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stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样
- g2 R% m& M* w5 T它们的共同点：
( K/ U0 W- d- O/ p' V6 `1，统一排地址：但地址不一样
2 ^& w1 D4 b- ~4 r8 w$ F2，编程方法和的函数一样& H) W# j* S q1 a. e
1，先HAL_FLASH_Unlock();开锁写
. d5 c2 `6 t9 C- \2，Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32)；写$ e& x2 N6 b7 G. b2 Q
其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32)；
& k8 P# [1 G4 t1 |1 X3，HAL_FLASH_Lock();锁住写
* p0 t! H4 H5 U1 o( E3，擦出方法和函数一样# E1 a% v2 j2 L O9 v! A' ]9 r' B
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)
9 J% o4 t m1 W! f4，读方法和函数一样( n8 g* y& N2 K# @5 h+ O0 O
Read_eeprom_int32(uint16_t addr): G$ R& D0 o4 p* Z% D2 ^
不同点：
$ M/ o, ]% v( i; k8 ?: b地址不一样：
9 ]+ Y7 W+ _4 z6 i: |. NEEPROM：0x08080000开始的2K字节: o; e/ ]5 p' V# V% H* Y2 w
FLASH： 0x08000000开始的空间（大小型号决定）， 其中你想用的FLASH空间。 | 
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发表于 2018-6-17 18:22
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