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NRF51822 ADC检测,关机后耗电大,请做过的朋友建议

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发表于 2018-3-6 10:51 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 21:51 编辑
+ D3 S$ e2 F# H, F0 J. H. s6 S% r
2 K" R, w; Y8 `4 I/ cNRF51822  ADC检测电池,原本用100K/200K分压。嵌入式觉得电压检测不准,直接改成10K/20K,那么带来了新问题,就是关机功耗大。; Y8 L; `6 k' m8 k
3.7V/30K=123ua,51822内部也分流,导致实际关机功耗200ua+,大大超出计划,请问做过的朋友有何见解?
' a( N7 C1 ^2 _) `/ ]0 Y; H7 h. F3 M, _8 M  Q) G1 r# j" g
4 w( t: g& ?5 x- U0 n
, Z$ ^( ]: W* a, ~9 [0 s; g& |

3 Y4 Y$ S- x. N% [- O

nRF51822_PS_v3.1.pdf

7.02 MB, 下载次数: 7, 下载积分: 威望 -5

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洋人的圖晚上給樓主!^_^  发表于 2018-3-6 15:51
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发表于 2018-3-8 20:35 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2018-3-8 22:53 编辑
9 H  m8 h4 r" T3 @- x; J' y# P) ]
hwz2824262 发表于 2018-3-8 09:585 a& z: s$ Y! w# [" t7 i
请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?
6 t) p- G+ U4 y2 F- a9 D
MOSFET 電晶體閘極電阻Gate Resistance的功用; `/ w/ `4 p- K3 ~' j
MOSFET 電晶體會在閘極Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻GateResistor通常被標記為 Rg rg

( x- `4 F% U3 o+ U0 W7 R/ m5 V# d0 D3 Y8 [: K& K
閘極電阻GateResistor的功用於防止 MOSFET 開關時產生振鈴Ringing)現象,閘極Gate)本身有寄生電容Parasitic Capacitance),若閘極Gate)的控制走線帶有過大的電感,LC 會產生振盪。
- |1 S2 x- ^& l2 y" W2 G8 w
  p& y' u( B" J3 M$ T. }
振鈴Ringing)現象會讓 MOSFET 電晶體,處於要開不開、要關不關的異常狀態,電晶體會因此消耗不必要的功率而發燙,嚴重時可能導致電晶體過熱而燒毀。閘極電阻GateResistor有點類似數字電路中的阻尼電阻DampingResistor能衰減振鈴Ringing)的強度而這種設計常見於的電源供應器上的 Power MOSFET IGBT 電晶體的控制電路。

1 ?; y# V- n! H. q# O& Y3 l( v$ R# N5 b' m

# v/ }3 S: e- y7 W$ e0 p8 [7 v. d+ p) q$ P' u# v

Gate Resitance.jpg (14.25 KB, 下载次数: 4)

Gate Resitance.jpg

Ringing.jpg (99.34 KB, 下载次数: 4)

Ringing.jpg

Gate Resistance v.s. Ringing.jpg (38.16 KB, 下载次数: 4)

Gate Resistance v.s. Ringing.jpg

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谢谢版主的指导,那为了保护电晶体吗,应该需要加电阻才是咯?,这个电阻的取值为100R就好?还是有其他的推荐值,本人是小白,还请版主多指点  详情 回复 发表于 2018-3-9 08:35
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 楼主| 发表于 2018-3-8 15:35 | 只看该作者
超級狗 发表于 2018-3-7 11:31
; g" w: }- \, I( ~0 }系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。
9 t) u( b% N1 O/ n# ~* K8 l
我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电容的问题。所以就好奇洋大人这个470M/470M分压不放电容,是不是算法上做了补偿优化?/ ?4 Z, @: f- u/ |# [
' o; J! D6 J! A1 q0 d

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不必太過認真,洋人給的是示意圖,不是原理圖。 再則他也只說功能沒問題,有沒有做過詳細測試未知。  详情 回复 发表于 2018-3-8 16:32

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发表于 2018-3-6 15:17 | 只看该作者
不要将电压检测直接加在电源端,通过一个N管加一个P管和一个IO口来控制,当输入高电平才检测电压值,这样就不会一直耗电

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发表于 2018-3-6 15:42 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 15:45 编辑
8 a+ D9 b/ Y5 g) F$ r% V+ o3 u7 j
" v1 ?3 w, E" _$ g; ^5 C* x3 O如果關機時只把電源芯片關掉,電池電壓還是會從沒電的 NRF51822 ADC 管腳灌入,漏電也有可能造成開機後 ADC 功能異常。
; N3 b) ?! t! D! a0 k5 x& N% \& \2 r" H
: w. M  }- `8 Y0 R; a; I% Z: J網路上有人說,他用 NRF51822 搭配兩個外接 470M 分壓電阻偵測電池電壓沒問題,但他的架構是用一個開關,關機時就把電池切掉。
# X' P2 e+ r3 l! n0 D0 C8 L7 U5 V; o$ s; H5 B
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发表于 2018-3-6 17:02 | 只看该作者
我是用MOS管开关,定时测一下,待机的时候直接关断 MOS用开漏引脚控制

