找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

巢课
电巢直播8月计划
查看: 3448|回复: 6
打印 上一主题 下一主题

WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

[复制链接]

51

主题

405

帖子

4530

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
4530
跳转到指定楼层
1#
发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
   在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。2 k! Y+ E4 O  O6 Q% z
   我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!
# W! h" M9 `8 i% E6 G' r/ y, `# M

评分

参与人数 1威望 +10 收起 理由
admin + 10 赞一个!

查看全部评分

分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友 微信微信
收藏收藏1 支持!支持! 反对!反对!
一朝英雄拔剑起,又是苍生十年劫
唯刀百辟 唯心不易

93

主题

157

帖子

1919

积分

EDA365版主(50)

Rank: 5

积分
1919
推荐
发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑
% b, y' U4 h7 \* Z" M; Y) h
' S1 _+ O' a1 e, a2 W2 w* FACLR肯定是受输出功率影响啊
: e% R( [3 X1 b: k& [: V& O$ F8 m. _/ ?1 M

( w5 E3 R. l0 o# m1 b' n0 C( r+ i) S: w4 W3 C/ Q
' l: C0 J7 K2 z( R- q% X
* J$ K, U& r. C7 G( g# q3 Z9 k
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
2 N" w& K* n0 h7 z9 q
  t+ b; g$ j1 J! a

4 B! T! |% B3 Y# k- y# j& B5 W6 V

# D0 R# d) q7 {. d8 z2 _# Q, e3 y5 f& S0 ?
1 o* @( |2 a8 E/ Y9 ^1 Y
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
% o1 x6 N+ |9 Z1 }" E, |/ V0 ^! b6 h& j" ]* {) m% q, g0 z8 Q$ s; q

9 [5 \+ H/ l: B. u

% R) s, `" m# o  g
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨4 `% @+ @' B: N: G0 J
, c0 Z( D6 h- u: I1 D/ d# A

9 c& l* C0 p5 F0 z
% E) j. o+ g% x' F+ D' i, }4 y( Y1 N3 e

; r. I) @  @/ q) c( x( |. Z* O
而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3
1 R% x6 S7 V, e  [* y. e, y
0 N' a+ C5 ?, A8 s' |5 ]

. d( e* |1 a$ F+ h* B* y
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低  }6 `9 e2 p$ F: v. j
+ e9 c! P& W& M; @9 S

  x6 V8 E- n' B9 e# b0 [! L, j- Q" \0 w2 W! g2 R: t$ U
$ o; s+ [2 |/ `; k( |
% f) r% C# F# N  E4 L8 W

: x: ^1 b. y6 }# S4 Q! ]& e( \7 [# m1 T
* d4 ?: S5 Q/ r9 f, ^" F- U2 {1 \8 Q4 p: F0 P, ]3 o
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图

: f* H9 H5 M  ~, @/ Z5 _2 k8 O8 b5 d
* y1 P; S% k' X- T( W( U4 E

3 y( W: Y/ I9 t& |$ D& F' X

  H9 X" n; L; \0 C9 I# |. d
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流

2 v2 ~. D9 B/ z' ?2 j( l

3 z4 f* J4 a5 n# L( r0 |2 g& N
- l0 Q! g/ K; W' G/ m/ o
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)0 E+ u. O$ E! Y& A2 s* l8 L7 a

# Q4 v: `. Q5 v8 T# _4 ?' Q

5 m( F! G0 ?: i) p; j
# k' {/ k5 g' u8 G5 ]4 p6 o
而WCDMA的方块图如下
9 h( P$ m- \- l% A* s$ |+ S
0 n, k& Z* x$ f! Z$ Y
6 C, w( @' e# k( _! Q
PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
统称为PostLoss
如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :

" k  Y8 p+ @7 }

: w8 u( E- U& k( b) [. [

$ ~# }0 O3 l% U- p

- o) M* W: z5 P" x
" l8 ]' P, |$ \$ O- V1 S
如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化6 {. K9 s0 W, G

' u! S! l2 b, _) t8 W. X3 r7 ~" E( w' q8 B. f
  q9 H- e. \9 ?
9 u, P$ {) G& M/ z9 B/ {" {. a* b

- W1 O: ?& e( }; m& f# ?7 J8 b6 w8 {2 X1 I; N

7 \( t$ A& Y. F+ ?
6 h0 R2 Q6 Q, b% A. l' k
4.      
- m5 X" f1 L: ?6 R! o5 c* X

% o+ n0 w/ \) f+ R
由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
加上PA是最大的非线性贡献者
如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
都要求至少-40 dBc
2 N( _  D* i7 n& u4 \* P: N
4 v! O% I8 f' G6 R/ k1 G0 n

