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mos管电路的用法 看不懂 请大家探讨

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发表于 2016-3-30 18:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图,这个电路24v输入,为什么能输出12v。 该电路是成熟电路,实际搭出来的确是能测得接近12v电压? 请问怎么分析输出电压的产生。
# E( X$ K" A* J3 F$ x1 \$ R. O# \* M

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发表于 2016-4-1 09:11 | 只看该作者
PTC,按1A*0.7,也最多是0.7V的压降,那还剩下11.3V呢,1欧的电阻跟谁并联都是小于1欧的,PTC限制了回路总电流,如果最大电流只能过1A,那11.3V压降从哪里来呢
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发表于 2016-4-1 19:36 | 只看该作者
在下也發表一下個人看法$ |3 Z% K4 e3 Z! P* g
如版主圖所示,Q1不會工作在飽和區(右側水平線),而是工作在電阻(線性)區(左側斜線)* ]  q* H1 @, Y, G9 S( t
通電後,Gate電壓固定24*(51/(22+51)=16.76V,Source電壓開始上升。Vgs越來越小,使Q1脫離飽和區進入電阻區,預期Vgs=16.76-12=4.76時會到達穩態,如此轉出12V- I" P. O7 n0 ]$ P" D
如上面先進所述,PD12是一顆zener diode, 使用Vz=12V的二極體會比較合理
5 b: j3 \' y9 ^5 Y3 ]9 q7 I, NR26功能在下也不清楚。樓主電路板上是有上件的嗎?比較能夠避免功率問題的說法應該是該R26與Q1是並聯電路,如果Q1在電阻區的阻值遠低於R1, 那電流就會分流在Q1上。如此負載應要在數十安培才有可能。4 E- b) E9 [- i6 q* c

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 楼主| 发表于 2016-12-13 22:04 | 只看该作者
隔了快一年多再次看到这个帖子,感谢各位的回答,这个电路如今已经搞清楚了,R26是预留!!!!   作为12v与24v系统的备选;当12v系统时,R26贴上,Q1\R27\R28不贴; 24V系统时 Q1\R27\R28贴,R26不贴,mos工作与可变电阻区,vgs对应一个Vds,使得vds有12v左右的电压,后面有接LDO(LDO允许的输入范围是9~33v,电流是200ma),LDO设计时用来产生12->5V,电流是100ma左右,主要热量在mos处;感谢各位!

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发表于 2016-3-30 22:59 | 只看该作者
我也看不懂

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发表于 2016-3-30 23:14 | 只看该作者
書到讀時方恨多!
. k6 g  d  T% `. f5 \6 O* j
- R( w* i, X: W4 p9 T1 F/ g
+ F& Z' `9 Y9 ?* W3 q7 p; ?9 ]) E) J/ G; [3 A5 H# k: D% U
& t2 {  z1 r* c/ V

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg (66.74 KB, 下载次数: 1)

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg (102 KB, 下载次数: 1)

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg

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版主大哥,小弟结合两张图没看懂  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:16
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2016-3-30 23:36 | 只看该作者
应该是一个NMOS的驱动电路吧,不像常用的电平转换电路。

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发表于 2016-3-30 23:36 | 只看该作者
应该是一个NMOS的驱动电路吧,不像常用的电平转换电路。

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发表于 2016-3-31 00:27 | 只看该作者
该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

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支持!: 5.0
fallen版主,这个电路很疑惑,所以发帖求助,结合狗版主贴的两张图。您的特定条件是指给id一个特定的电流吗?  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:15
我记得以前有个人发了一个19种电平转换电路,这个应该完全靠增强型NMOS本身管子参数的特性做的电路,吧.  详情 回复 发表于 2016-3-31 08:34
支持!: 5
想得出來、敢用,單憑兩點還是比我強!^_^  发表于 2016-3-31 08:06

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发表于 2016-3-31 08:34 | 只看该作者
fallen 发表于 2016-3-31 00:270 {2 A0 [9 ~, n( [
该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.
! e& Y6 `1 e9 v9 I" e9 ^
我记得以前有个人发了一个19种电平转换电路,这个应该完全靠增强型NMOS本身管子参数的特性做的电路,吧.
/ ?. j3 u& R4 c2 \/ |+ N

