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[仿真讨论] 系统级时序仿真

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发表于 2014-1-9 20:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-9 20:39 编辑
5 B" y0 Y& X/ e) c, E2 T4 M- W) C! _3 v! E; H& G5 b6 [5 o
说仿真,其实也不真实算。对于时序的仿真暂时来看没有哪个工具做得很好,往往一些参数就把我们搞晕,更不用说时序参数的代入了,这次有机会对系统级的各方面影响大概了解了下。与大家一块学习讨论。
  U5 q/ i0 v% v( G8 V$ B6 c0 F. q$ i1 S7 w: Q
1.芯片级的影响因素:
( l# s! u- t5 x" L) M" B! K& B% o6 utco:主要是时钟没有,而其他信号又不一定一致。这个值与芯片逻辑门电路结构有关,STA仿真后可得出具体值。3 B8 g  h% e$ W! i( S
tacc:又称为delay element,dll的step长度;对信号最长最短时延有影响。4 L% _. @6 r- g7 d
clk(skew):时钟树结构有影响,一般芯片端会做等长。
+ @& A7 r3 \8 D3 U: ^
4 d7 |! A! i6 ], n, s. W1 K2.I/O的影响因素:9 ]7 }& d; t' i* s  a
delay:I/O delay,就是各位大大们之前讲的buffer delay,大家先对应下。不同的buffer由于内部结构不一致也会不太一样,也会由于外部条件不一致会不太一样,这个变量芯片手册称为tcom,芯片端一般叫OCV。7 ~9 n5 k' {, a/ q: k. D2 h5 ~' i+ B

2 B/ r3 W7 C! W3 m0 V, A% n3.package影响因素:( b& z0 L7 W5 f8 D+ H
RLCG,当然用S参数来表征会更精确,因为crosstalk对skew的影响。
! M! M, i% \& P) u( X
* n9 N0 Z* R" o1 x/ ]4.PCB板走线:
$ v2 T! T3 a  W& F4 i0 u8 {' Y大家最熟悉的,一般会按照spec要求进行等长处理。9 p$ [: u! a' R4 V; r0 ^8 e

7 C4 s' W  `# X5.软件调节:4 W0 C6 Z; j% M# @
dq-dqs:tdelay延时,以满足建立时间裕量;
! E$ @- i. ?9 G# vdq readQS偏移1/4tCK;...  x" I& \8 T2 I9 F

& Q  i8 W5 ]% Y  O, o希望可以让大家对影响时序的各阶段有个了解,能对PCB设计等长策略有更好的理解,可以做到大致估算各时序裕量情况。
( {( i! L2 x9 s2 z$ R0 D: [; r+ b$ R$ i
此次讨论希望大家热烈参加,仅讨论静态时序,不讨论操作时序。今天就写到这。
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 楼主| 发表于 2014-1-10 14:30 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-10 14:40 编辑
6 F: X2 Q1 b% j, g1 \, V, P9 z8 k2 Q3 g9 W
在芯片级提出如下问题,可以让我们对时序调整的原理进行理解,并知道实际上我们板级考虑不了的内容:
6 l# T" H- Q/ b+ L8 nDQ与DQS写操作比较时:setup时dqs一般偏移半个时钟周期,(由于加上setup,计算时为一个时钟周期)而holdup时由于减去tds因此为半个时钟周期;
' [& E1 F: M4 @+ E; e: q1 r: H- L; I: X4 Z9 I6 F
DQ与DQS读操作比较时:没有时钟偏移,因此DQS偏移90度,作时序对齐。(初始为0.25时钟周期偏移), @: b( f( d  D3 @# H# |4 b7 c7 w

6 A) a9 ^$ N! r( MDQS与CLK信号写数据时:比较时对tDQSS参数值进行多偏移一个时钟周期,裕量的确会变大,但实际多出的时钟周期的裕量是否会存在,但用0.25tCK进行表格公式时,时序关系不满足要求;tDSS,tDSH参数比较时,有一个DQS_HIGH时序关系(大约半周期),其原因是什么?
- p9 `1 `9 d7 i2 @: d
7 W' i8 @5 j, a) q7 b3 x2 QDV值与delay element为何有5倍的关系,为何有2*tphase+4 * tPhaseClk_err的关系?数字dll或模拟dll的delay line值是否变化?; a) S- p3 e& V$ l- J
. `7 [1 _. f2 N4 M7 Z7 A3 v
芯片级pulse width的各信号如何获取?! B2 Z( U* N7 Y0 R0 D

1 I. Q" P9 Z/ n: t6 l1 O: TECHO gating
6 u4 V$ J' o7 t3 k$ ?. X1 y; r/ _  l) W6 C
4 X8 D7 R8 }6 z* T

4 E/ P4 s; u: M4 Z; J. P这张图片最左边为控制器->PHY(IP)->I/O(仿真时的buffer特性)->package&board(图中没有画出)->负载DDR颗粒。
9 O3 D; g# S/ x( @3 W5 }
7 F% n/ [/ S! O4 E1 O3 }$ F, O' h; T从图中大家可以清楚看出影响时序的各个环节,下面先芯片端的影响因素和大家道来。

databahn_ddrphy.gif (54.46 KB, 下载次数: 0)

databahn_ddrphy.gif

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发表于 2014-1-11 08:46 | 只看该作者
好贴,啊,继续啊楼主,学习啊

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 楼主| 发表于 2014-1-13 22:22 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑
! L  G6 S& A$ }$ j* r$ \
+ w+ V% K6 n. D" z  y3 j从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。
/ Z2 B* O- {8 Z& T) L* K图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。
/ e9 v- m- L2 y+ V( D+ N9 J此处:" H1 e, A. u/ i5 u2 [# O6 [
TCO:由寄存器本身参数特性决定;
$ Z' m6 q& u! W1 H9 J7 }; _TCOM:主要由芯片layout时走线决定;
% I3 U6 z+ n+ y5 e( A0 lTSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。1 o& b9 S6 `6 W& ~
而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。3 v# e3 j4 \, p0 B
对于地址网络,需要满足:6 O8 G- O7 y0 W; S
max delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;* ?8 |& z4 |2 j) p9 Y8 t

" z% F( f/ v; |6 j) O  }9 k: f: @对于数据网络,需要满足:
; w; z8 y" B( U( E) ]max delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。/ B% g& u* g$ e1 ?

& J! t' L% m! u6 h2 w7 _( e上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。: Q7 s3 X3 v+ e3 m0 @

8 l5 E. ^& a) z% L% _; j5 ]8 L- |' I而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。

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