/ O  y$ C8 [4 \6 _

" q( d3 ~% S; `
亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
(由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
再次证明ACLR与输出功率有关)
$ J' d1 s6 X' u' @

* d5 b5 A, Z& ?* u2 }
! P/ E3 l% U! b" e/ W& }
5.      
LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
进而使ACLR劣化。

6 @, W9 O6 [% B4 @; o+ F; e6 _$ }" ?" }

6 [& b6 a' t! H& H1 [) K; r
所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
可降低其IMD3
进一步改善ACLR。

# j, @0 t/ _7 q, K) w% Q: I
/ n+ n% \, l* X
若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。
' W+ N- g1 A7 t( l, y, D0 d% N8 r8 [
" d  ?) C. Q# b% X( `" `' U4 O! I
6 j" f& y* w9 I: k
而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好
# K4 Q9 b; @6 R' Z! v1 k+ Q& q. e

6 P$ B4 X( r, d7 ?8 F1 i1 ^
" e: b4 A/ t# @1 S- I
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
0 J- x! [" K- U' [& Y1 @) \; P
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

" C& A& o9 Y0 ~5 l0 f
0 o- G: `) t' G% i; R- r

# L% J8 v! w' K* y
这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,3 W0 t: I8 s' R
PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
* J) f0 y' p0 L  y
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
" J# @$ [2 _" `; m, |! i6 r

7 R# Q# o. e  a8 Y3 x+ _$ W. s7 a2 X* S: N4 I9 I/ Z# ?
3 {3 b7 \$ T4 X7 v! m

& @8 H7 F$ {2 b+ m# a# [; B8 C7 H2 R/ O4 Y# X9 _% h8 I
5 n) M' I& P6 f4 A) D0 |- f) D. `
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

# A' M0 f. Z+ I& D# @/ r3 t: E
" W3 F- P% X- E- j9 _  b) [
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

! J  [: l+ e% R/ d( n: B/ s

' ~) H* U. G  G4 {8 q/ _% h4 ]
若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
' L/ e" m2 c  p9 S

- O8 r% f1 E* _+ \" P

! A: J+ w- V3 b% W! t0 r* {
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

! n" V; W3 I: ~1 N

2 V% I# z4 V! N: l

6 F. E0 X2 q& J# n# I- g9 S# \7 s
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
即Cgd, 如下图 :
/ _) h) T; H( `# J# C
# G: e. }6 k! i
' B9 a5 A+ |0 |) m8 H* ~# ?! E

1 G$ k3 d& N, W5 `4 d$ F! H2 j- J) h1 E) I3 Y2 k+ I3 V9 a
5 i- z9 B2 j+ W
而当电压极低时,其Cgd会变大。

/ X" q5 @2 k4 n3 z1 d2 x
                        
0 F# X" Q9 X- h6 F3 T0 u; \
上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,
3 W) h+ Q7 r% d1 f' t因此部分输入讯号,  c# L. h5 U& \' C: M; x+ Z
会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真
3 u& D2 q1 T3 e0 _  {5 G4 H% K1 ~简单讲  低压会让PA线性度变差/ I8 }+ J( p2 y; B6 G/ \9 `9 Y
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小. f8 k) ?: i( g* Y& o3 r: N
那么ACLR就会差7 ^% k( a: O* n4 e( n) `2 e. [( Q
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要/ ?, P' O9 v! E
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
7 y3 S) v: ^6 j1 `9 Q那PA输出端的ACLR   只会更差
5 C; f+ A  C' w( C: r8 [3 [/ y, t9 l& w: V" T

  S( z! I: t* @* ?0 m1 {4 A! {4 m1 o' b2 A' q% C

# j9 h8 U5 `4 U5 `6 `
1 X& i' g( E: @) I% Q! M6 I$ l# M4 }  Y0 @
" ^6 U4 U4 k' a* q! Q6 W6 V) Y, m2 D

3 d* @+ I. n* d5 P: K( e$ }' q' w' a( Q; G' P( g. N; i  Y: \, h

0 h$ T6 ?. X' k1 w* g9 ?9 o; w! U' I% F1 G* k
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
3 t9 |- a' B  E; z3 _: k

* a5 A. E7 Z# @) l
而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)6 P, b: q/ O0 V5 z/ S

" [1 P1 M9 a! W! N# m4 S

8 {+ @( u4 ~) F" O5 r- \& r# A3 _
3 [4 {. m& U+ ^& U
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下% M! P2 K# u% ]+ Y
3 I! e7 S" u( t, ]2 n1 v' s0 `
7 `: j, q* V: w/ `/ R3 u9 y