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电压检测.png

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如果關機後 VCC_Batt 還在,電壓還是會透過 R21 往 PMOS 控制管腳灌。最好還是透過 OD 門或 OC 門控制。^_^  发表于 2018-3-6 20:48

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发表于 2018-3-6 17:10 | 只看该作者
电池电测,分压一般用M级的吧。

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发表于 2018-3-6 17:14 | 只看该作者
一般用的M级的。

1.jpg (905.04 KB, 下载次数: 0)

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小电容补偿IC读信号时候的电流补偿。  详情 回复 发表于 2018-3-6 17:15

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发表于 2018-3-6 17:15 | 只看该作者
yidanshuxuexi 发表于 2018-3-6 17:14
" [$ c+ W1 `* D+ [" U一般用的M级的。

, ]7 E* w8 Z7 l" D1 P8 X% x* I( G小电容补偿IC读信号时候的电流补偿。

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请问 小电容是如何做电流补偿的??能不能详细解释一下,谢谢; 我感觉是不是因为电阻太大了,产生的白噪声有点大,才加了个小电容降噪?  详情 回复 发表于 2018-3-9 08:40

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发表于 2018-3-6 20:39 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 20:41 编辑 ; C) m5 B- e% Y# t- K; U& v, ]) u& q, s) i
' v6 g+ P; l6 L  o* l; x9 L
有洋人說他這樣接沒問題,但他關機時是用開關把所有的電都斷乾淨。
( i4 K! y; R& Z6 J% f/ `
' O  t" k- o8 r% E0 h

6837_1.png (40.34 KB, 下载次数: 0)

6837_1.png

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版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律做了补偿?  详情 回复 发表于 2018-3-7 09:45
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发表于 2018-3-6 21:03 | 只看该作者
系統關機後如果 VBAT 電源還存在,這樣的做法較妥當!
  m" x$ O* N% O
6 |7 x5 v/ s( c7 ~& w: P+ c8 _5 y
7 X# T* L0 O# C) I

VBAT Switch.jpg (17.26 KB, 下载次数: 0)

VBAT Switch.jpg

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请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?  详情 回复 发表于 2018-3-8 09:58

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 楼主| 发表于 2018-3-7 09:45 | 只看该作者
超級狗 发表于 2018-3-6 20:39
% I4 O0 N/ X; K; z( d$ B( z有洋人說他這樣接沒問題,但他關機時是用開關把所有的電都斷乾淨。

* L! j- f5 t5 ~8 r版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律做了补偿?

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系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。  详情 回复 发表于 2018-3-7 11:31

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meng110928 发表于 2018-3-7 09:45
" j% ?& Y; T& D( g8 B1 r, A: u版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律 ...

" P. F. b/ j3 W4 X. t+ R6 Z系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。
( T. L, s/ X5 P, h( }2 W( ^& A$ C& m# }: V6 @# o+ Z
; `2 C/ Q2 k% ~5 {& V; Q' f

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我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电容的问题。所以就好奇洋大人这个470M/470M分压不放电容,是不是算法上做了补偿优化?  详情 回复 发表于 2018-3-8 15:35
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超級狗 发表于 2018-3-6 21:03
  i. S. h  K9 y* @5 ]$ n系統關機後如果 VBAT 電源還存在,這樣的做法較妥當!

, H0 L4 o. m  h请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?
  c/ X7 }* J; N* u9 U+ P# K. h

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MOSFET 電晶體閘極電阻(Gate Resistance)的功用 MOSFET 電晶體會在閘極(Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻(GateResistor),通常被標記為 Rg 或 rg。 閘極電阻(GateResistor)的功用於防止 M  详情 回复 发表于 2018-3-8 20:35
这是MOS,电压控制。  详情 回复 发表于 2018-3-8 15:31

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hwz2824262 发表于 2018-3-8 09:58
) H& _% p# M' Y8 i; L7 z- ^0 l请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?

$ [% c; }' Z$ y/ d& {* n这是MOS,电压控制。
" o$ \+ h- D0 y" u* B

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meng110928 发表于 2018-3-8 15:35# x% i/ {1 I" Y" [& k9 E
我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电 ...
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不必太過認真,洋人給的是示意圖,不是原理圖。( U1 ^/ N# O. F0 E6 H

$ M+ ^" J( {: Z  C! z& D  ^1 Y( x再則他也只說功能沒問題,有沒有做過詳細測試未知。
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