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ddr2的clk能不能变换参考平面?

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发表于 2009-11-14 11:37 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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比如从bottom直接换到top?6层,低层参考品面gnd,顶层power.
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发表于 2009-11-14 17:17 | 只看该作者
能不換最好是不換,非換不可,就要注意兩條同時換,保持走線幾何平衡。

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发表于 2009-11-24 14:42 | 只看该作者

顶个

哈O(∩_∩)O
9 W- z5 |- \2 K/ [& p% h: P- `  a9 ^
潜力贴顶个哟  M3 r+ w( y5 l  n, |" `

* X" B% `5 }1 D7 E$ Y
- P& T; y: ?' @# X' u1 f9 I
, v6 ?* H- k" c9 W. j) P, K) u, w8 i/ g  @  J

" N1 C( V# c; h0 N# P4 k: W
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: g4 L& h! U' S. D" {2 f

$ n, G3 O' H/ Z# m7 j% d/ m; a7 e$ J
- f" j, b- S, n# Q, }0 Z* T- x别和我谈理想,戒了!安必信第四区女装d1优尚网乐友网芬理希梦

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发表于 2009-11-24 19:59 | 只看该作者
最好还是不要换的好' Z3 z- o- j5 n: t8 d: ^4 b3 Y% |
DDR2 的Clock SI 要求比较高,还是用地做参考层比较保险

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发表于 2009-11-26 02:18 | 只看该作者
学习一下

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发表于 2010-8-14 10:50 | 只看该作者
有的人也说把CLK放到中间层走线,EMI方面会好些,到底怎么样做更合适呢

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发表于 2010-8-15 10:33 | 只看该作者
能不換最好是不換,非換不可,就要注意兩條同時換,保持走線幾何平衡。
  ~% e, H% I) v9 Mhonejing 发表于 2009-11-14 17:17

0 F# k7 ^9 L: g: E4 @3 }+ F
! S* ^, J, B2 U支持!
  M1 |& t% ?" H2 _1 O/ {( M2 I: R5 C. {8 R5 \" Z( T% N* ~
如果设计者的实际情况要考虑EMI的话,布在内层对EMI的抑制是会好点!

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发表于 2010-8-16 18:48 | 只看该作者
回复 7# shark4685 & X7 \5 h1 O2 }& s5 [
) w( J& F, v( |, y+ e2 K" R
) X3 L3 o, x* W
    只要两条线同时换层 有一样的参考平面,应该没问题的吧
I can play

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发表于 2011-8-1 14:34 | 只看该作者
xlfu 发表于 2010-8-14 10:50 5 |2 V% d9 h7 I  W, {- o
有的人也说把CLK放到中间层走线,EMI方面会好些,到底怎么样做更合适呢
1 e* S: E: @( f8 C$ z) w5 H
各位大虾,clock一般是在哪层走线呢???求解释
$ X" i% l, l2 z

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发表于 2011-8-5 14:06 | 只看该作者
CLK要放到中间层走线,EMI肯定会好很多,放在top或bottom,虽然EMI测试也会过,但是波形会很难看,建议放在内层。

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发表于 2011-10-18 16:50 | 只看该作者
放在中间层比较好。。。

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发表于 2011-10-18 17:38 | 只看该作者
honejing 发表于 2009-11-14 17:17
& y' R$ E" a4 O$ F& s# y2 y能不換最好是不換,非換不可,就要注意兩條同時換,保持走線幾何平衡。

5 D/ a, ]' V  e* @参考平地到电源的转变,在换层处加颗power的去耦C,连通回流路经。这样会不会更好

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发表于 2011-10-19 17:43 | 只看该作者
如果电源层为DDR2的电源则问题不大,只是注意在换层过孔附近打一些地孔以利信号完整性就可以了!!!

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发表于 2011-10-26 19:21 | 只看该作者
换层会导致返回路径的不连续,以及由于过孔引起的特性阻抗变化。
- p5 q# j7 b/ l+ R1 A7 _中间层相比于外层有更好的效果。简单理解中间层起码两个电源或地平面夹着,而外层却有一半是裸露的。

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发表于 2011-10-27 12:34 | 只看该作者
见过一些芯片手册还要求参考自己的电源平面而不是地平面呢,clk不到万不得就别换,换也得在边上搁个适当大小的电容提供回流路径,否则,速度高点的话,出问题,有得折腾呢,另外,对于走线来讲,总得有优先级吧,重要线肯定先走才是,事先肯定也是要先规划好才对
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