0 w8 y  A( e2 u

  b6 a- u7 t! \5 M6 M1 R4 |6 R3 ]: g0 i1 v$ s
$ {1 |, J9 b1 {. V) S; P+ V9 E

1 g! g1 d2 q+ F1 r; g
  O6 t5 v8 `" O' w7 S0 O/ N
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
6 {  i" h- L5 G+ v) q
) }$ d% o0 G/ M- g$ `8 c( I4 m3 u
$ ?( W* Q  y! I7 F
由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧

; c" {* H5 a4 d2 Z- S0 T
# q5 k% M/ Y, x6 f% _  G7 `8 {
) M' y! m  ?# u  W
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHz的ACLR
但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR
0 u4 X  c) n, {- h

( M4 g2 }, ~3 S9 O' _7 e! r
+ H* a6 Q- G0 ~4 p+ V$ i5 b. u
因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
如下图 :
4 E$ P5 P) @! O; N7 G. p; {
' x& m$ T5 u$ D7 W$ T1 T  g' ~

; P7 _4 k/ K3 e
我们作以下6个实验
0 d+ b# l9 T$ L2 p/ m

# t1 X0 b7 u. N; ]" l) X
2 P; `% ]2 d% R4 \* Y; I

8 k% N4 I5 v+ D: Q* x6 A$ e
, z4 F/ c9 K; z% _+ W

0 u( v3 X4 P1 N0 Z+ a9 L3 h
' O  b2 |$ H0 K* f& O
* }; k) F3 X; E' z
就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
其1MHz的InsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大

. n8 h5 a! F( Y' q3 V* s

8 T: H3 j  l$ G
! m& S1 E3 F- Q' A# Q& Y$ l: O0 G. R$ U" r: B  T. f' \1 r
& D; M2 f' h: ^

, T' ^. S  m+ B# E1 s# c0 O  `: W  L2 ]
  N5 \7 o7 y9 _' y) L% S# r

1 b6 A% Q# S7 [! {' ^  V
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用' E1 {6 I  Q' f; Z
7 b" I% H$ f6 K/ d, N; N: E5 N

. K4 ~4 f$ M2 b% C8 h

/ L, V% ]" v2 D" N! ?7 ^6 E4 R

; Y8 r9 _( l9 |; \  F' G: ?0 U& A/ h% p
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化

3 x' ?9 o4 b9 F8 J6 c
/ r$ U- y+ i/ e2 G9 w
2 ^2 G4 x3 B" N4 T) F/ [' i" F$ g2 [4 f4 ?2 p, |7 t- a' b! k5 g$ |
/ }+ o1 Z6 ^5 r1 t9 S5 K4 x/ [4 I

0 K: ]0 h- f9 y2 N# S7 n3 Q8 \9 {( v
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向

9 L- O* ]" a8 W
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

, k# w2 L3 M: _( x# \- H! q* _9 _! ^: t: b* ~
( Q- X. b# D' l
其他详细原理   可参照  ; q8 ?2 F8 G" t3 c  f; W
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ... 8 Z5 r1 \$ d  F* Z: u7 H( \
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  & b8 K, t5 i! y2 Z
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...) A+ X) j. J  U: w3 e! o2 l* `; U
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析" j, c$ {4 [: V' _$ K+ ]5 a

8 ]' f$ [- ^+ V( g/ ]  在此就不赘述

1 Z  M+ A/ A+ i' K5 w# l5 K* w5 \$ X! T& T. _$ h# b1 Y: J9 L( D

7 v0 T; a) M3 a7 b% S6 B" m3 `/ m

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
支持!: 5
虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14

51

主题

405

帖子

4530

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
4530
3#
 楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
criterion 发表于 2015-3-8 16:32
* B6 c" o" S+ f( w# `' |ACLR肯定是受输出功率影响啊
% l  _8 w) s' D% T8 j. W5 P3 k+ k
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!8 A( t# L( {5 s) h; X* ]( k* I

点评

另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08
一朝英雄拔剑起,又是苍生十年劫
唯刀百辟 唯心不易

93

主题

157

帖子

1919

积分

EDA365版主(50)

Rank: 5

积分
1919
4#
发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑
2 P- e7 h) \2 }8 E
[url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]
0 t' k/ K9 a, L, m

% E! b% ]! O) T. i
# Z; y% I* @8 v' D2 W7 `3 I* C9 b8 Y' m4 U
+ u1 k8 `( e/ {1 u& X3 S5 l

; _0 m! p: u) @

评分

参与人数 1威望 +10 收起 理由
admin + 10 赞一个!

查看全部评分

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

巢课

技术风云榜

关于我们|手机版|EDA365 ( 粤ICP备18020198号 )

GMT+8, 2024-11-26 08:31 , Processed in 0.081183 second(s), 43 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表