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DDR设计规则

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发表于 2014-3-13 15:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位大侠:
3 M3 T4 e7 l3 I2 G5 A" v# Y6 U% i- ]9 K, a) a7 D5 [: S
        国产MID太多芯片都会用到DDR3,但设计规则还不是很了解,哪位大侠共享关于等长线,容差的要求。
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发表于 2014-3-13 23:55 | 只看该作者
我也想知道,自己最近也在研究。期待高手点拨。' T" R( G+ U' s% F1 T4 h* R

' l+ y* p9 E* N. Z$ B5 N' {我了解到的:
/ t2 G: y3 ]' N% r6 u5 V) r' a, G" ^; ~1.首先就是信号长度匹配,把信号分组做长度匹配:. }0 y' \2 D- e7 T: a0 F2 K4 f
数据类:! ]# O8 H$ ~" N0 Q( ?: {7 b
(1)DQ0~7,DQS0和DQS0#,DM0一组需要做匹配,至于匹配长度应该怎样确定还没有弄明白。" O' s$ u$ j! r; I7 H: l) K# o
(2)DQ8-DQ16,DQS1和DQS1#,DM1分为一组。- N8 l! F, Y# S
(3).......6 ~1 |0 a$ n! ]0 L: B
(4)DQ24-DQ31,DQS3和DQS3#,DM3分为一组。
9 ?1 B; N* }1 Q- t/ O1 [) {
" S- s2 A0 Y: u3 f( X3 U剩下的地址,控制,命令和差分时钟分为一组。(或者把差分时钟独立出来自成一组); G, {, P5 x3 l: a: e$ h
) h; |0 {' j% l& V$ j0 E/ t5 o
4 |1 C! N$ @  l3 w$ t* P' j. f
2.为了防止信号线之间串扰。一般线间距(边沿到边沿)遵循3W原则,如果空间有限的降低要求2W即可。
: Q5 D  d7 g. ~. j: y" L/ x4 c  _: L0 P  A1 i5 k
3.阻抗要求:对于单端信号一般做50ohm +/-10%,差分类信号做100ohm +/-10%。

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发表于 2014-3-13 16:24 | 只看该作者
百度大把的
听党指挥,能打胜仗,作风优良
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