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[Ansys仿真] siwave5的电源阻抗分析问题?

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发表于 2012-11-7 08:47 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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有的芯片比如DDR2他有n多电源管脚,是每个电源pin脚都看,还是创建电源group和地group整体看,目前我是2个都看一下。
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发表于 2012-11-7 09:50 | 只看该作者
个人觉得,要看你仿真什么方面,要得到什么样的结果。然后再决定怎么仿真。
4 v8 \3 k& |; x: W如你上面所说,我不知道你要仿真什么。是DDR的电源波动对DDR信号的影响?还是什么?

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 楼主| 发表于 2012-11-7 10:03 | 只看该作者
eeicciee 发表于 2012-11-7 09:50 ! q1 f; L0 z( W
个人觉得,要看你仿真什么方面,要得到什么样的结果。然后再决定怎么仿真。
) k2 D& @( r! l' ]如你上面所说,我不知道你要仿 ...

# E. D- j. C1 I7 _* c我要看电源的阻抗曲线控制的咋样?是看每个pin还是看整体group,那么在siwave建group的话主要是评估啥。

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发表于 2012-11-7 10:09 | 只看该作者
电源的阻抗曲线控制的咋样不是由SIWAVE决定的,而且由芯片设计者,封装邦定者决定的。所以你应该从IBIS模型下手。(个人看法而已,要请版主指导才是硬道理)# K) j1 M, x% ^* n$ O3 j; x
Siwave 的Pin Group主要有什么用,我也就知道了。

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发表于 2012-11-7 11:32 | 只看该作者
虽然每一个 Power pin 会有一点小差异,但是还是把它 Grouping 起来看就可以。

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 楼主| 发表于 2012-11-7 11:55 | 只看该作者
我在10MHz处差得pin最大是0.32欧姆,最小的pin阻抗是0.1,而group后是0.023。这个是咋分析呢。我目前觉得这个group应该是所有pin阻抗的并联值吧。但是如何评估它是符合要求的呢。4 D2 h; _' R; L9 V0 o
% z# d5 V* w, s

0 h( H6 {7 J# g
. k  ~# y5 W( V- o2 u9 R/ a! ^; t" W& j! ]( S( I1 v

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发表于 2012-11-7 12:46 | 只看该作者
pin阻抗的并联值吧?
/ @8 I. y5 D  k= 是。
* J% ]& Y8 \" f0 O* ]因为电源也是由各 pin 供给进来的。更深入的就涉及芯片内部了,你先照顾 PCB 的部分就好。

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 楼主| 发表于 2012-11-7 13:16 | 只看该作者
honejing 发表于 2012-11-7 12:46 $ P0 c! u7 v% _+ S" g0 d( v
pin阻抗的并联值吧?$ H7 n' x8 D- y/ n
= 是。6 e' L' |2 A9 [$ ?0 x
因为电源也是由各 pin 供给进来的。更深入的就涉及芯片内部了,你先照顾 P ...

6 r% K% d9 m9 @6 x我也要照顾芯片那边的了。要提出芯片电源设计的建议啦,拔苗锄长哦。

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发表于 2012-12-15 19:59 | 只看该作者
grouping之后相当于管脚并联,你可以在每个管脚上各放置一个电流源在远端观察电流值,再与单独管脚供电比较一下就知道了

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 楼主| 发表于 2012-12-17 11:40 | 只看该作者
eda-chen 发表于 2012-12-15 19:59 % G; ~% l9 F: U7 t, y( u/ y4 a' b
grouping之后相当于管脚并联,你可以在每个管脚上各放置一个电流源在远端观察电流值,再与单独管脚供电比较一 ...

  [, f4 s* G/ I$ K) U# X# L没有理解,能否说的详细些。

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发表于 2012-12-17 12:21 | 只看该作者
你在做直流压降的时候是不是要定义一个电流源?比如你选择了20个管脚,grouping前整体设置5A的话,电压源处测得的电流在不到5A,grouping后整体再设置5A,电压源处测得的电流约不到100A,所以很明显,grouping是管脚并联了,这是为了研究区域电源用的,而不是单个管脚,即忽略了个体;从你那个管脚测试的结果是同一个道理;
+ b0 M4 X$ u: R1 i. o本身PI目前就做不到精确控制,暂且停留在优化的层面,除非出现较精确的电容、环境模型,现在假如你说电容的模型简单的用ESL,ESR来代替的话,真的不大靠谱;以前上海某公司给某单位作出的电容优化方案,居然给客户精确的提供了电容个数以及具体参数,你觉得靠谱吗?那只是运气罢了。
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