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EDA365电子工程师网»技术社区 › 电子技术社区 › 电子硬件设计论坛 › i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题
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i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

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gwei_0210

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发表于 2017-8-18 15:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊$ s6 H: ?$ b1 X) M: u

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超級狗
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總有錯誤訊息吧？>_<|||  发表于 2017-8-18 15:48
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发表于 2017-8-18 16:01 | 只看该作者
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

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gwei_0210
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-19 13:11 | 只看该作者
天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

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 楼主| 发表于 2017-8-19 13:12 | 只看该作者

7 C- n/ I$ e! Y4 }6 J: s8 ~2 VDDR Freq: 396 MHz
% G1 S0 h2 g" G5 i& R3 w% M9 u& w9 R$ u3 S
ddr_mr1=0x00000000/ j9 k( s  }6 h2 ~
Start write leveling calibration...
; M2 x& e6 T- H" R% Zrunning Write level HW calibration0 |' u" c3 z% @, Z' d
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
3 `5 a; A5 ^) G# ]3 C    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
  ~" b6 Y/ l+ [/ X. R# E  f    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
* C$ _" G8 v: r' u1 LWrite DQS delay result:5 ], r# o2 @0 l" [" ]
   Write DQS0 delay: 7/256 CK8 t- b( f6 o+ x/ ?1 U
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
  V! {6 Y' S  @4 _7 U9 D. E: [% F: D) b3 J  ^7 e, R) {+ `
Starting DQS gating calibration; |, _* ]& r7 v
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
; T5 B( }" j1 \' u5 D( u/ `. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011& L0 ]; U& |7 Q; S5 T+ ^; L
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011* q: M- w% p5 h4 Q3 a% C/ Q
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011# _* Z% P1 w2 ^) o
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011  v; N$ B! \9 f, W+ J
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
6 h* r) ]) K, j' A" A% }. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011% I; V% G/ L0 r: R5 n0 i9 ?7 S6 k  Z
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
3 G) P8 I7 o& L. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011$ d  V( i  b" S& f$ K1 Z
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
) }. ]; U& d; X- d. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011) |2 u' c5 ]/ }6 O1 j! W7 |
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011( M, G1 V% a! `- m$ ~& Y
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
6 u0 g' j6 y; x9 P. ~. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
% b# j$ c8 c4 F- nERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
* q* Y* F3 f$ e  x4 d0 C3 bdram test fails for all values.
# V8 X+ P7 G8 v, M: [4 N
$ D) Z( ]; A) ^0 P/ m( ?Error: failed during ddr calibration- ^9 S* L0 z% {  K( l
- C$ ^" E2 c/ J9 g6 P( U

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Aubrey

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发表于 2017-8-21 09:58 | 只看该作者
4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

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kele1983

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发表于 2017-8-21 10:41 | 只看该作者
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

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gwei_0210
试过，也不行  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
kele1983 发表于 2017-8-21 10:41: V+ [  g" e) ~3 D
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。
: e7 @/ S! x+ o; E" e
试过，也不行
* n! _$ A" u- U

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kele1983
我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。 还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:37

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
/ v- [. [' |) X3 r生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

* Y2 g3 L7 A+ w: L填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的* b& P; V( O3 R+ L

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超級狗
走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟這改變，阻抗有可能會受到影響。 如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。  详情 回复 发表于 2017-8-21 14:28

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:11 | 只看该作者
DDR Freq: 396 MHz
9 I9 \) ^& V6 q8 {6 t6 f3 r: V+ v0 Q9 }- D
ddr_mr1=0x000000007 M3 |3 O$ ?, Z) S5 f
Start write leveling calibration...
3 Z& l. b% R. \& hrunning Write level HW calibration
7 p, n5 T/ J% I  R: H% |+ R+ ]Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script: B* k# v! P) I& {, j# E$ u4 T
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
' u5 j* t0 I0 Y4 K/ J$ E) p    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008# f) U. m1 Y: i$ _- Y5 V" i
Write DQS delay result:
, L% W! L( ]$ K1 g* P1 R% c   Write DQS0 delay: 7/256 CK
$ r: P' j9 O0 L  ^9 a7 \   Write DQS1 delay: 3/256 CK
* u( ]' g+ T. d& M& m" T7 c) Y9 l0 h% F8 C8 {. i2 s1 a
Starting DQS gating calibration
% }  V, L8 ^( {, L$ [! u/ P. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011; E' Z" U8 w; L1 W3 }, m! V
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
" l. x( d0 V) d. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
$ X% k. v  [- d! }# b, ~! }. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
" X; u- K9 |! H. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011! M8 [/ ~! v; f! B0 z
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011: U5 }* `; \4 o; P) h$ Y
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x000000110 g: D0 R1 p) K6 Z. D, a7 T
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
! |5 ^5 ^5 d6 d8 u. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x000000115 {- M* _, |8 c9 f8 ]$ X3 h
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011) b& F4 G) R$ O
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x000000111 [" w5 \9 M! z$ t0 S* Z- q
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
/ D+ k) w) J; i& h8 V. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
4 R7 L4 K  d+ M: h7 ]3 C. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011" @. B  D, ]% p* i0 t
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!! |& m7 ?# x) T; ^& A
dram test fails for all values. 1 @" Q2 \  s6 I% I' o; G; A- Q

8 b3 y+ n  x3 p" C0 e% AError: failed during ddr calibration
8 h1 M+ R# A+ H' y

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kele1983

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发表于 2017-8-21 13:37 | 只看该作者
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
0 T- V& [) ], C9 i试过，也不行
" S7 s* Z1 v8 {/ K+ [' \. o
我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。+ ~: u& F. r  m% _% t: b
还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。  d% P; w4 {' U+ G  m
我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
/ `( U4 X4 K/ I% K$ C' x9 c* t; \! z3 \3 B3 I6 [9 u

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发表于 2017-8-21 14:18 | 只看该作者
挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
. u; a2 p+ v- B" H, ~
. P% }$ o9 `" Q1 w) ahttps://community.nxp.com/thread/3651063 Y& m8 x6 O% D: Q
; e, B: D' S/ V7 M* U. W" _6 G

, W; l+ l6 S+ C# j. r, n- L
  • Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
    * c# [) c6 Q0 h+ bhttps://community.freescale.com/docs/DOC-93819
  • Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
  • Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
    ) l; @: W( b5 W+ r" `" ?10 : LPDDR2
    $ P9 e4 `3 X7 V$ l' ~11 : DDR3+ K' w2 g7 F7 [4 o

6 E; g# r7 y- F' j" \4 V: W# T1 P0 D3 E# y7 e
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗！

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超級狗

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发表于 2017-8-21 14:28 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-8-21 15:39 编辑 2 L2 V. N+ B% R/ K; s7 `
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:107 t. Y* C$ B# v) V! A$ t, j8 Z. Y
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...
8 n$ j8 F- K& i( y9 f6 m# \
走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。$ E0 y) K6 ?: Y

7 q4 X+ }: f5 ]* U6 J8 k' J) F* V, E# ?如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。" T7 l) Q# ?1 j- }2 b2 O; W- y0 y

, Z3 O3 H6 M2 h" `$ v% P& o8 D$ B
0 X, A1 j! ~) ]  M
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗！

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duzz

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发表于 2017-8-21 16:40 | 只看该作者
狗版主，这么翻译飞卡要气死

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肥死卡好！>_<|||  发表于 2017-8-22 08:16

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 16:54 | 只看该作者
已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

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zxk

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发表于 2017-8-22 07:16 | 只看该作者
路过，学习一下 mark

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