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EDA365电子工程师网»技术社区 › 电子技术社区 › 电子硬件设计论坛 › i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题
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i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

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gwei_0210

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发表于 2017-8-18 15:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊
# R. I4 ~1 s% g9 {

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超級狗
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總有錯誤訊息吧？>_<|||  发表于 2017-8-18 15:48
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发表于 2017-8-18 16:01 | 只看该作者
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

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gwei_0210
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-19 13:11 | 只看该作者
天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

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 楼主| 发表于 2017-8-19 13:12 | 只看该作者
2 ~6 m3 m. R! j+ `; y+ G. L
DDR Freq: 396 MHz
# U" {. O1 q6 i8 O8 |# {
4 C' c4 C  j! E% y! bddr_mr1=0x00000000
- E3 J% C: k5 [* ]" Z) T* rStart write leveling calibration...
9 s5 f% T* g, erunning Write level HW calibration
9 i7 E' I9 O4 B& v( |  ZWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
4 x/ L" Z. P7 p  i5 Y( w    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
% i! a0 _9 F/ y+ x" B    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008: M" j5 D% V2 }: r) e6 Y1 Q
Write DQS delay result:) c  R5 k7 E; T0 g0 q: B6 H
   Write DQS0 delay: 7/256 CK3 L0 c& M  O2 S6 E  t, P& r' O/ @
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
  ^& f2 M2 i) Y1 N# d7 g: l- z7 ~% J7 n" E$ _# J! W% x
Starting DQS gating calibration
# [- }' G0 Z; N% g. B, M. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
6 H7 N3 @- G' Y, d* E0 d4 g. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
( {9 K8 c' |; J+ n: U. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011; n3 @0 X0 i+ g7 v0 s
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
8 C9 s( V/ X$ I  u7 ?6 [4 g. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. ]: h+ ^9 @, w8 w1 g9 r. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011, d; @+ P$ n( V* ^0 f0 V$ e8 G$ k1 @
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x000000110 k7 U' F" \  Y
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x000000118 U; W9 e) R# Y' b6 ^# a
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
6 E. P/ A2 i3 ^/ W- @7 n. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011  Z+ K3 |* \) [- s5 T
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x000000115 u  _; ]! q0 ?( ?' Q
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
+ t/ O; G# K0 l2 g3 l) ?; C. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x000000117 D" X0 t9 o$ Q7 r' ~: ~* s4 ^( G4 i
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
$ r" p% I9 A) a( i6 U# E7 cERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!5 }* f* H* a9 _
dram test fails for all values. 5 C4 x0 T; O. ~! O) o' U3 M
6 o0 W( _  B* V
Error: failed during ddr calibration& s$ p  u% a. ~7 D9 t, o. Z$ z* `
/ T& ~' A' F3 \* l4 j2 C

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Aubrey

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发表于 2017-8-21 09:58 | 只看该作者
4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

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kele1983

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发表于 2017-8-21 10:41 | 只看该作者
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

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gwei_0210
试过，也不行  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
) L' Z! t4 E2 Q; r- t3 v& Q8 s可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。
' b/ E" O& O3 D
试过，也不行
) a2 ~3 ^0 G$ Z8 n7 q: H: M% W

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kele1983
我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。 还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:37

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
9 E) Y% P" I5 H# w3 g生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

' T8 S) r( ~9 @$ Q填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的1 H2 J: _$ J7 L, z1 M& ^

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超級狗
走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟這改變，阻抗有可能會受到影響。 如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。  详情 回复 发表于 2017-8-21 14:28

