DDR3大牛进

lkzuihao · 发表于 2013-11-8 13:46

EDA365欢迎您！

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册

x

本帖最后由 lkzuihao 于 2013-11-14 09:54 编辑

一块嵌入式板子，电源等问题已经排除。DDR3的时钟DDR_clk 600+M时系统崩溃，且必现，调整到400+M时系统稳定工作，LAYout各项等长都做的很好，电源分割什么的和人家的DEMO板都一样，刻就是出问题呀，这个怎么破，还有啥可以调的，请大牛给个指导啊，一个半月了{:soso_e109:}

忘了跟大家说以下情况，系统崩溃之发生在跑业务的时候（大量数据读写），不跑业务的时候不会崩溃

qaf98 · 发表于 2013-12-13 14:13

1: 看看ODT是多少？一般建议ODT60,或120
2: 2T模式打开，如果是地址出现时序的问题，2T模式会有帮助
3：自己的芯片，还是别人的芯片。自己的就要看IC内部设计是否有问题了！

Dandy_15 · 发表于 2013-11-16 09:55

没有测试工具情况下的调试只能是猜了，我建议可以在安全的情况下调高一下1.5V的电压，如调整50同mV,外接稳压源只能提高电源的输出电流，别的帮不上多少忙。而且你外接电源时，用的电缆线如果过长过细的话，会有很多别的问题。
你可以作一下对比测试：
两种情况下DDR芯片下电压的变化，用示波器记录，打开余辉模式，用直流档，电压分辨要达到10mV的级别，可以示波器的offset功能，当然你的示波器得有这个功能。看看两种情况下电压的波动有什么不一样。
第二种办法：在DDR芯片的的电源上引脚上多加些电容，大大小小组合起来用，看有没有效果。
第三，调高1.5的供电压50mV，看有没有效果。
如果是电源的问题还可以调调看，如果是时序或是由于叠层不当引起的问题，那可能比较难搞。
如果你的示波器能看到一个完整的波形（包括过冲，下冲，反射，振铃等细节），这样你可以调一下ODT，找到一下最好的情况，再作其它的调整。
最好的办法就是仿真，找调试方向。

lkzuihao · 发表于 2013-11-15 14:13

本帖最后由 lkzuihao 于 2013-11-15 15:02 编辑

Dandy_15 发表于 2013-11-14 20:38. u7 P3 Z% j8 g# }4 u& z* q2 ^+ n
不知道是不是你示波器或是探头的带宽不够，波形没有任何细节，应该是方波的东西，被测出来接近三角波。
8 G/ y. z% V4 q, c; @如 ...

多谢这位兄台的分析。
我们这条件不够，看不了眼图，现在使用的已经是我们公司最好的示波器了，就是测到600+M的时钟结果都不很稳定，捉急。
我觉得SSN可能性更大一些，现在我已经把核心电压和DDR3的1.5V都外接稳压电源了，高速还是这个问题，对比低速运行，1.5V的峰值电流会高50mV左右，别的没啥区别。
现在这板子已经来不及讨论FLY-BY还是T了，我希望能在T下解决目前的问题。
也不知道在现有条件下，还能做些什么工作。我懂一点UBOOT下的知识，能自己调整配置DDRC的寄存器，目前做过一些ODT、Trc、Tcl、Tras、Trp的调整，但是也没有什么效果。
有4快一样的板子，有2快情况好一点，运行的时间会长一些，另外2块就不行了，很快就会崩溃。

eeicciee · 发表于 2013-11-8 13:59

就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题
1、查一下信号质量问题，是否过冲太大。附上图片。
2、时序，等长，结合眼图
3、电源噪声。也附上图片吧

lkzuihao · 发表于 2013-11-8 14:41

eeicciee 发表于 2013-11-8 13:595 u+ {$ ]# R2 k/ v3 r# N) E J
就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题6 S e T: U+ J6 `" L! N# r( l
1、查一下信号质量问题，是否过冲太大。附上图片。
, P% i9 g4 D7 H9 S$ Q' M1 V2、时序，等长， ...

等长数据表我就不贴出来了
电源我们用台式串联稳压电源替代过，应该不会有问题

数据已于 14:39 保存10 秒后保存保存数据 | 恢复数据字数检查 | 清除内容加大编辑框 | 缩小编辑框
附加选项
本版积分规则参与/回复主题转播给听众

lkzuihao · 发表于 2013-11-8 14:42

本帖最后由 lkzuihao 于 2013-11-8 15:14 编辑

贴的图顺序被打乱了，好像没法调整
我把波形图整合到一起，如图

lkzuihao · 发表于 2013-11-8 14:47

eeicciee 发表于 2013-11-8 13:59
2 G* C; f; T# n就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题
$ y, m4 D$ J# ?$ X1、查一下信号质量问题，是否过冲太大。附上图片。( l- a; v5 Q L( m
2、时序，等长， ...