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 楼主| 发表于 2016-3-31 09:15 | 只看该作者
fallen 发表于 2016-3-31 00:27; u) C! e+ G- i7 G! S
该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

7 U3 Q4 j, K: qfallen版主,这个电路很疑惑,所以发帖求助,结合狗版主贴的两张图。您的特定条件是指给id一个特定的电流吗?
) t* Y4 i$ o, a! M3 C/ v4 b9 j& s

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 楼主| 发表于 2016-3-31 09:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2016-3-30 23:14
6 F) n$ x; x: g1 O! g4 B# N% O書到讀時方恨多!

. L: w) D+ b; a$ F% `5 Q5 `版主大哥,小弟结合两张图没看懂; \6 j2 ~) h4 f, ]9 n4 ~0 T, U, ^0 Z! n3 f

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[*]第一張圖是 AUIRF3205 V v.s. I 的特性 。 [*]第二章圖示一般 MOSFET 特性曲線的解讀。 [*]V = V [*]I = I + I 懂了嗎? 小弟的能耐只到這裡!  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:37

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发表于 2016-3-31 09:37 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2016-3-31 09:39 编辑 % p& ~$ b3 k: S& K% ~0 n' l
muyidou 发表于 2016-3-31 09:16
: U7 ^0 @/ t2 c) d( B- h版主大哥,小弟结合两张图没看懂

  ]7 s6 C1 n3 B
  • 第一張圖是 AUIRF3205 VDS v.s. ID 的特性 。
  • 第二張圖是一般對 MOSFET VDS v.s. ID 特性曲線的解讀。
  • VDS = VR26
  • ILoad = ID + IR26
      T2 ?$ O' c$ S: g# n+ ^

3 V/ Z% Z7 l+ n, g$ y/ r懂了嗎?  A9 r2 z" Y+ g/ j5 c, Z: b
( c6 H7 N6 N* F0 o
小弟的能耐只到這裡!
' }2 ~. F  s" o3 I- }3 u- v0 ~4 f
) K) Y2 x, Z! W+ H- Y! R: t

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版主大哥,我和楼下有相同的疑惑,1206的1欧姆电阻能挨得上12v电压吗?  详情 回复 发表于 2016-3-31 14:39
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2016-3-31 13:46 | 只看该作者
我表示看不懂啊,狗大解释一下,MOS管跟R26并联,1欧的电阻,1206的封装,12V的压降,意思说通过电阻的电流12A,这不科学啊

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家裏沒大人?輪得到 R26 說話嗎?  详情 回复 发表于 2016-3-31 16:52
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 楼主| 发表于 2016-3-31 14:39 | 只看该作者
超級狗 发表于 2016-3-31 09:37
  • 第一張圖是 AUIRF3205 V[sub]DS[/sub] v.s. I[sub]D[/sub] 的特性 。
  • 第二張圖是一般對 MOSFET  ...

  • ( w. L, I6 ^* b; h# H 版主大哥,我和楼下有相同的疑惑,1206的1欧姆电阻能挨得上12v电压吗?
    $ Y, G( s# ~, k+ B  m

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    发表于 2016-3-31 16:52 | 只看该作者
    skatecom 发表于 2016-3-31 13:46
    $ B; j! K5 N9 E我表示看不懂啊,狗大解释一下,MOS管跟R26并联,1欧的电阻,1206的封装,12V的压降,意思说通过电阻的电流 ...
    ! U5 Q9 i# v. A% J( a2 j! F2 M
    家裏沒大人?輪得到 R26 說話嗎?/ P" v7 X4 v1 R
    ( P8 m1 O" b- g

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    发表于 2016-3-31 17:42 | 只看该作者
    这个电路有点不是很明白,R26的电阻是选择性的上吗?出12V时,R26不上?

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    发表于 2016-3-31 17:44 | 只看该作者
    如果R26不上件,特定条件下输出12V可以理解,但是R26如果上件,输出12V,必须靠保险丝和R26的串联来顶到12V,耗散功率保险丝根本就顶不住。
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