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上电冲击电流的抑制

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发表于 2015-6-15 11:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
    电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
    为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
    问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
    请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?
/ q1 B, G, k3 v7 a+ L; M
    谢谢!

9 B* w! U5 H- S
2 g' ^1 i4 T) C2 E2 W' U

上电冲击电流.png (106.09 KB, 下载次数: 1)

上电冲击电流.png
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 楼主| 发表于 2015-7-1 11:15 | 只看该作者
CStaller 发表于 2015-6-26 18:36
2 f6 j7 Q8 w8 O( F) b# _我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。
7 r  g, D. m+ j6 M具体参数可以仿真一下,或者试一下
. ], ?/ M# M/ U
使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。6 J2 x  P6 H* I" ?3 P+ T
2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。
# X0 s5 D* c9 d& b8 w* ^; G所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。9 J8 k% O2 X9 b
8 w9 s$ _' g4 o( v6 R) c

7 ~  \  N, ]/ T  w" Q( R" A

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 楼主| 发表于 2015-6-23 09:56 | 只看该作者
斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:37
( z% Z) t# c: }' v; `% b& W; {使用软启动应该可以的吧,管子2 3脚并联启动电阻。

- O* G2 `  q3 p8 C% _4 |电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。5 W( e- P( p* f% A/ y- z
电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。
' l7 n1 q6 W3 m' r2 ]5 \这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。+ w- J  l& ~8 ?9 j* C. J
后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。
8 l: w" [: m; l
3 g# G  i# C' T  v, v; z6 D" B
/ X% G7 ]7 E7 f" C$ F3 ?" [

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估计你加电感太小了  详情 回复 发表于 2015-6-24 14:06

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 楼主| 发表于 2015-6-15 17:20 | 只看该作者
cmg227 发表于 2015-6-15 16:31( m0 X" D" F- r( M, O* u
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

8 n5 C; \8 c1 H- fG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
: c% v. B2 t0 b之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。

/ z) ^4 C' P; c* d6 T8 k% X2 K  t+ i6 P: p' p" J3 c0 d: A

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哦 又学了一点呢 谢谢  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:22

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发表于 2015-6-15 11:34 | 只看该作者
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冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过  详情 回复 发表于 2015-6-19 20:59
在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。  详情 回复 发表于 2015-6-15 14:46

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 楼主| 发表于 2015-6-15 14:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34
' u8 _' p# B2 z( Z5 n7 G  |串联电感
( F1 S# s- {! \+ D+ d' r: n
在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。' R: T; ^+ Q% ~  V, E

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串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。 你再找高手问问吧。  详情 回复 发表于 2015-6-16 09:55

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发表于 2015-6-15 16:31 | 只看该作者
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

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G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。[/backcolor] 之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:20

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发表于 2015-6-15 17:22 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 17:20
! S( K$ ~+ y' ?- |% Z7 ]- J, dG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。' |' Z  h% r; ~6 }5 ?) y
之所以选择NOMS,而不 ...

$ t1 j+ c0 O! x& }% N0 _# f哦 又学了一点呢 谢谢
7 x/ u( p5 n% t8 ]- ^

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发表于 2015-6-16 09:55 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 14:46
3 D( H: F1 }4 K( }2 Y2 n在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。

! u* A7 c" |. U串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。
5 f& ?% n% P0 [/ h6 K$ l你再找高手问问吧。
! J/ }% k+ X# R: a' A& X5 s

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发表于 2015-6-16 17:48 | 只看该作者
你带容性负载当然有冲击电流啦,电容电压不能突变,电流能突变# ]2 k1 z: K* D; K2 `( y3 `$ a

; e+ q* p$ w9 }  y不怕功耗浪费可以考虑串个大功率小电阻% N1 |& s- w9 H+ `3 U# C2 [

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发表于 2015-6-18 13:53 | 只看该作者
你这个电路感觉像一个BOOST电路了,你看看bost电路的电感电容的配置

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发表于 2015-6-18 17:02 | 只看该作者
#8  is good answer.
0 T6 Y  d4 d$ A1 uSurge current is due to the capacitor load be charged at MOS turn on edge.
1 Y# b( ^+ \/ r) kA resistor limits the surge current peak but consume power at ON stage.

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发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34
* a- C) W2 e6 |9 q% l  [串联电感
& |8 G/ [4 p/ ]
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
0 e5 [8 d! Y' \5 h) h

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恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:52

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发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

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不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:53

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myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59  W0 g4 T+ V  O2 i' t) n, u
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
* I% o. J8 R. p: H
恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。
1 ?3 N* B+ f  y9 d
# G$ j" [4 \5 O1 S. R
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myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59
" d" z. r' v* J% \. U: v楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适
- f. P$ u$ Z/ u+ K; U
不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。- t4 ?1 ^. K" f' c0 U5 I

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容性负载,这个冲击能消除?  详情 回复 发表于 2015-6-20 18:06
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