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关于QSFP收发信号的处理

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发表于 2014-12-7 11:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 kevin890505 于 2014-12-7 11:31 编辑 ) B/ l0 ]8 |% o& W% b# E0 ?# }
3 o/ w# N3 [2 ]1 m' Q
第一次弄QSFP+,完全没信心,请问各位大神,这种10G的差分(4对收,4对发)处理上有什么要注意的:
1 H! I) ?( Z* w# U+ B, v1,收/发的4对之间应该不用等长吧?1 ~. K# o  X) v, n) B/ Y
2,对于高速的差分,从1mmBGA中出来,BGA下方应该有>2CM的走线.下图neck mode或者每根线各走一个通道,对于信号那种更好?
/ D7 o. {$ _  I0 F6 T  e3,10G的信号,如果没有长距离的水平,垂直走线,大约小于5cm,用考虑十度走线么?
2 n2 E  e' l. X8 d' e- @如果各位大神有其他意见,建议,跪求!!& `. Y3 o9 e; d4 t+ I8 B8 D

0 W  \6 `* h* k  G9 ?" J; I# l7 L. D/ D还有关于电源处理,内核0.9V电流>30A,设计的是48A,这种大电流在处理时候有什么要注意的?, Y1 `  w5 U0 x3 i  I
因为是长方形布局,电源在右侧偏下,芯片在左侧,中间偏上有2个DDR3颗粒(不一定会用),这一块地平面回流电流貌似非常大,将来会影响这2个DDR3么,准备跑2133M的。% j8 P4 O  \- y' y* T% \) [' _/ u
  }5 I6 L: _, z
我是很有分享精神的,不过大家懂得起,实在不方便上图。ORZ。' l) }# u4 j, Z5 w# k% p

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发表于 2014-12-9 23:34 | 只看该作者
我也来说一下,个人意见,仅供参考:
& m% D% K9 X: }# K5 Z1 }1. 要严格等长;不管是差分线对还是TX,RX对,等长就是了,虽然我们知道后者是无所谓,万一软件调不出来,第一件事就是问你这个:等长了吗?你就可以胸有成竹地说,所有的都等了。
; h, n1 Y1 M6 Z0 A8 W" l  ]0 T2. 不用说了,neck mode;
4 d6 U% B( Q% K# }: U! p3. 同上,需要十度走线;
) j6 R& K$ k+ W2 s4. 除了多铺铜,最好顶底层用2OZ以上的铜皮,电源是最为关键,对数字部分,我一般看重的是电源和回路。5 {3 J* C' ~, a5 P
年底要发奖金,这个时候,一定要注意设计,如果因为一时痛快而被人抓了把柄,奖金分少了,就不好了。

点评

请教下,FR4采用10度走线是和材质有关,我们现在采用ROGERS,不知道还有没有这个问题还需要10度走线不? 大家都采用什么材质,有没有必要换ROGERS的板材, 还有个问题,PHY到光纤口的差分信号是不是50欧姆?有  详情 回复 发表于 2015-5-15 10:46

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 楼主| 发表于 2014-12-9 13:08 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2014-12-9 10:27& T/ J6 j4 z7 ?' G+ _! r6 F( f/ A
1、收发之间无需等长,实际上走线拓扑一致,相差也不会太大;$ y8 D# D& D& H
2、BGA内用Neck模式,一般是4/4的线宽线距, ...
1 P0 S7 p) X9 I, j
多谢大神。关于内核电源处理,我目前使用4内层+1表层铜皮的方式。通流量绝对满足48A要求。; |. T; N7 P- O# w* B
而且电源走向没有经过DDR,但是电源到芯片相当于一根较小的U形铜皮,   DDR大概位置: n6 u/ C& E6 Z
刚好在U的中间偏上侧,虽然电源不影响DDR,但是我经过仿真发现直流回路在地平面
2 o5 X* J6 E1 O+ B. V1 z9 Z) E上的电流密度,DDR下方明显要大许多,这个问题应该怎么处理?  单独掏空DDR和内核电
, z3 \% K4 S0 Q2 c" @源地中间形成一个隔离槽的话会影响DDR走线下方的参考地,所以纠结啊!!!或者不用管?+ W0 q0 a7 H. I

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发表于 2014-12-8 08:32 | 只看该作者
大力支持LZ  奉献自己的经验

