 DQ(0:7)走线以DQS0为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
8 x- ^% x& s- A$ X0 ^! W DQ(8:15)走线以DQS1为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
6 \) r( P" v9 R# M5 G DQ16:23)走线以DQS2为标准，允许的走线偏差范围在50mil." w, y% F# W2 t3 K( O$ q
DQ(24:31)走线以DQS3为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
8 l+ |& }. H' Z2 v9 \4 DM0走线以DQS0为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
( G' p" `& l1 G DM1走线以DQS1为标准，允许的走线偏差范围在50mil.% k$ w$ O5 S+ z7 a* w7 x
DM2走线以DQS2为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
! f6 Y- }# G6 N5 r/ O" d5 ADDR(0：14)以CLK为标准，允许的走线偏差范围在100mil.4 @9 P+ S! G& t# P* Y
6 控制信号线BA(0:2).DM,CKE,CSN,WEN,CASN,RASN,ODT以CLK为标准，允许的走线偏 ( x# _6 s: C# w2 ~
差范围在100mil.' @" f; w. y$ m$ P3 B1 e+ O3 q
阻抗控制50欧姆，单端串联接33R
~" n! P4 j( N7 M, I' u请问各位大神，是DDR3的阻抗线是否要求制版厂控制阻抗，还有DDR3仿真用的是什么软件？
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发表于 2016-5-24 14:19
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x谢谢分享 B/ p. E# ? `, R& G" ]) h7 g% i( K