系统崩溃后，地址线A0上的信号就没有了，但是CLK、DQS、DQ信号都还在

dzkcool · 发表于 2013-11-8 14:49

DDR3一般建议地址线走Fly-By，而且要有终端VTT匹配。如果走T型拓扑，VTT匹配应当放在T点处。
曾经把DDR3走成T型拓扑，VTT匹配放在T点处，时钟频率只能到400mhz，再往上就跑不起来了。
当然，不同IC的要求不尽相同。

lkzuihao · 发表于 2013-11-8 14:54

dzkcool 发表于 2013-11-8 14:49
7 n6 \8 X! ^6 N, p) SDDR3一般建议地址线走Fly-By，而且要有终端VTT匹配。如果走T型拓扑，VTT匹配应当放在T点处。
7 o# }4 d, W- y) \: i曾经把DDR3走 ...

我们的是T型的，不过这个应该没有问题的，之前在别的板子上已经屡试不爽了（同一个IC的解决方案），600+M跑的哗哗的，从来没有出过问题

honejing · 发表于 2013-11-8 18:23

本帖最后由 honejing 于 2013-11-8 21:54 编辑

如有 Layout 檔案，也許看看可以给你一點意見。

信號要這麼量，你量的電壓峰值有點小，DQ 信號也沒在 VDDQ/2 中間，怪怪!

lkzuihao · 发表于 2013-11-12 14:44

eeicciee 发表于 2013-11-8 13:59( X) l3 L4 J# X, I6 j% Z
就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题
& z' x: \) Q, M& N& _1、查一下信号质量问题，是否过冲太大。附上图片。
6 a, b0 H" m% K) L/ c% d2、时序，等长， ...

大家看一下我们的电源分割，图中高亮的铜皮是1.0V核心电压，左边是DCDC，右边是终端，紫色部分被割到第3层了，绿色部分在电源层，4片DDR被包围在里面。一致觉得这个不是很合理（这个我没办法），大家觉得会影响那么大么？

eeicciee · 发表于 2013-11-12 15:01

lkzuihao 发表于 2013-11-12 14:44( B Q7 n* X @$ p
大家看一下我们的电源分割，图中高亮的铜皮是1.0V核心电压，左边是DCDC，右边是终端，紫色部分被割到第3 ...

想知道是不是电源的原因，有一个办法。
1、你跑一下正常的速率，然后测一下1.5V的电压波动范围。一般在1.425V~1.575V之间是正常
2、你跑一下不正常的速率，然后测一下1.5V的电压波动范围。如果1.425V~1.575V间，可以排除1.5V电源的因素；如果在1.425V~1.575V之外，那电源是因素之一，这个时候要多加点电容，把电压范围调整到1.425V~1.575V间，看看跑不跑得起来。
个人意见……

hudan050408707 · 发表于 2013-11-12 17:04

都是牛人啊

学习了

lkzuihao · 发表于 2013-11-12 17:20

honejing 发表于 2013-11-8 18:23
" c) n' ]$ ~; s+ w如有 Layout 檔案，也許看看可以给你一點意見。
. l* I% @1 k6 |$ _7 j; v/ d B# c8 k5 D* \
信號要這麼量，你量的電壓峰值有點小，DQ 信號也沒在 VD ...

上传了叠层文件

honejing · 发表于 2013-11-12 22:54

Hi,Lkzui

For your reference.

lkzuihao · 发表于 2013-11-13 10:33

honejing 发表于 2013-11-12 22:54: R. w/ ~% S7 I# ]
Hi,Lkzui% ~1 O9 S6 M+ z
# k+ f0 l% z2 `' W0 |5 q( P& d
For your reference.

honejing:
昨天切割了下铜皮，貌似不是这个问题

honejing · 发表于 2013-11-13 11:56

一點速度上的改進都沒有嗎？仿真可以看出這片 GND plane 在一些頻點有2xx mV 的電位差。
若不行只能實際量一些信號在判斷，可以先看寫DRAM 的 DQS/DQSB, Clock 對相位差。
另外要設法知道是寫錯或是讀錯？
或找出哪一個 DRAM 先錯，再抓問題。

		自动登录	找回密码
密码			注册

[仿真讨论] DDR3大牛进

EDA365欢迎您！

推荐内容 /1