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发表于 2014-12-8 09:17 | 只看该作者
楼主算的应该不对吧?0.9V/30A??还没见过内核功耗如此大的IC,一个IC的内核电压就这么大的话,估计什么散热都没用,而且那整机功耗应该很吓人了

点评

应该是瞬态电流吧,这么大的电流  发表于 2014-12-8 09:53
这个很正常了,我看到还有60A的,据说还有100A级别的不过没看到过。只不过在自己设计中,第一次遇到这种级别的。而且这个30A是DATASHEET要求的。  发表于 2014-12-8 09:19

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 楼主| 发表于 2014-12-8 19:36 | 只看该作者
cvntao 发表于 2014-12-8 09:17
  K4 S3 J0 Y4 I8 O) D楼主算的应该不对吧?0.9V/30A??还没见过内核功耗如此大的IC,一个IC的内核电压就这么大的话,估计什么散 ...
9 h% S. ]. q' F- X
呃 我觉得这个虽然挺大的  但是芯片是分功能行业差异的    随便找个I7处理器  基本要求都是100A,150A级别的,比较一下,所以30A的稳态电流其实并不大。
2 \+ o3 F5 f; m3 f! W更别说一些专用通信芯片,核心网,接入网专用的IC,内核五六十A都是小CASE的。或者高端的FPGA,内核几十A也是正常水平。' t9 s1 B" c9 R  p5 z# R- b& l" m
! v$ q. c( h! J' l) a

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 楼主| 发表于 2014-12-8 20:40 | 只看该作者
呼叫超级狗,跪求狗粮  

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楼主在哪里上班 方便私下留个联系方式么? 谢谢~!  发表于 2014-12-9 16:40

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发表于 2014-12-8 22:08 | 只看该作者
1. 关于高速信号,我认为一根走一个通道比较好,两个走在一起,一个阻抗不连续比较严重,第二个线太细损耗严重;

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发表于 2014-12-8 22:10 | 只看该作者
关于低压大电流,主要考虑两点,1,不要有瓶颈,2,板级频率范围内目标阻抗能满足设计要求

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发表于 2014-12-9 10:27 | 只看该作者
1、收发之间无需等长,实际上走线拓扑一致,相差也不会太大;
) t: J$ v! e( `! t2、BGA内用Neck模式,一般是4/4的线宽线距,可以通过控制叠层,使其阻抗接近100欧;
  `8 L1 f# `2 n( P- M+ i: Q, O, E3、如果可能,尽量走十度吧。
% C2 r% g# E- n. G, g2 [
  i  }2 |: `  N+ s  }* `设计一个紧靠在0.9V的电源层一起的地层,两个层的铜厚加大,建议2oz,该电源平面不要到DDR区域去。
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发表于 2014-12-9 15:28 | 只看该作者
我想,直流应该对DDR的影响不大
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发表于 2014-12-9 22:24 | 只看该作者
1.不需要等长+ D7 T* U7 D* ]; |* h$ C
2.neck mode
  o* a& ^+ c. o6 d5 y3。不需十度走线' i$ b% p( N: k8 t  e. c
4。可以在信号层多铺几个铜皮
" b1 |( z; v7 a+ a( A9 Y2 o个人处理方法,仅供参考

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 楼主| 发表于 2014-12-9 22:31 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2014-12-9 15:28
/ T, D: B; U7 x! N我想,直流应该对DDR的影响不大

; z5 m; V4 s" }7 O/ W+ v* F# F多谢大神帮忙。
- B, p: _1 {2 W% W! w& S

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 楼主| 发表于 2014-12-9 22:32 | 只看该作者
jhh610528 发表于 2014-12-9 22:24* G) K2 d; L* p1 R' U. B% G: T$ \
1.不需要等长$ G$ ~3 Z3 Z0 `- X1 m: a
2.neck mode
) b9 r6 ~- e3 o; G7 w3。不需十度走线
5 G  b/ @8 o* J% t7 U8 U
3Q # |" Z8 {3 i& J

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发表于 2014-12-12 16:45 | 只看该作者
本帖最后由 panpan 于 2014-12-12 16:47 编辑
3 u) \' g. s3 Q
# q/ |7 U* L9 R. O" e: `1,收发之间不需等长
: r" p1 e9 X( [7 |2 g( x; n: I1 P2,必须用neck mode3,什么是“十度走线”?
* Z8 j. l0 D2 _9 G0 Z& X$ N
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