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24V电磁阀驱动电路比较,哪个好?

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发表于 2013-7-12 19:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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这里有两个电磁阀驱动电路,各位看看,哪个比较好些。
! _; a# E1 |  |0 Q: R3 k注:CPU为3.3V。电磁阀为24V,电流要求2A的样子。由于板子位置小,所以选择了SOT23封装的MOS管。

QQ截图20130712193124.jpg (107.5 KB, 下载次数: 1)

图1

图1

QQ截图20130712193609.jpg (107.03 KB, 下载次数: 1)

图2

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发表于 2013-7-12 20:07 | 只看该作者
第一种便宜,且可靠。1 f; I/ l& \  W  V, V3 t$ [- I- |

' \" P; l7 t! _7 f, f9 Y第二种VD_IN是多少V,
% d$ i$ i  U) N8 ~5 w% w3 U; t$ T如果小于24V将会导致,输出关不死。
' x3 M9 b* Q8 I另Q22也没需要大电流的,太浪费。

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 楼主| 发表于 2013-7-12 20:29 | 只看该作者
噢,VDD_IN是8V...

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 楼主| 发表于 2013-7-12 20:39 | 只看该作者
gui_qu 发表于 2013-7-12 20:07 ; i, D; b) @' r
第一种便宜,且可靠。
% R+ K7 V8 h# V' E$ V1 x1 S# Z3 A; m% }
第二种VD_IN是多少V,
, I  F" F! v% ^& }  ?3 k
注意噢,第一种用的PMOS管,导通后,由于MOS管内阻很小,源极S的电压实测只有2V的样子,这样MOS管的导通程度就比较低,能满足2A电流的要求么?
6 t$ c0 @' a! S9 a第二种方案,Q22可以换个电流小一些的。但为了使后端的NMOS充分导通,在NMOS管的栅极加个大的点电压是必要的。
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