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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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给力  发表于 2015-4-22 11:12
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  发表于 2015-4-5 09:21
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此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 210)
# y& d2 C9 J" e( J2 `7 H8 X: [9 I1 \3 U9 Q; S- |/ Q2 V
下载请点赞。。& t  |0 E( `9 x

9 z! g  ~  g3 g% |  V不懂可以问。
' w+ `2 g$ _/ I8 n$ Y: i* x: A
/ M+ k2 \  w$ `; p% Z: i6 I2 @

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赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者

  D# B1 g% s% D+ _. N8 o# {5 l6 G" F3 ^9 V
精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!- E- L0 e% B/ U  D* F  F0 s
' ~* I7 f4 L; j$ o4 A! F- r

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35( N0 K/ Z( ^! E
你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。
% u2 ^3 \! l% F" f8 P. r" {要不你先来一把。悬赏50分。 ...
/ X4 \5 q* j5 M3 A4 `% A4 i
这是我没搞清楚的地方   
+ P5 w6 N# {( ]2 M$ `# v, F

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49- O4 J' K& C' k/ G& E" }- S
DDR3的突发长度(Burst Length,BL)
! U' m8 V$ j2 e+ x5 ]
4 j* V7 w6 B5 Y/ j* K2 u5 ?由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...

. K: [0 c* e9 w7 O. R6 X, a( v请教版主,突发长度是什么作用呢?6 t: V( U! H$ ]- s0 {4 j' I5 B
能否讲解一下DDR上电初始化的过程
' X7 k; W1 ?% u' w3 Z* J

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑
8 d+ L; u7 Y$ `7 [1 v6 ]& P2 `3 m3 I
新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。
: H8 {0 ~" u) {4 B

* p& O2 j' `% C( {+ _/ z重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。* F7 }% f# M( h& d+ }
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。
( y6 ~; N) P1 M( \9 Z! g" m这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
, \, r( q1 L  g/ ?" N% [当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。& X( i3 G2 D/ U3 Q% l9 ^0 ^
4 K7 o5 y# m* D$ I' U6 L
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,/ |/ Z1 u5 I5 m! y+ S& G
所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,9 F9 f% p" ?! R) P/ f+ D3 Q1 F" M
而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。) Z8 i" _* ~% e6 }

) t4 @$ d9 z  o

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型
( z; z! k% ~# H' ~8 m8 y+ H
7 }8 H1 B0 F- x0 m5 H/ Q% NDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
4 g0 Z2 G2 e" K% n7 I" _DDR1 strobes 为单端信号
, ^/ n3 T: p. q* R3 @0 w! v1 j/ NDDR2 strobes 有单端,也有差分
9 r& H( T8 o$ C) W! q单端信号会增加额外的Derating
$ h" i5 S, _9 N- _差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
: E$ r2 p9 L! a1 B. J- k' v/ g  f减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序
* e6 i# b7 O/ J! T0 n- Q" ~$ ?& X; t- S. u3 P* @0 k

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
4 s% N" b. Y* A* n' d3 H数据传输速率
1 ^' w; t1 G0 j. FDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
5 P; z  O. F0 M1 k8 `DDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s- M% G( a9 M' y$ m

2 h% U4 q. i% P' u( z& ]5 i电平
: `/ u, x- a  P) H, E5 S/ J" EDDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)
7 c/ _( m+ U% ?DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)
7 O) }' ]! V0 ~6 Q+ F5 T3 b( q% F( s, T/ o3 u) i& z
驱动阻抗+ R1 L: l9 ?" L& r% A' B! R/ X
DDR2 18Ω & 34Ω
% B( N6 e3 z$ P& M' c3 IDDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)' a& M3 U3 U( y- D

# c/ k3 ~5 m  P, K' j, N+ q-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。
) V3 t! r: B% q7 L; N7 `) h3 t. }& e
8 x+ I) J( a$ i) b+ A" V

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  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14
. \* X+ Q. h0 E8 {$ T; L5 R1.先来看看DDR2和DDR3的不同点) }5 w# T% M3 L6 P6 v: O8 ]' V
数据传输速率, ]: Q/ f( h2 i9 U
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s

) q# R# Q7 V. K应该是频率,不是速率。
, F" q0 ]) A% _$ L; Q' g7 CDDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s) _- Q* g3 J* V6 |, \! `) F
, V7 [0 D$ t: s% V- h, P0 L7 T; a

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32  x  h& u3 V5 p! M- Y" h8 F9 i) r
2.数据锁存(Strobe)类型$ k# c. q5 m, B9 U. ?( ]2 i3 F
8 L3 G, ^, h' h! M0 w* r
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
8 g- K% M: n6 S$ r9 C8 A
大神加油,我坐板凳来学习!
: P6 q: P+ B8 Y* m+ Y+ n, G5 J/ B
IC封装设计

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 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力
1 s0 a/ }2 v! Q% j1 z4 ~DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,, h8 U- I* @0 k# ]
对点到点的拓扑,40欧姆比较合适9 t4 E7 a# v. T, [5 j1 @
DDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小2 [/ b" F* Q) B. I

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发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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版主加油啊,持续关注学习ing

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继续啊。。。不断关注中。

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顶顶顶!

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