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以16bit DDR3为例3 L& A, N$ ~. D, Y) c8 h
( o- p( c4 l+ B
时钟信号CLK
' Q% ^2 r! m" R0 n' T" `时钟信号CLK的长度要求如下:
, r6 M0 W0 s4 p; e# g1、 CLK信号走线长度最长不能超过4inch;
) _8 W2 c/ M P) _: C( Q2、 CLK差分对信号走线严格走差分,差分对内部走线的长度差推荐小于5mil,即:|LCLKxP-LCLKxN| < 5mil; 2 r9 v. o9 g3 d9 s
3、DDR走线线宽和线间距不能小于4mil。
& ^& Y5 Y- c- Y8 o8 X
4 j7 E/ y/ h6 f( r! @- C数据选通信号线DQS
: V$ d% n, R! n' d( u' ~0 G数据选通信号线DQS的长度要求如下:
% d9 |# a- W3 u% t6 X# U* U1、DQS差分对内部两根信号线严格等长,差分走线长度偏差推荐小于5mil,即:|LDQSxP-LDQSxN| < 5mil;
/ k" b1 L2 {6 C N2、DQS以CLK时钟走线长度为参照进行走线,其走线长度相对于CLK的走线长度允许的偏差为±250mil,即:LDQSx = LCLKx +/- 250mil。
Z3 t' y5 L: ?! f: M, e
- W) h$ n0 H2 i5 e5 u0 x数据信号线DQ[0:31] ) M- d2 D1 b+ o8 G
数据信号线DQ[31:0]的走线长度以DQS作为参考,偏差50mil,具体如下:
1 m" Q% z5 q8 s( E1、DQ[7:0]以DQS0的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mi,即:LDQ[7:0] = LDQS0 +/- 50mil;, Y1 e2 e2 [% ?6 V4 ?" E
2、DQ[15:8]以DQS1的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil,即:LDQ[15:8] = LDQS1 +/- 50mil;) }7 Z+ y I$ |/ k d2 R3 k, p
3、 DQ[23:16]以DQS2的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil,即:LDQ[23:16] = LDQS2 +/- 50mil;& @# Q+ |! ^* d# b
4、DQ[31:24]以DQS3的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil,即:LDQ[31:24] = LDQS3 +/- 50mil;, y+ x* N7 { p% e
5、数据走线推荐以GND层为参考平面,在无法满足的情况下,要求同组同层走线。1 k# p: Y( M7 t, h( w" g
+ ]* Z8 m8 @7 F2 s/ ]' b+ r( M
数据掩码信号线DM 6 T* Q5 u* b, e
数据掩码信号线DM的走线长度以DQS为参考,要求如下:
! a7 f6 D3 v% j' M% S1、DM0以DQS0的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil。/ p! D1 Y/ t0 w
2、DM1以DQS1的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil。
# Q u: N& r G$ p" U# R" {- L. E6 M3 F3、DM2以DQS2的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil。
8 J' G. ~; D# W9 J( V4、DM3以DQS3的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil。* Z' X d1 ]3 _2 i& _
; Y, Z# @3 H$ R+ f% l6 E地址信号线ADDR[0:14
! i0 ]! s7 O' N0 `4 T3 T! S地址信号线ADDR[0:14]的长度要求如下:
6 r; @# C1 I3 s# l1、ADDR[0:14]以CLK时钟走线长度为参照进行走线,允许的差范围为100mil,即:LADDR = LCLK +/- 100mil;
) D* @% f) [' `2、地址线采用T型走线,T点到主芯片端管脚的走线,最长不超过2inch;T点到DDR颗粒端管脚的走线,最长不超过1inch。; L$ b3 o/ n& j; ^. K/ K, V
/ R' u, E- V0 t- _; y& N3 b
控制信号线" q- g7 f1 g& `, B
控制信号线BA[0:2]、DM、CKE、CSN、WEN、CASN、RASN、ODT的长度要求如下:
v& M- J! N$ q6 E4 s1、控制信号线以CLK时钟走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为100mil;2 [3 B5 x1 l( ^+ u
2、为减小信号反射,建议所有DDR3 SDRAM接口信号走线避免穿越电源地分割区域,保持完整的电源地参考平面,单板PCB设计时传输线阻抗控制在50Ω±10%,DDR3时钟差分线阻抗控制在100Ω±10%。 g- C7 G% b5 X. u; G
5 f" e& S4 b2 H# }& e* ^ |
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