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 13:11 | 只看该作者
DDR Freq: 396 MHz
" d  J1 Q6 t7 N' ~3 y. U* _1 `
6 c# F3 i6 d2 F0 J" t; Qddr_mr1=0x000000000 `, A& F! C  T# J
Start write leveling calibration...( q1 m$ D" f4 h5 h; e' y
running Write level HW calibration
" ~+ m7 W! c6 qWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
; @/ D4 l5 U# r  r8 p+ l" n6 f3 v    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007+ u* ]& w9 `: D% l! W
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008) U" U! Q$ a8 R6 x6 J# N1 w
Write DQS delay result:
& B0 ?5 P! C; ]   Write DQS0 delay: 7/256 CK
1 i2 e+ m8 F# X   Write DQS1 delay: 3/256 CK1 V3 n+ k1 s7 L# W: T0 l, B9 z( [
! {3 A+ K9 I- f$ s! G& p
Starting DQS gating calibration
3 z0 K- M, q3 c! `. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x000000118 F- z1 n, Z* P* f" x% |
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011. e6 I, Y8 p% {- r
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x000000113 n  S' A& y6 k- @. V
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x000000117 H- p% w, J. k9 `, h
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
1 L# R- J4 ~2 b) C' }/ S. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
0 h" @  G8 U4 _- {, p. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x000000110 Z; p  R0 o: o! U# I4 F# S
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011" b- A: f( L( f! z3 |( q
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
: g4 \( y# \4 O  z. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x000000118 K7 H* m' V4 F7 o
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
# ~+ \/ {+ r3 L' Y) j! d2 \4 m2 Y" g0 ]. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011* T2 F$ ^* z" `+ b7 j  F
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
3 ^, K& i; t; W' F. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011, M) I8 w0 Z8 R) D' |. f4 e+ C
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!) q$ l5 i0 z  q
dram test fails for all values.
4 ^8 v0 x7 l" x0 r$ R$ j
5 t$ c; u5 v$ u1 g( q) n1 TError: failed during ddr calibration- R5 c) M% y- l

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发表于 2017-8-21 13:37 | 只看该作者
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:105 F) C  w+ g5 }9 s3 L: X
试过，也不行

' x) U6 n2 l2 B; X% |我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
! k4 y0 T' l) q/ B7 u3 H$ F5 e) R$ A* _( h还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。$ F8 Z! x+ P+ ^8 h$ {
我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。5 Q; V1 G) o+ a  N

- h$ W- J: x! R/ D; F+ [6 D3 J

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发表于 2017-8-21 14:18 | 只看该作者
挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
6 L4 [% ]2 ^- P2 y' F" p- ?% v4 }5 X! R: S3 @
https://community.nxp.com/thread/365106
6 S7 t5 P/ U$ y7 K+ ?8 A
  H$ Q  O/ v$ x( u  t: _0 D7 F: g5 m6 l" i1 g
  • Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"/ z8 r) K( C  X0 l' G
    https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
  • Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
  • Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
    8 B8 m* r3 m/ J& B1 f  ~+ X9 j10 : LPDDR2
    ' k" k- p( ]5 P: A, k11 : DDR3
    " w: Z9 O: _2 u

% [: K, t7 f6 D. ^$ x- y# i/ b8 H
5 |, |) a9 S/ K, U/ r
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗！

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超級狗

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发表于 2017-8-21 14:28 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-8-21 15:39 编辑 1 ]  K. g, y  Y& W0 u, A
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
7 M/ z. X5 z  M填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

. q2 B* u# c# r$ B2 i8 I* @ 走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。
8 z5 F1 X2 R. w3 J% q
: g3 H- a- t+ v& k6 ]如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。
/ p2 j  e3 V/ ?( {1 u7 c+ ]" R
8 o5 |: n& Q  `6 i% f/ P
; i+ g& |) s3 w3 q. l* j
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗！

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duzz

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发表于 2017-8-21 16:40 | 只看该作者
狗版主，这么翻译飞卡要气死

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肥死卡好！>_<|||  发表于 2017-8-22 08:16

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gwei_0210

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 楼主| 发表于 2017-8-21 16:54 | 只看该作者
已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

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zxk

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发表于 2017-8-22 07:16 | 只看该作者
路过，学习一下 mark

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