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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑 ! j, E. m4 D; d
- {' r: h  H  Z# o2 u
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应

1 Q) A! a! E+ D2 Q! Z! z

+ i7 K7 j. y5 d  i, c, L) M

1 O! n9 G+ j% m) {  j
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
: q3 e2 o+ [& g8 g
5 d0 m( v8 D( |
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨

* v" u) l4 t' I# n5 P) R1 i& ^
1 D& Y% p2 P6 E6 L0 g3 W  x4 ]' G
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

4 ]: k9 _0 M+ D; X" l" t2 X
1 c1 e: J2 l- e. E" A5 |; c
, ~$ ?2 i; J5 g4 w- H
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
1 V+ ~2 R6 `2 F7 W# ^. ?' O; S7 Q5 o, p( y( I" I) |
2 m% l' ^, E( h. P4 }  ]: n) V* I, z
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图

0 O2 i5 v3 @1 ]! ^- ]1 n/ g3 D# n; j( X9 D# m! c& T. z& c! ?$ l

* N' o0 K8 A2 c" c' K7 `9 f4 `
+ h2 y3 D( l0 Z+ |
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流# b, Z* N9 b6 B( W* ~3 ~
; Y3 i8 g# w9 g0 C+ W% W
! @& @7 Y3 `- d& m
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)
( f% j& A% M( g1 d4 u5 y
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。4 `% J  f7 ?1 T. Z: y) `
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

) v6 ?1 q. ]3 A4 j, t

' E) ^1 x3 [; g: P
; c$ t. W( z4 [9 Q( n+ j, V3 [, i5 I
这是为什么呢?
/ H4 n' |! ~1 p1 F- N! r
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR," V3 r+ Y5 [$ x- ?7 C- o6 g
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。( M$ x/ g1 c0 l7 k  [5 I+ Z5 I
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

/ j5 Q3 |% [" T8 J2 a7 _# _
  j* n/ b$ l1 X
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

4 {8 I4 F2 n% t: D
" s2 S: `* Q+ X  `
- w  h$ i1 [5 i: t% J# _, U
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

( y' r6 M) T' i5 O: T9 a3 f

9 j  ~) C6 e4 `/ z
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
4 Z5 e; J: u! n: R$ n4 g

% [9 E% j# _/ p1 }( ]) N
9 q/ \" h+ B4 \+ F
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

4 ?9 S2 g- v/ w% m0 W8 V5 H9 C
) S% O) ~, d- p. `4 v- r
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :

9 f1 l7 T$ G, \* F/ b

' t# p. D9 |6 Q9 O

: H! b# z( K, e# p/ J6 a
而当电压极低时,其Cgd会变大。
4 [4 W$ r+ k3 H% R8 i' ]
                        

  G1 D1 |6 |5 f; D2 a
1 Y- ^) a3 N* f
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差9 v8 |( T, J; J# d# w! q5 D1 `. Q

( @0 o; S6 A0 n( K2 e* Y& j9 a: R, i: J  V
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

1 k6 b5 N: B# J9 p5 F
( N! F0 a2 z" x& q+ p+ v4 a
0 F/ ?$ A; {" D- r3 l* n
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
8 s; J9 [8 z( ~" c
$ Q3 U) m! K' D( C0 Q1 K% e3 U- l0 A& i
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
7 e4 q, a; [- W2 U6 }2 D& S8 k3 s  ?, A$ v. K3 G

( `6 l; U- K) R6 b* r+ _+ i! I5 s
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :

. n; `6 x+ z$ @' D+ v

+ L- @! O) m/ z5 T) a
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧

; q& N/ @5 H5 ~" T( c/ I% c

" ^: R( N1 o8 U. ^+ ^
( ]8 t4 `% w, l
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :
; g- e4 l0 Y3 `

  b+ X( e( T# ^/ w8 |
我们作以下6个实验

2 ?& t0 A4 Y: [, I( `$ ^. S# t
! c- c  C; k8 J, f. p
( X6 g) N8 E3 ^* Y7 k1 S1 v( @
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大
0 t; v" {3 C- c! n& v; A
0 E1 W1 M4 b* c6 M
6 u3 n. \3 y5 Y  T' ^& A8 o
% O: W. o/ m' `0 {6 }2 I
1 L7 W* W* y3 J3 H, b0 G
0 f  T" h2 H: ~- F( [2 }$ y$ N) o

, x9 o7 Z1 H& K9 `

6 y  {% _3 W4 U2 u5 D  f
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
# q+ }4 B: z- v+ U% @9 _
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化0 ?- A+ |; g  j! C

) x' }0 z0 f; T5 R! V
  x" d3 z$ n, n  d( N
# I, g7 c6 ?3 }. G$ Y! h4 H$ Q* t! Q& \$ J; W  U. Q
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise
9 J# h8 [' `' K0 w
" O  q8 W- |9 X( Y- Z

- \1 Z/ `- w8 l' S: B
/ S1 v) n; @; y: h3 R0 E3 C. D  K( F9 \
其他详细原理   可参照  
' p- V2 M7 N3 g EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
3 N9 D; b6 ]9 a9 t0 `- \) ]2 ]
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  
6 t) W9 e$ {8 u& `EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...1 _& Y0 s% h6 T8 T: p  V, y
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析3 _, p: B) _' X3 d. A0 r7 a# L

) [: O3 l# `# B2 [; e4 u  在此就不赘述
( f3 m' X( p8 _, A: ^" S* U
2 Y3 H' y/ P- f, r9 |% R

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很好的贴,赞一个~

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好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

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发表于 2017-3-23 17:09 | 只看该作者
好资料谢谢

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